公开(公告)号：CN107004714A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580062793.2

申请日：2015-11-13

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  中村亮太

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的半导体装置，包含：半导体层；在所述半导体层中划分第1导电型的源极区域的栅极沟槽；所述源极区域的下部的第2导电型的沟道区域；贯通所述源极区域及所述沟道区域的源极沟槽；所述源极沟槽的底部及侧部的第2导电型的杂质区域；所述半导体层上的源极电极；以及具有比所述杂质区域高的浓度的第2导电型的高浓度杂质区域，其在所述半导体层的表面具有与所述源极电极连接的接触部，并且贯通所述源极区域而延伸到比所述源极区域深的位置。

公开(公告)号：CN103855223B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201410095346.4

申请日：2010-03-23

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  箕谷周平 ,  三浦峰生

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第1导电型半导体层；第2导电型的多个主体区域，在从上述半导体层的表面至厚度方向的中间部的区域，在与上述厚度方向垂直的方向空出间隔形成；第1导电型源极区域，在各主体区域的表层部，与上述主体区域的周缘空出间隔形成；栅极绝缘膜，形成在上述半导体层上；和栅极电极，形成在所述栅极绝缘膜上，在上述半导体层，通过从其表面向下挖掘以形成横跨在彼此相邻的2个上述源极区域之间的槽，由上述栅极绝缘膜覆盖上述槽的内面，上述栅极电极具有与上述半导体的表面对置的表面对置部以及在上述槽中埋设的埋设部。

公开(公告)号：CN105247683A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480012210.0

申请日：2014-03-04

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  中村亮太

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部；以及表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，形成为在所述单元部比在所述外周部的部分薄。

公开(公告)号：CN101764160B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN200910262154.7

申请日：2009-12-25

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L23/532 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其包括：由SiC构成的半导体层；通过在所述半导体层中掺杂杂质而形成的杂质区域；形成于所述半导体层上，并与所述杂质区域接触的接触配线，所述接触配线与所述杂质区域接触的接触部分具有多晶硅层，在所述多晶硅层上具有金属层。

公开(公告)号：CN101964357B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201010234115.9

申请日：2010-07-20

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪

IPC: H01L29/40 ,  H01L23/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括：由SiC构成的半导体层、和与所述半导体层的一个面直接接合的金属层，在所述半导体层的一侧的表层部分，形成有碳浓度比另一侧的表层部分高的高碳浓度层。而所述半导体装置的制造方法包括：通过热处理，在由SiC构成的半导体层的一面侧的表层部分，形成碳浓度比另一面侧的表层部分高的高碳浓度层的工序；和将金属与所述高碳浓度层直接接合的工序。

公开(公告)号：CN102362354A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080013440.0

申请日：2010-03-23

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  箕谷周平 ,  三浦峰生

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第1导电型半导体层；第2导电型的多个主体区域，在从上述半导体层的表面至厚度方向的中间部的区域，在与上述厚度方向垂直的方向空出间隔形成；第1导电型源极区域，在各主体区域的表层部，与上述主体区域的周缘空出间隔形成；栅极绝缘膜，形成在上述半导体层上；和栅极电极，形成在所述栅极绝缘膜上，在上述半导体层，通过从其表面向下挖掘以形成横跨在彼此相邻的2个上述源极区域之间的槽，由上述栅极绝缘膜覆盖上述槽的内面，上述栅极电极具有与上述半导体的表面对置的表面对置部以及在上述槽中埋设的埋设部。

公开(公告)号：CN102037564A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980118406.7

申请日：2009-05-20

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397

Abstract: 半导体装置(A1)具备第1n型半导体层(11)、第2n型半导体层(12)、p型半导体层(13)、沟道(trench)(3)、绝缘层(5)、栅极电极(41)和n型半导体区域(14)，p型半导体层(13)沿着沟道(3)，且具有与第2n型半导体层(12)和n型半导体区域(14)相接的隧道(channel)区域，深度方向x上的上述隧道区域的大小为0.1～0.5μm，上述隧道区域具有峰值杂质浓度为1×1018cm-3左右的高浓度部。利用这种构成，半导体装置(A1)可使导通电阻、绝缘耐压和阈值电压任一值为较好的值。

公开(公告)号：CN101964357A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010234115.9

申请日：2010-07-20

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪

IPC: H01L29/40 ,  H01L23/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括：由SiC构成的半导体层、和与所述半导体层的一个面直接接合的金属层，在所述半导体层的一侧的表层部分，形成有碳浓度比另一侧的表层部分高的高碳浓度层。而所述半导体装置的制造方法包括：通过热处理，在由SiC构成的半导体层的一面侧的表层部分，形成碳浓度比另一面侧的表层部分高的高碳浓度层的工序；和将金属与所述高碳浓度层直接接合的工序。

公开(公告)号：CN101834203A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200910262148.1

申请日：2009-12-25

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  中村亮太

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7805

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括：第一导电型的半导体层，其由SiC构成，且表面为Si面；从所述半导体层的表面挖下的栅极沟槽；栅极绝缘膜，其形成于所述栅极沟槽的底面及侧面上，所述底面上的部分的厚度与所述侧面上的部分的厚度之比为0.3～1.0；栅电极，其经由所述栅极绝缘膜埋设于所述栅极沟槽。？

公开(公告)号：CN118202471A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280073096.7

申请日：2022-10-28

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体装置(1A)包括：具有主面(3)的芯片(2)；配置在上述主面之上的主面电极(30、32)；以使上述主面电极的一部分露出的方式配置在上述主面电极之上的端子电极(50、60)；以及以使上述端子电极的一部分露出的方式包覆上述端子电极的周围，且具有直接包覆上述主面电极的部分的封固绝缘体(71)。