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公开(公告)号：CN106208802B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610767417.X
申请日：2016-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 一种柔性可拉伸的摩擦发电机，属于摩擦电纳米发电技术领域。包括柔性电极A和柔性电极B，所述柔性电极A和柔性电极B为柔性可拉伸绝缘材料与纳米导电颗粒形成的复合结构，柔性电极A和柔性电极B接触或不接触设置，当有外力作用在所述柔性电极A和/或柔性电极B上时，其带纳米导电颗粒的至少部分表面在外力的作用下会发生接触和分离，使柔性电极A和柔性电极B之间产生电信号。本发明摩擦发电机采用可拉伸绝缘材料和纳米导电颗粒形成柔性电极，使得纳米导电颗粒能在拉伸情况下保持良好的电信号输出能力，且在多次拉伸后具有稳定的电压输出，进而使得摩擦发电机具有良好的可拉伸性能，为适配人体的可穿戴设备以及大形变应用提供了更多的选择。
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公开(公告)号：CN106208802A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610767417.X
申请日：2016-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 一种柔性可拉伸的摩擦发电机，属于摩擦电纳米发电技术领域。包括柔性电极A和柔性电极B，所述柔性电极A和柔性电极B为柔性可拉伸绝缘材料与纳米导电颗粒形成的复合结构，柔性电极A和柔性电极B接触或不接触设置，当有外力作用在所述柔性电极A和/或柔性电极B上时，其带纳米导电颗粒的至少部分表面在外力的作用下会发生接触和分离，使柔性电极A和柔性电极B之间产生电信号。本发明摩擦发电机采用可拉伸绝缘材料和纳米导电颗粒形成柔性电极，使得纳米导电颗粒能在拉伸情况下保持良好的电信号输出能力，且在多次拉伸后具有稳定的电压输出，进而使得摩擦发电机具有良好的可拉伸性能，为适配人体的可穿戴设备以及大形变应用提供了更多的选择。
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公开(公告)号：CN1851039A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610020876.8
申请日：2006-05-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法，属于电子材料技术领域，涉及氧化物电极与PZT薄膜生长取向的薄膜电容的制备。首先采用激光蒸发沉积法在MgO(100)基片上沉积LNO底电极；然后采用射频磁控溅射法在LNO底电极薄膜上沉积PZT铁电薄膜；接着采用直流磁控溅射法在PZT铁电薄膜上沉积Pt上电极；最后对PZT薄膜进行快速晶化处理。本发明制备的PZT铁电薄膜材料中，LNO和PZT同为(110)取向，PZT剩余极化达23.5μC/cm2－35.8μC/cm2，矫顽场达76.3kV/cm－120kV/cm，电滞回线形状饱和；LNO底电极表面光滑，颗粒均匀；PZT薄膜介电常数达200－570，损耗为5％－45％，经过108次反转，饱和极化和剩余极化分别只下降6％和12％，抗疲劳特性高于Pt底电极的PZT薄膜，漏电流密度达10－9A数量级，可用于薄膜电容器、铁电存储器等。
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公开(公告)号：CN1811008A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510020247.0
申请日：2005-01-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种铁电材料锆钛酸铅纳米薄膜结晶取向生长的晶化方法，它是通过射频溅射在Pt/Ti/SiO2/Si的衬底上室温沉积得到非晶PZT薄膜，采用传统热处理和快速热处理两种晶化工艺相结合的方法在一定的氧气氛环境下使非晶薄膜结晶，通过控制升温速率，保温时间，气氛环境，可按要求得到不同取向生长的PZT多晶薄膜，采用本发明方法制备的铁电材料锆钛酸铅纳米薄膜具有表面平整致密、组分均匀，晶粒分布均匀等特点。其中(111)取向的锆钛酸铅纳米薄膜具有较高的剩余极化值，且矫顽电场较小，可用于铁电存储器的制造。
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公开(公告)号：CN119575524A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411711021.4
申请日：2024-11-27
Applicant: 电子科技大学 , 成都燎原星光电子有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于图形化纳米金阵列修饰的石墨烯等离激元偏振器及应用，属于光通信技术领域。本发明的石墨烯等离激元偏振器包括基底二氧化硅，光吸收层石墨烯，图形化的金纳米阵列和顶电极源漏电极。本发明嵌套的金纳米圆柱和金纳米圆环形成共振腔，利用表面等离子共振效应，对等离激元偏振器的吸收波段进行调控的，通过改变金纳米圆环和金纳米圆柱的相对位置改变共振腔的形状，形成了各个方向共振腔尺寸不同的纳米结构，使得本发明的等离激元偏振器对不同偏振光敏感。同时，金纳米阵列激发的局域表面等离激元效应增大了石墨烯表面电场，提高的石墨烯中电子空穴对的产生率，提升了等离激元偏振器的探测效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119555149A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411725389.6
申请日：2024-11-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01D21/02 , A61F13/0246 , H05K1/18 , H05K1/02 , H05K3/12
Abstract: 本发明涉及复合传感系统技术领域，具体涉及一种贴片式温湿度传感系统及其制备方法和应用。本发明提供的一种贴片式温湿度传感系统及其制备方法和应用，是采用丝网印刷的方式，将自制的温度传感油墨图案和湿度传感油墨同时印刷在FPCB电路板上，实现了贴片式温湿度传感器一体化设计。在温湿度油墨传感图案上，采用错层叠加方式且图案中的每层均由多个依次连接的几字形组成，获得了最大线性长度和更大比表面积；有利于提高温湿度传感器电阻变化的绝对值，提高检测灵敏度。本发明解决了传统湿度传感器存在的制备工艺复杂，且无法兼顾高稳定、高灵敏、小型化等问题。
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公开(公告)号：CN119208022A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411415952.X
申请日：2024-10-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种尺寸可调的氧化锌纳米阵列及其制备方法和应用，属于纳米阵列技术领域。该氧化锌纳米阵列包括导电薄膜和氧化锌纳米棒阵列簇；其中，氧化锌纳米棒直立生长于导电薄膜上，氧化锌纳米棒聚集生长形成阵列簇；阵列簇结构在导电薄膜上呈现大面积周期生长和周期性分布。本发明提出的氧化锌纳米棒阵列通过光刻模板实现。通过调整模板中预留孔洞的尺寸和图案在ITO电极表面获得具有不同尺寸或形状的氧化锌纳米阵列结构，从而应用于光电探测器、光催化剂、太阳能电池等不同应用领域。本发明的氧化锌纳米阵列结构具有制备方法简单、结构可控、均一性较优、稳定性较佳等优点，有利于推广应用。
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公开(公告)号：CN119203731A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411217254.9
申请日：2024-09-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G01K13/00 , G01K1/02 , G06N3/0464 , G06N3/096 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种变温工况下光机系统的波前像差预测方法，包括以下步骤：步骤1、建立光学系统实物模型与仿真模型；步骤2、用光学系统实物模型测量并标定仿真模型；步骤3、用仿真模型构建神经网络数据集；步骤4、训练神经网络模型：卷积神经网络包含输入层、卷积层、池化层、全连接层和输出层；利用步骤3得到的样本对卷积神经网络进行训练，当卷积神经网的损失函数收敛时，整个训练过程完成；步骤5、利用卷积神经网络预测系统波前像差。本发明利用温度传感器实时监测关键点温度，通过训练深度学习网络，对光机系统的面形性能进行实时预测，能够有效提高系统的误差补偿效率和精度。
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公开(公告)号：CN117241598A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311134204.X
申请日：2023-09-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于光电领域，具体为一种基于微纳结构的紫外/红外双波段可调谐探测器。其创新点在在于通过微纳结构实现了在紫外和红外两个波段均能进行探测，实现了双波段探测器小型化。主要的实现方案包括：通过将两种禁带宽度不同的材料结合在一起，从而实现双波段探测；通过改变铁电畴的剩余极化强度，即可实现石墨烯探测波段的可调谐性。相较于传统的光谱仪，此器件可同时实现两个波段的探测，这极大提高了应用场景和适用范围。
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公开(公告)号：CN111370523A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010183235.4
申请日：2020-03-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/10 , H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种基于图形化铁电畴的石墨烯太赫兹波可调谐探测器，包括基底：如半导体硅(Si)或氧化物钛酸锶(STO)、底电极：如镧锶锰氧(LSMO)、铁电材料：如铁酸铋(BFO)或掺铪的氧化锆(HfZrO)、以及上层的二维材料：如石墨烯。发明提出的光电探测器，利用铁电材料不同的极化方向引起二维材料电化学势的差异，通过设计铁电畴的形状，改变铁电畴的大小，利用表面等离子共振效应，得到了一种能对光电探测器吸收波段进行调控的、大面积的二维材料的光电探测器的结构。本发明的光电探测器具有结构简单、便于集成、可在室温下工作的优点，并且还可以通过在纳米尺度下简易且精确的改变铁电畴从而对传感器的响应波段进行调控。本发明提供的光电探测器可用于中远红外以及太赫兹波段。
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