公开(公告)号：CN105419668B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201510958356.0

申请日：2011-09-27

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金志浩 ,  卓种活 ,  黃珉珪 ,  宋基态

IPC: C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种用于半导体装置的粘合剂片和制造所述粘合剂片的方法。在所述粘合剂片中，离型元件具有未切割部分厚度和整个离型元件厚度的预定比例，切割部分之间的预定距离和40N/15mm至90N/15mm的剪切强度，从而防止片的破损并保持卷形稳定性。

公开(公告)号：CN103160220B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210548296.1

申请日：2012-12-17

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金惠珍 ,  崔裁源 ,  金志浩 ,  金振万 ,  宋珪锡

IPC: C09J7/00 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  H01L23/28

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08G59/504 ,  C08G59/56 ,  C08G59/621 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/50 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29391 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文公开了用于半导体的粘合剂膜，所述粘合剂膜同时包含胺类固化剂和酚类固化剂，并呈现优异的与孔隙特性和可靠性相关的性质。所述用于半导体的粘合剂膜呈现固化前的储能模量和80%固化后的储能模量之间的1.5至3.0的高变化比，在芯片贴附时具有挠性以防止孔隙的产生，在EMC模制时利于孔隙的去除以控制贴附界面的孔隙面积，并具有硬度以在固化后提供良好的芯片剪切强度和耐回流，从而确保高可靠性。本文还公开了半导体装置。

公开(公告)号：CN102142389B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201010610077.2

申请日：2010-12-22

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 朴白晟 ,  黄珉珪 ,  金志浩

IPC: H01L21/68 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T156/1092 ,  Y10T428/14 ,  Y10T428/1462 ,  Y10T428/2809 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种非UV型芯片模贴装膜和制造该芯片模贴装膜的方法。光固化粘结剂组合物的切割膜层被引入到将被贴装到晶圆上的贴装层。所述切割膜层包括与所述贴装层重叠的贴装层区域和具有在所述贴装层附近暴露的上表面的环形框架区域。对所述切割膜层的背面照射UV光以使作为自由基清除剂的氧气流引入所述环形框架区域的暴露上表面以抑制所述环形框架区域的光固化，同时引起所述氧气流被所述贴装层阻挡的所述贴装层区域的光固化。

公开(公告)号：CN102533147A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110331571.X

申请日：2011-10-27

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 黄珉珪 ,  金志浩 ,  宋基态

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/08 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L24/27 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J133/04 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/27001 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15788 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2817 ,  Y10T428/2826 ,  Y10T428/287 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 本发明公开了一种包括粘合层和与所述粘合层邻接的压敏粘结剂层的切割芯片粘合膜、半导体晶片和半导体装置，其中所述压敏粘结剂层在25℃下具有400至600kPa的储能模量和根据KS-A-01107标准测定的相对于所述粘合层的200至350mN/25mm的剥离强度。所述切割芯片粘合膜不包括UV工艺并在切割工艺中具有优异的加工性。