公开(公告)号：CN103911526A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310565799.4

申请日：2013-11-14

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 ,  市川司

IPC: C22C21/00 ,  H01L23/49

CPC classification number: H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明改进功率半导体用铝合金接合线的芯片裂纹和热冲击试验特性。本发明涉及一种铝合金细线，其中，包括0.01～0.2质量％的铁(Fe)1～20质量ppm的硅(Si)及剩余部分(纯度在99.997质量％以上的铝(Al)合金)，其中：Fe的固溶量为0.01～0.6％，Fe的析出量是Fe的固溶量的7倍以下，而且由平均晶体粒径为6～12μm的微细组织构成。本发明能够减少AlFe化合物的析出，改进热冲击试验特性。

公开(公告)号：CN113748493B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN201980091220.0

申请日：2019-07-04

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 ,  安德优希 ,  桑原岳 ,  市川司 ,  松泽修 ,  陈炜

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明实施方式的Pd覆盖Cu接合线具有1.0～4.0质量％的Pd、及合计为50质量ppm以下的S族元素(5.0～12.0质量ppm的S、5.0～20.0质量ppm的Se、或15.0～50质量ppm的Te)。该引线截面的晶体面中的 取向比率为15％以上，并且 取向比率为50％以下。在该引线上形成无空气球而对前端部分进行分析时，在其表面观测到Pd富集区域。

公开(公告)号：CN113748493A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201980091220.0

申请日：2019-07-04

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 ,  安德优希 ,  桑原岳 ,  市川司 ,  松泽修 ,  陈炜

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明实施方式的Pd覆盖Cu接合线具有1.0～4.0质量％的Pd、及合计为50质量ppm以下的S族元素(5.0～12.0质量ppm的S、5.0～20.0质量ppm的Se、或15.0～50质量ppm的Te)。该引线截面的晶体面中的 取向比率为15％以上，并且 取向比率为50％以下。在该引线上形成无空气球而对前端部分进行分析时，在其表面观测到Pd富集区域。

公开(公告)号：CN113646450A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080012102.9

申请日：2020-02-06

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 ,  安德优希 ,  桑原岳 ,  市川司

IPC: C22C9/00 ,  C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  C22C21/12 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供钯覆盖铜接合线、其接合结构、半导体装置及半导体装置的制造方法，所述钯覆盖铜接合线在第一接合时不产生缩孔，接合可靠性高，即使是在高温、高湿的环境中也能够长时间稳定地维持优异的接合可靠性。一种引线接合结构，其中，接合线是具有铜芯材和Pd层、且含有硫族元素的Pd覆盖铜接合线，相对于铜与Pd与硫族元素的合计，Pd的浓度为1.0质量％～4.0质量％，硫族元素浓度合计为50质量ppm以下，S浓度为5质量ppm～2质量ppm、或Se浓度为5质量ppm～20质量ppm或Te浓度为15质量ppm～50质量ppm以下，在半导体芯片的含有Al的电极与球接合部的接合面附近，具有Pd浓度相对于Al与铜与Pd的合计成为2.0质量％以上的Pd富集接合区域。

公开(公告)号：CN103283009A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201280002217.5

申请日：2012-10-18

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 三上道孝 ,  合濑昌章 ,  中岛伸一郎 ,  三村利孝 ,  弥永幸弘 ,  市川司 ,  高田晃

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

Abstract: 通过制备使其截面组织成为双重组织的高纯度铜细线，铜细线的机械强度增加，并因此提供亚毫米直径的高纯度铜细线，其最适用于在短时间内反复进行多次开/关操作的高温功率半导体。本发明涉及具有氧化物膜并且由纯度为99.999至99.99994质量％的铜制成的高纯度铜细线；该铜细线具有这样的截面组织，其中，10颗最大的晶粒共同地具有占截面组织总面积的5-25％的晶粒面积，且此晶粒面积的80％以上在相对于表面层的内侧，所述表面层被定义为具有细线直径的1/20以下的厚度；该高纯铜细线通过连续拉拔制成，并用于连接半导体装置。

公开(公告)号：CN103276255A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310195539.2

申请日：2013-05-23

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 ,  三上道孝 ,  中岛伸一郎 ,  市川司

IPC: C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  H01B1/02 ,  H01B5/02

CPC classification number: H01L2224/43 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种用于连接至半导体装置的铝合金线。目标是提高Al合金接合线的耐热冲击性并且还防止芯片破裂。该线含有0.2-2.0质量％的铁(Fe)和纯度为99.99质量％以上的余量的铝，其中铁以0.01-0.05％溶解在铝基体中，并且如在所述铝合金线的横截面上观察的，所述拉伸后的基体组织具有数微米量级的均匀的微细再结晶图案，并且Fe-Al金属间化合物粒子在边界和所述微细再结晶组织的内部均匀地结晶。对高度变形的Al进行固溶热处理以便将Fe溶解至大约其固溶度极限，并且上述组织通过调质热处理获得。在超声波线接合的过程中，所述线变形并且经历动态再结晶，并且因此将其在不经历加工硬化的情况下压力接合。