公开(公告)号：CN110210123B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201910467871.7

申请日：2019-05-31

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  陈言言 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: G06F30/20

Abstract: 本申请公开了一种SOI器件的kink电流计算方法和装置，用以解决现有技术中kink电流计算不精准，不适合电路仿真的问题。该方法包括：分别获取SOI器件的碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流；根据碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流，计算SOI器件的kink电流。

公开(公告)号：CN110210123A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910467871.7

申请日：2019-05-31

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  陈言言 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: G06F17/50

Abstract: 本申请公开了一种SOI器件的kink电流计算方法和装置，用以解决现有技术中kink电流计算不精准，不适合电路仿真的问题。该方法包括：分别获取SOI器件的碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流；根据碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流，计算SOI器件的kink电流。