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公开(公告)号:CN110537256B
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN201880026676.4
申请日:2018-04-24
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/48
Abstract: 提供耐热循环特性优异的陶瓷电路基板及功率组件。一种陶瓷电路基板,借助含有Ag、Cu以及活性金属的焊料使得陶瓷基板与铜板接合而成,其中,接合空隙率为1.0%以下,作为焊料成分的Ag的扩散距离为5μm~20μm。一种陶瓷电路基板的制造方法,其特征在于,趋向接合温度的升温过程中的400℃~700℃的温度范围内的加热时间为5分钟~30分钟,以720℃~800℃的接合温度保持5分钟~30分钟而进行接合。
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公开(公告)号:CN114667806B
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202080078881.2
申请日:2020-11-13
Applicant: 电化株式会社
IPC: H05K1/02 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B35/64 , H05K1/03 , H05K3/00
Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板,在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下,由前述一对对角线划分出的4个区域中,隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置,另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置,前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。
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公开(公告)号:CN114982388A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202180009751.8
申请日:2021-01-22
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明的陶瓷‑铜复合体(100)为具备陶瓷层(1)、铜层(2)、和钎料层(3)的平板状的陶瓷‑铜复合体(100),所述钎料层(3)存在于陶瓷层(1)与铜层(2)之间且包含Sn或In、和Ag,在钎料层(3)的铜层(2)侧形成有凹凸部,在至少一个凸部(6)内,多个富Cu相(4)以彼此隔开间隔的状态存在。
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公开(公告)号:CN114929650A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202180008663.6
申请日:2021-03-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明提供电路基板,其为陶瓷基板与金属电路板隔着包含银的钎料层接合的电路基板,其中,通过EBSP法求出的上述钎料层中的银部的KAM值的平均值为0.55°以下。本发明提供接合体,其为陶瓷基板与金属板隔着包含银的钎料层接合的接合体,其中,通过EBSP法求出的钎料层中的银部的KAM值的平均值为0.55°以下。
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公开(公告)号:CN114667806A
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202080078881.2
申请日:2020-11-13
Applicant: 电化株式会社
IPC: H05K1/02 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B35/64 , H05K1/03 , H05K3/00
Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板,在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下,由前述一对对角线划分出的4个区域中,隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置,另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置,前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。
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公开(公告)号:CN110691762B
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN201880036114.8
申请日:2018-05-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 提供一种耐热循环特性优异的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板,其特征在于,在陶瓷基板的至少一个主面介由接合钎料接合有金属板,以金属成分计,相对于Ag93.0~99.4质量份、Cu0.1~5.0质量份、Sn0.5~2.0质量份的合计100质量份,上述接合钎料含有0.5~4.0质量份的选自钛、锆、铪、铌中的至少1种活性金属,陶瓷基板与金属板之间的接合钎料层组织中的富Cu相的平均尺寸为3.5μm以下,个数密度为0.015个/μm2以上。一种陶瓷电路基板的制造方法,其包含:在接合温度855~900℃、保持时间10~60分钟的条件下进行接合。
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公开(公告)号:CN114375495A
公开(公告)日:2022-04-19
申请号:CN202080063702.8
申请日:2020-09-15
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/13 , H01L23/15 , H05K1/02
Abstract: 电路基板具备:陶瓷基板10;接合于陶瓷基板10的一个或多个电路板20;和在至少一个电路板20的表面上的阻焊剂30。沿同在上述表面上设置有阻焊剂30的电路板20与陶瓷基板10的接合面20a正交的截面观察时,电路板20的电路端25与阻焊剂30的内侧端部30A的沿接合面20a的距离L1为1.0mm以上。
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公开(公告)号:CN113165986A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN201980075826.5
申请日:2019-11-22
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 平板状陶瓷‑铜复合体,其具备陶瓷层、铜层、和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层。其中,将该陶瓷‑铜复合体沿着垂直于其主面的面切断且将此时的切断面中的长边方向的长度为1700μm的区域设为区域P时,至少一部分存在于区域P1中的铜晶体的平均晶体粒径D1为30μm以上100μm以下,所述区域P1为区域P中的、从陶瓷层与钎料层的界面起在铜层侧的50μm以内的区域。
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公开(公告)号:CN106537580B
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN201580039392.5
申请日:2015-07-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明的课题在于获得对超声波接合具有优异的耐裂纹性的陶瓷电路基板。本发明通过下述陶瓷电路基板解决上述课题,所述陶瓷电路基板的特征在于,在陶瓷基板的一面接合有金属电路板、在另一面接合有金属散热板,金属电路板的结晶粒径为20μm以上且70μm以下。该陶瓷电路基板可以如下制造:分别在陶瓷基板的一面配置金属电路板、在另一面配置金属散热板,以真空度为1×10‑3Pa以下、接合温度为780℃以上且850℃以下、保持时间为10分钟以上且60分钟以下进行接合,从而制造。
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