公开(公告)号：CN116310477A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211475875.8

申请日：2022-11-23

Applicant: 西安微电子技术研究所 ,  西安电子科技大学

Inventor： 马钟 ,  曹震 ,  李申 ,  张洪伟 ,  马钏烽 ,  张紫艺 ,  侯彪

IPC: G06V10/764 ,  G06V10/774 ,  G06V10/82 ,  G06V10/75 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/048 ,  G06N3/049 ,  G06N3/084

Abstract: 本发明公开了一种基于S_ReLU脉冲神经网络的图像分类方法，主要解决现有技术模型的损失函数的收敛过程长且脉冲神经元发放率过低的问题。本发明分别构建了S_ReLU脉冲神经网络和S_ReLU人工神经网络，利用训练集训练S_ReLU人工神经网络得到可迁移权重文件，将该权重文件加载到S_ReLU脉冲神经网络中,利用加载可迁移权重文件后的S_ReLU脉冲神经网络对图像进行分类。本发明减少了训练模型的损失函数的收敛时间，提高人工神经网络中神经元的激活率和脉冲神经网络中脉冲神经元的脉冲发放率的匹配度，由此提高了脉冲神经网络进行图像分类的准确度。

公开(公告)号：CN113707712B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202110996238.4

申请日：2021-08-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 曹震 ,  张洪伟 ,  王倩 ,  焦李成

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提出一种高耐压硅基氮化镓功率半导体器件及其制作方法，旨在有效降低器件漏边缘的高峰电场并改善漏端下方衬底中分布不均匀的电场，提高氮化镓器件的耐压特性。在器件台面刻蚀的过程中，在漏端和源端同时形成一定深度的沟槽，在沟槽中通过填充高K介质材料，将漏端的高K介质与漏电极短接。在器件关断时，通过高K介质材料的反极化作用有效降低器件漏端的高峰电场，同时通过高K介质的电场调制作用有效改善器件的纵向电场分布，达到显著提升硅基AlGaN/GaN器件击穿电压的目的。相比传统的硅基AlGaN/GaN器件结构和采用肖特基‑欧姆混合接触漏极的硅基AlGaN/GaN器件结构，击穿电压分别提升了79.43％和46.81％，促进了硅基AlGaN/GaN器件在高耐压功率集成电路中的应用。

公开(公告)号：CN114998362B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202210676102.X

申请日：2022-06-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 曹震 ,  王倩 ,  张洪伟 ,  马钏烽 ,  孙琦 ,  侯彪 ,  焦李成

IPC: G06T7/10 ,  G06V10/774 ,  G06V10/82 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/048 ,  G06N3/09

Abstract: 本发明提出了一种基于双分割模型的医学图像分割方法，用于解决现有技术中存在的对含有噪声标签的图像分割精度低的问题。实现步骤为：获取训练样本集和测试样本集；构建基于双分割模型的医学图像分割网络模型；对基于双分割模型的医学图像分割网络模型进行迭代训练；获取医学图像的分割结果。本发明在网络迭代过程中，两个网络在筛选的可靠像素的样本集上跨模型学习，更充分地探索训练样本集，使得网络对噪声标签具有更强的鲁棒性，更好的学习前景与背景分割边界的像素，加强模型的边界定位能力，提高图像分割的精度。

公开(公告)号：CN114998362A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210676102.X

申请日：2022-06-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 曹震 ,  王倩 ,  张洪伟 ,  马钏烽 ,  孙琦 ,  侯彪 ,  焦李成

IPC: G06T7/10 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明提出了一种基于双分割模型的医学图像分割方法，用于解决现有技术中存在的对含有噪声标签的图像分割精度低的问题。实现步骤为：获取训练样本集和测试样本集；构建基于双分割模型的医学图像分割网络模型；对基于双分割模型的医学图像分割网络模型进行迭代训练；获取医学图像的分割结果。本发明在网络迭代过程中，两个网络在筛选的可靠像素的样本集上跨模型学习，更充分地探索训练样本集，使得网络对噪声标签具有更强的鲁棒性，更好的学习前景与背景分割边界的像素，加强模型的边界定位能力，提高图像分割的精度。

公开(公告)号：CN113707712A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110996238.4

申请日：2021-08-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 曹震 ,  张洪伟 ,  王倩 ,  焦李成

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提出一种高耐压硅基氮化镓功率半导体器件及其制作方法，旨在有效降低器件漏边缘的高峰电场并改善漏端下方衬底中分布不均匀的电场，提高氮化镓器件的耐压特性。在器件台面刻蚀的过程中，在漏端和源端同时形成一定深度的沟槽，在沟槽中通过填充高K介质材料，将漏端的高K介质与漏电极短接。在器件关断时，通过高K介质材料的反极化作用有效降低器件漏端的高峰电场，同时通过高K介质的电场调制作用有效改善器件的纵向电场分布，达到显著提升硅基AlGaN/GaN器件击穿电压的目的。相比传统的硅基AlGaN/GaN器件结构和采用肖特基‑欧姆混合接触漏极的硅基AlGaN/GaN器件结构，击穿电压分别提升了79.43％和46.81％，促进了硅基AlGaN/GaN器件在高耐压功率集成电路中的应用。