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公开(公告)号：CN1675809A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819204.7
申请日：2003-06-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/0207 , H01S5/0014 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/32341
Abstract: 一种GaN半导体发光器件，形成在GaN单晶衬底上且具有使电流泄漏更小的结构。该GaN半导体激光器件(50)包括设置在多层结构上的p侧和n侧电极，并具有与蓝宝石衬底上制造的传统GaN半导体激光器件相同的结构，除了用GaN单晶衬底(52)取代蓝宝石衬底且GaN化合物半导体层的多层结构直接形成在GaN单晶衬底(52)上而未形成GaN－ELO结构层之外。GaN单晶衬底(52)具有每个均具有10μm的宽度的连续带状核部分(52a)，核部分(52)之间的距离约400μm。激光带(30)、p侧电极(36)的金属焊垫(37)、以及n侧电极(38)设置在除核部分(52a)之外的区域上的多层结构上。金属焊垫(37)的侧边缘与核部分的边缘之间的水平距离Sp和n侧电极(38)与核部分(52a)的边缘之间的水平距离Sn都为95μm。
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公开(公告)号：CN100440656C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03819204.7
申请日：2003-06-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/0207 , H01S5/0014 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/32341
Abstract: 一种GaN半导体发光器件，形成在GaN单晶衬底上且具有使电流泄漏更小的结构。该GaN半导体激光器件(50)包括设置在多层结构上的p侧和n侧电极，并具有与蓝宝石衬底上制造的传统GaN半导体激光器件相同的结构，除了用GaN单晶衬底(52)取代蓝宝石衬底且GaN化合物半导体层的多层结构直接形成在GaN单晶衬底(52)上而未形成GaN-ELO结构层之外。GaN单晶衬底(52)具有每个均具有10μm的宽度的连续带状核部分(52a)，核部分(52)之间的距离约400μm。激光带(30)、p侧电极(36)的金属焊垫(37)、以及n侧电极(38)设置在除核部分(52a)之外的区域上的多层结构上。金属焊垫(37)的侧边缘与核部分的边缘之间的水平距离Sp和n侧电极(38)与核部分(52a)的边缘之间的水平距离Sn都为95μm。
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公开(公告)号：CN100376064C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN03801074.7
申请日：2003-06-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S5/4031
Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III-V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III-V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN1557042A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN03801074.7
申请日：2003-06-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S5/4031
Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III－V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III－V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。
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