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公开(公告)号：CN107690695B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201680033209.5
申请日：2016-06-01
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及一种半导体元件的制造方法，所述制造方法包括基板的快速热处理阶段，所述基板包括电荷俘获层，所述快速热处理阶段能够损坏基板的RF特性。根据本发明，快速热处理阶段之后是在700℃至1100℃之间的、达至少15秒的时间段的基板的恢复热处理。
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公开(公告)号：CN104662649A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380050458.1
申请日：2013-09-20
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67092
Abstract: 本发明涉及一种直接键合工艺，该工艺包括以下步骤：将第一晶圆(10)放置在卡盘(2)的表面上，所述表面包括凹槽(4)；在所述凹槽(4)中施加第一压力，所述第一压力小于从所述第一晶圆(10)的被暴露面观察到的第二压力；使第二晶圆(16)接触所述第一晶圆(10)的所述被暴露面，然后在保持所述第一压力和所述第二压力的同时，开始键合波在两个晶圆之间的传播。
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公开(公告)号：CN118525353A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202380016873.9
申请日：2023-01-11
Applicant: 索泰克公司
Inventor： M·波卡特 , C·查尔斯-艾尔弗雷德 , L·卡佩罗 , 莫尔加纳·洛吉奥 , T·巴尔格
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , H10N30/073
Abstract: 本发明涉及一种制造用于将压电层转移至支承基板的供体基板的方法，该方法包括以下步骤：提供处理基板，特别是硅基基板；提供压电基板；在处理基板或压电基板上淀积聚合物层；在压电基板的自由表面上形成中间层；按照使得形成在压电基板上的中间层被夹在聚合物层与压电基板之间的方式将压电基板组装在处理基板上，以形成供体基板。本发明还涉及通过这种方法制造的供体基板以及使用这种供体基板转移压电层的方法。
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公开(公告)号：CN111386600A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201980005951.9
申请日：2019-02-12
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及通过将层从供体基底转移到接受基底上来制造绝缘体上半导体型结构的方法，该方法包括以下步骤：a)提供供体基底和接受基底，b)在供体基底中形成脆化区，该脆化区界定要转移的层，c)在接受基底上接合供体基底，供体基底的关于要转移的层而与脆化区相反的表面处在接合界面处，d)将供体基底沿脆化区分离，使得层的转移能够转移到接受基底上，转移方法的特征在于，在接合步骤之前，转移方法包括以下步骤：受控地改变供体基底和/或接受基底的弯曲，以使基底至少在其外围的一个区域中彼此移开，供体基底和/或接受基底的旨在形成接合界面的一个面或两个面形变以具有大于或等于136μm的弯曲幅度(Bw)。
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公开(公告)号：CN110622296A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880030548.7
申请日：2018-05-23
Applicant: 索泰克公司
Inventor： M·波卡特 , 佛雷德里克·阿利伯特 , E·德斯博内特 , J-P·拉斯金 , M·莱克
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种用于使在涂覆有电绝缘层(2,2b)的半导体衬底(1)上形成的射频电路(L)中传播的射频信号的谐波失真和/或互调失真最小化的方法，其中，表示所述失真随着输入或输出信号的功率而变化的曲线在给定功率(PDip)周围显示出波谷，所述方法的特征在于，其包括在所述射频电路(L)和所述半导体衬底(1)之间施加电势差(VGB)，所述电势差被选择为使所述波谷朝向所述射频电路的给定工作功率移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108475722A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680079260.X
申请日：2016-12-21
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
CPC classification number: H01L41/312 , H03H3/02 , H03H9/02102 , H03H9/02574 , H03H9/02834
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热膨胀系数比硅的热膨胀系数更接近压电层(10)的材料的热膨胀系数，半导体层(111)被设置在压电层(10)与加强衬底(110)之间。
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公开(公告)号：CN107690695A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201680033209.5
申请日：2016-06-01
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/2686 , H01L21/3226 , H01L21/67115 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L22/14 , H01L29/1079
Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体元件的工艺，所述工艺包括基板的快速热处理阶段，所述基板包括电荷俘获层，所述快速热处理阶段能够损坏基板的RF特性。根据本发明，快速热处理阶段之后是在700℃至1100℃之间的、达至少15秒的时间段的基板的恢复热处理。
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公开(公告)号：CN104662649B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201380050458.1
申请日：2013-09-20
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67092
Abstract: 本发明涉及一种直接键合工艺，该工艺包括以下步骤：将第一晶圆(10)放置在卡盘(2)的表面上，所述表面包括凹槽(4)；在所述凹槽(4)中施加第一压力，所述第一压力小于从所述第一晶圆(10)的被暴露面观察到的第二压力；使第二晶圆(16)接触所述第一晶圆(10)的所述被暴露面，然后在保持所述第一压力和所述第二压力的同时，开始键合波在两个晶圆之间的传播。
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公开(公告)号：CN112997290B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202080006094.7
申请日：2020-01-08
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/321
Abstract: 本发明涉及一种制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的接收方衬底(30)的方法，方法包括以下步骤：‑提供半导体衬底，所述半导体衬底包括由单晶材料制成的基底衬底(1)和设置在所述基底衬底(1)上的由多晶硅制成的电荷俘获层(2)，‑对所述电荷俘获层(2)进行氧化以形成设置在所述电荷俘获层上的氧化物层(3)，该方法主要特征在于所述电荷俘获层(2)的所述氧化至少部分地在低于或等于875℃的温度通过以下方式进行：‑在750℃至1000℃之间的第一温度(T1)开始所述氧化，‑将温度降低至低于所述第一温度(T1)并且在750℃至875℃之间的第二温度(T2)，‑在所述第二温度(T2)继续氧化。
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公开(公告)号：CN118696407A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202280090226.8
申请日：2022-12-19
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种用于将薄膜转移到支撑衬底上的方法，该方法包括：提供粘结组件，该粘结组件包括在供体衬底和该支撑衬底的相应正面处直接粘结而组装的该供体衬底和该支撑衬底，接着是粘结界面，该粘结组件具有在此粘结界面内的局部未粘结区域，该供体衬底还包括内埋易碎平面；沿着该内埋易碎平面进行分离，该分离在所述平面中通过热活化导致的微裂纹生长之后在该局部未粘结区域处发起，该分离导致薄膜从该供体衬底转移至该支撑衬底。该方法的特征在于，该局部未粘结区域仅由粗糙化区域生成，该粗糙化区域是在组装之前有意地在该供体衬底和该支撑衬底的该正面中的至少一个上产生的，没有拓扑结构，并且具有幅值在0.5nm RMS与60.0nm RMS之间的预定粗糙度。
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