公开(公告)号：CN101325240A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810099857.8

申请日：2008-05-30

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 秋山守人 ,  蒲原敏浩 ,  上野直广 ,  加纳一彦 ,  勅使河原明彦 ,  竹内幸裕 ,  川原伸章

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/08 ,  H01L41/22 ,  H03H9/17 ,  H03H9/54

Abstract: 本发明涉及一种压电体薄膜、压电体及其制造方法、使用该压电体薄膜的压电体谐振子、执行器元件以及物理传感器。其中，压电体薄膜包括含有钪的氮化铝薄膜，氮化铝薄膜中的钪的含有率在钪的原子数和铝的原子数的总量设定为100原子％时为0.5～50原子％。由此，本发明的压电体薄膜不会失去氮化铝薄膜所具有的弹性波的传播速度、Q值以及频率温度系数等特性，从而能提高压电响应性。

公开(公告)号：CN101322258A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200480002472.5

申请日：2004-01-21

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秋山守人 ,  上野直广 ,  立山博 ,  桑野范之

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/316

Abstract: 本发明在石英玻璃基板或不锈钢基板上形成下部电极。在下部电极上用溅射法通过制作薄膜状氮化铝和/或氧化锌，形成压电体薄膜，使其偶极子取向度在55％以上。然后，在压电体薄膜上形成上部电极。压电元件的压电层由氮化铝和/或氧化锌构成。具有晶体结构的氮化铝或氧化锌由于其晶体结构不存在对称性，故原来就具备压电性，并且像铁电体那样不存在居里温度，即使在高温下也不产生磁位错，故直至晶体熔解或升华，都不会失去压电性。

公开(公告)号：CN102474234A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080028605.1

申请日：2010-06-30

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 秋山守人 ,  加纳一彦 ,  敕使河原明彦

IPC: H03H3/02 ,  C23C14/06 ,  H03H9/17

CPC classification number: H03H3/02 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/0641 ,  H01L41/316 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明的具备含钪的氮化铝薄膜的压电体薄膜的制造方法包含在至少含有氮气的环境下用钪和铝进行溅射的溅射工序。在本发明的制造方法的溅射工序中，在基板温度为5℃～450℃的范围下，以使钪含有率处于0.5原子％～50原子％的范围内的形式，进行溅射。

公开(公告)号：CN101325240B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200810099857.8

申请日：2008-05-30

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 秋山守人 ,  蒲原敏浩 ,  上野直广 ,  加纳一彦 ,  勅使河原明彦 ,  竹内幸裕 ,  川原伸章

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/08 ,  H01L41/22 ,  H03H9/17 ,  H03H9/54

Abstract: 本发明涉及一种压电体薄膜、压电体及其制造方法、使用该压电体薄膜的压电体谐振子、执行器元件以及物理传感器。其中，压电体薄膜包括含有钪的氮化铝薄膜，氮化铝薄膜中的钪的含有率在钪的原子数和铝的原子数的总量设定为100原子％时为0.5～50原子％。由此，本发明的压电体薄膜不会失去氮化铝薄膜所具有的弹性波的传播速度、Q值以及频率温度系数等特性，从而能提高压电响应性。