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公开(公告)号：CN119956649A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510024604.8
申请日：2025-01-07
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
Abstract: 本发明属于智能检测领域，特别涉及一种路面病害线扫描式检测方法。主旨在于解决如何高效、准确地检测路面病害，以便及时发现并评估路面病害，提高道路寿命，降低维护成本，保障行车安全的问题。通过在载具前端固装扫描装置获取可表征路面形位信息的线阵点云数据，并据此设计了一种两步式扫描截面拟合信息的获取方法。进而依据坐标点偏离扫描截面拟合直线大小智能识别路面异常点。此外，通过固接在载具上的标识读取装置实时读取等间隔布置于路肩的标识，将待检路面划分为若干检测单元，实现分段式检测。通过对异常点的聚类和量化分析，有效评估各检测单元中的病害区域。最后，结合阈值判别法和基准模板比较法检测路面病害异常和前后变化。
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公开(公告)号：CN116310477A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211475875.8
申请日：2022-11-23
Applicant: 西安微电子技术研究所 , 西安电子科技大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/75 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/049 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开了一种基于S_ReLU脉冲神经网络的图像分类方法，主要解决现有技术模型的损失函数的收敛过程长且脉冲神经元发放率过低的问题。本发明分别构建了S_ReLU脉冲神经网络和S_ReLU人工神经网络，利用训练集训练S_ReLU人工神经网络得到可迁移权重文件，将该权重文件加载到S_ReLU脉冲神经网络中,利用加载可迁移权重文件后的S_ReLU脉冲神经网络对图像进行分类。本发明减少了训练模型的损失函数的收敛时间，提高人工神经网络中神经元的激活率和脉冲神经网络中脉冲神经元的脉冲发放率的匹配度，由此提高了脉冲神经网络进行图像分类的准确度。
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公开(公告)号：CN105095666B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510504441.X
申请日：2015-08-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种针对远程虚拟桌面中混合信号的分离方法，属于虚拟安全技术领域，其目的在于解决远程虚拟桌面中的混杂数据分离的问题，其分离效果与学习率无关，且能达到稳定收敛。该方法能够适应基于安全访问网关的虚拟机统一远程控制管理机制，实现远程桌面快速显示的目的。该方法包括盲信号处理，采用模型化的方法，进行混合信号X(t)与源信号S(t)的关系推理，得到源信号S(t)的近似表示Y(t)＝WX(t)；信息最大熵处理，对结果WX(t)采用量化方法，进行分离的信号之间的独立性度量，得到分离矩阵W的目标函数量子行为粒子群算法处理，对结果采用群体进化方法进行优化处理，得到W的结果，进而最终实现信号的分离。
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公开(公告)号：CN119935010A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510019701.8
申请日：2025-01-07
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
Abstract: 本发明涉及智能检测领域，提供了一种基于三维点云的隧道扫描式检测方法。该方法旨在解决现有隧道检测方法中存在的数据处理复杂度高、工作强度大、准确度低、检测效率低等问题。主要方案包括：使用常规四轮机动车作为载具，在载具后部安装标识读取装置和三个呈圆周阵列分布的扫描仪，形成激光扫描面，同步获取激光轮廓线上的致密点的三维坐标。检测步骤包括计算各点二项式残差识别异常点，通过读取装置实现分段式检测，并对异常点进行聚类和量化分析，以及采用阈值法和基准模板比较法检测隧道形貌和病害的异常和异变。本发明用于实现隧道内壁的高效、精准、全面检测，为隧道工程验收、内壁状态评估及日常维护提供重要支持。
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公开(公告)号：CN113707712B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110996238.4
申请日：2021-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提出一种高耐压硅基氮化镓功率半导体器件及其制作方法，旨在有效降低器件漏边缘的高峰电场并改善漏端下方衬底中分布不均匀的电场，提高氮化镓器件的耐压特性。在器件台面刻蚀的过程中，在漏端和源端同时形成一定深度的沟槽，在沟槽中通过填充高K介质材料，将漏端的高K介质与漏电极短接。在器件关断时，通过高K介质材料的反极化作用有效降低器件漏端的高峰电场，同时通过高K介质的电场调制作用有效改善器件的纵向电场分布，达到显著提升硅基AlGaN/GaN器件击穿电压的目的。相比传统的硅基AlGaN/GaN器件结构和采用肖特基‑欧姆混合接触漏极的硅基AlGaN/GaN器件结构，击穿电压分别提升了79.43％和46.81％，促进了硅基AlGaN/GaN器件在高耐压功率集成电路中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105095666A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510504441.X
申请日：2015-08-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种针对远程虚拟桌面中混合信号的分离方法，属于虚拟安全技术领域，其目的在于解决远程虚拟桌面中的混杂数据分离的问题，其分离效果与学习率无关，且能达到稳定收敛。该方法能够适应基于安全访问网关的虚拟机统一远程控制管理机制，实现远程桌面快速显示的目的。该方法包括盲信号处理，采用模型化的方法，进行混合信号X(t)与源信号S(t)的关系推理，得到源信号S(t)的近似表示Y(t)＝WX(t)；信息最大熵处理，对结果WX(t)采用量化方法，进行分离的信号之间的独立性度量，得到分离矩阵W的目标函数量子行为粒子群算法处理，对结果采用群体进化方法进行优化处理，得到W的结果，进而最终实现信号的分离。
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公开(公告)号：CN102565596B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210026786.5
申请日：2012-02-08
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种用于电子元器件的温度应力极限评估方法，包括如下步骤：对样本进行筛选；对样本进行初始电测试，各项指标参数应当满足详细规范；对样本分为两组：控制组和测试组；控制组用于与测试组进行对比。当对测试组的样品进行电测试的时候，控制组的样品也需要进行电测试。对测试组样品施加步进温度应力，进行温度应力极限评估试验；数据分析并得出结论。本发明的有益效果是：采用温度步进方式进行极限评估试验，得到的器件极限能力更逼近真实值。可以暴露元器件有效失效模式，以便改进器件设计。给出了方法探测元器件承受应力的限度和范围，满足更高的宇航元器件可靠性要求。掌握元器件实际能力与规范描述之间的裕度，保证了选用元器件的高可靠性。
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公开(公告)号：CN114998362B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210676102.X
申请日：2022-06-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06T7/10 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/09
Abstract: 本发明提出了一种基于双分割模型的医学图像分割方法，用于解决现有技术中存在的对含有噪声标签的图像分割精度低的问题。实现步骤为：获取训练样本集和测试样本集；构建基于双分割模型的医学图像分割网络模型；对基于双分割模型的医学图像分割网络模型进行迭代训练；获取医学图像的分割结果。本发明在网络迭代过程中，两个网络在筛选的可靠像素的样本集上跨模型学习，更充分地探索训练样本集，使得网络对噪声标签具有更强的鲁棒性，更好的学习前景与背景分割边界的像素，加强模型的边界定位能力，提高图像分割的精度。
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公开(公告)号：CN114998362A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210676102.X
申请日：2022-06-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于双分割模型的医学图像分割方法，用于解决现有技术中存在的对含有噪声标签的图像分割精度低的问题。实现步骤为：获取训练样本集和测试样本集；构建基于双分割模型的医学图像分割网络模型；对基于双分割模型的医学图像分割网络模型进行迭代训练；获取医学图像的分割结果。本发明在网络迭代过程中，两个网络在筛选的可靠像素的样本集上跨模型学习，更充分地探索训练样本集，使得网络对噪声标签具有更强的鲁棒性，更好的学习前景与背景分割边界的像素，加强模型的边界定位能力，提高图像分割的精度。
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公开(公告)号：CN113707712A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110996238.4
申请日：2021-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提出一种高耐压硅基氮化镓功率半导体器件及其制作方法，旨在有效降低器件漏边缘的高峰电场并改善漏端下方衬底中分布不均匀的电场，提高氮化镓器件的耐压特性。在器件台面刻蚀的过程中，在漏端和源端同时形成一定深度的沟槽，在沟槽中通过填充高K介质材料，将漏端的高K介质与漏电极短接。在器件关断时，通过高K介质材料的反极化作用有效降低器件漏端的高峰电场，同时通过高K介质的电场调制作用有效改善器件的纵向电场分布，达到显著提升硅基AlGaN/GaN器件击穿电压的目的。相比传统的硅基AlGaN/GaN器件结构和采用肖特基‑欧姆混合接触漏极的硅基AlGaN/GaN器件结构，击穿电压分别提升了79.43％和46.81％，促进了硅基AlGaN/GaN器件在高耐压功率集成电路中的应用。
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