公开(公告)号：CN101409231B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200810179947.8

申请日：2008-05-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  有持佑之 ,  御友重吾 ,  风田川统之 ,  日野智公

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/16 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/48465

Abstract: 在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1-100)面上生长具有(11-22)或(10-13)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法、一种半导体发光元件以及一种具有一个或多个半导体发光元件的电子器件。

公开(公告)号：CN101807522A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010125298.0

申请日：2008-05-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  有持佑之 ,  御友重吾 ,  风田川统之 ,  日野智公

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/16 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/48465

Abstract: 本发明公开半导体层生长方法及半导体发光元件制造方法。在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1-102)面上生长具有(11-20)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤，使得至少一个面向外，该面选自(11-22)面、(0001)面、(000-1)面、(33-62)面和(1-100)面。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法。

公开(公告)号：CN101188267A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710305145.2

申请日：2007-10-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  日野智公 ,  冈野展贤 ,  仓持尚叔 ,  菊地雄一郎 ,  大桥达男

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明公开一种制造发光装置的方法和一种发光装置。所述方法包括步骤：(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：(C)利用SOG层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。在本发明中，小孔或裂纹不容易产生并且电极被有极好的台阶覆盖性的覆盖层(绝缘层)覆盖。

公开(公告)号：CN1536786A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410033394.7

申请日：2004-04-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈野展贤 ,  渡部义昭 ,  御友重吾 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H04B10/00 ,  H04B10/24

CPC classification number: H04B10/1149 ,  H04B10/116

Abstract: 一种光信息发送、照明设备2被安装在提供一个遍常使用的、现有类型照明设备以施加光的地方。该照明设备2包括用于施加光的照明光源4和用于发送光信息的信息发送单元5。可能接收来自该照明设备2的信息的用户具有移动终端3，该移动终端接收从该信息发送单元5发送的光信息。由于现有类型的照明设备在我们的生活空间中被普遍使用。因此，光信息发送、照明设备2可把使用现有类型照明设备的每个地方变换成光通信空间。

公开(公告)号：CN1258094A

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：CN99124388.9

申请日：1999-11-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 日野智公 ,  浅野竹春 ,  朝妻庸纪 ,  喜嶋悟 ,  船户健次 ,  富谷茂隆

IPC: H01L21/20 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0332 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/32341

Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物;金属和其上的氮化物;氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物;或第一金属,其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物;氧化物可以是SiO2,氮化物可以是TiN或SiN,由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO,金属可以是Ti或Pt。

公开(公告)号：CN100376064C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN03801074.7

申请日：2003-06-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 东条刚 ,  矢吹义文 ,  安斋信一 ,  日野智公 ,  后藤修 ,  藤本强 ,  松本治 ,  竹谷元伸 ,  大藤良夫

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/40

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73267 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031

Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III-V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III-V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN1996630A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200710001435.8

申请日：2007-01-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  日野智公

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/40 ,  F21K9/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管、其制造方法以及包括该发光二极管的多种应用。该发光二极管包括：第一导电型的第一半导体层；在该第一半导体层上的有源层；在该有源层上的第二导电型的第二半导体层；配置来与第一半导体层电耦合的第一电极；配置来提供在该第二半导体层上并且与该第二半导体层电耦合的第二电极，该第二电极包括具有预定形状并且主要由银组成的第一金属薄膜和覆盖该第一金属薄膜并且主要由钯和/或铂组成的第二金属薄膜。

公开(公告)号：CN1992359A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610064047.X

申请日：2006-09-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  盐见治典 ,  风田川统之 ,  网隆明 ,  宫嵨孝夫 ,  平松雄司 ,  畑田出穗 ,  冈野展贤 ,  冨谷茂隆 ,  簗嵨克典 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供在其一个主表面上具有多个突起部的衬底并且在形成三角形截面的状态下在衬底的每个凹入部上生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，突起部由与衬底不同类型的材料制成，凹入部的底表面为三角形的底；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；以及在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。

公开(公告)号：CN1976075A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610160942.1

申请日：2006-12-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  日野智公 ,  小林俊雅 ,  成井启修

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L21/244 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件具有高反射率，并且在反光层和半导体层之间具有高电接触属性。该半导体发光器件是通过顺序层叠半导体层、基底层和反光层形成的。半导体层是通过顺序层叠缓冲层、GaN层、n型接触层、n型覆层、有源层、p型覆层和p型接触层形成的。基底层形成在p型接触层的表面上，并且是由具有Ag(银)的过渡金属制成的，厚度为1nm到10nm且包括1nm和10nm。反光层形成在基底层的表面上，并且是由具有预定材料的Ag制成的。

公开(公告)号：CN1316764C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410033394.7

申请日：2004-04-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈野展贤 ,  渡部义昭 ,  御友重吾 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H04B10/00 ,  H04B10/24

CPC classification number: H04B10/1149 ,  H04B10/116

Abstract: 一种光信息发送、照明设备(2)被安装在提供一个普遍使用的、现有类型照明设备以施加光的地方。该照明设备(2)包括用于施加光的照明光源(4)和用于发送光信息的信息发送单元(5)。可能接收来自该照明设备(2)的信息的用户具有移动终端(3)，该移动终端接收从该信息发送单元(5)发送的光信息。由于现有类型的照明设备在我们的生活空间中被普遍使用。因此，光信息发送、照明设备(2)可把使用现有类型照明设备的每个地方变换成光通信空间。