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公开(公告)号：CN113140671B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202011359539.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种用垂直自旋极化的自旋流来无磁场辅助翻转磁矩的器件及其制备方法。它由下至上依次包括基片、强自旋轨道耦合层和磁化层；强自旋轨道耦合层包括如下材料中的至少一种制成：重金属材料、拓扑绝缘体材料、兼具亚晶格中心反演对称性破缺和全局中心反演对称性的反铁磁材料；磁化层包括具有垂直易磁化的材料和/或具有面内易磁化轴的材料制成。它的制备方法，包括如下步骤：在基片上依次沉积强自旋轨道耦合层和磁化层即得。本发明器件常规的平行于自旋极化方向的自旋流使垂直易磁化和沿面内x方向易磁化的器件在无磁场辅助下实现磁矩的180°翻转，并可通过改变强自旋轨道耦合层的反铁磁磁矩的方向来调控垂直自旋极化的自旋流的大小。
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公开(公告)号：CN118206149A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410189536.6
申请日：2024-02-20
Applicant: 清华大学
IPC: C01F17/218 , C01F17/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请公开了一种管状纳米氧化钇及其制备方法、应用，所述方法包括，将钇盐溶解至去离子水中，配置形成钇溶液；在低温条件下，调整所述钇溶液的PH至6.7～8后，进行搅拌得到白色胶状悬浮液；对白色胶状悬浮液进行过滤，得到过滤物；将所述过滤物进行水热反应得到氧化钇前驱体；对所述氧化钇前驱体进行处理得到管状结构的纳米氧化钇。本申请的制备方法无需添加额外的有机溶剂、模板剂或表面活性剂，具有工艺简单、成本低、能耗低和产物纯度高无杂质污染等优点，适合推广使用；制备的管状结构的纳米氧化钇可以广泛使用在催化反应、复合材料制备、分子内连接反应、生物成像技术、x射线成像技术、场发射技术、波导技术和电致发光显示等领域中。
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公开(公告)号：CN118206148A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410189535.1
申请日：2024-02-20
Applicant: 清华大学
IPC: C01F17/218 , C01F17/10
Abstract: 本申请公开了一种氧化钇颗粒团簇及其制备方法，所述方法包括，将钇盐溶解于去离子水和表面活性剂的混合溶液中，形成溶液A；把矿化剂溶解于去离子水中，形成溶液B；将所述溶液B与所述溶液A混合，并用碱液调整pH，直至形成白色胶状悬浮液；将所述白色胶状悬浮液进行水热反应得到氧化钇前驱体；对所述氧化钇前驱体进行处理，获得氧化钇颗粒团簇。本申请采用水热法制备氧化钇颗粒团簇，水热反应以水作为溶剂，因而反应物溶于水中形成的溶液比较均一稳定，致使形成的纳米颗粒粒径分布均匀，分散性好，不容易团聚，为实现氧化钇材料的实用化提供可行性；此外，本申请的制备方法具有可操作性强、成本低工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN115762956A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211390203.7
申请日：2022-11-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件及其制备方法和发射方法。本发明太赫兹波发射器件包括依次层叠的衬底层、反铁磁层和垂直易磁化层；所述衬底层的材质与所述反铁磁层中的反铁磁晶格常数相匹配；所述反铁磁层的材质为锰金合金Mn2Au或者铜锰砷CuMnAs；所述垂直易磁化层的材质为钴铂多层膜或者钴钯多层膜。本发明太赫兹波发射器，利用垂直结构铁磁层在飞秒激光的激发下，其自旋流极化方向沿外面外磁场方向极化，该自旋流从铁磁层注入反铁磁层，通过反铁磁奈尔矢量使得自旋流极化方向发生偏转；由于反铁磁亚晶格具有局域空间反演对称性破缺，该电荷流在两个相邻的亚晶格上正好可以叠加而实现太赫兹波信号的发射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104009155B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410264504.4
申请日：2014-06-13
Applicant: 清华大学
IPC: H01L43/14
Abstract: 本发明涉及一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法，其包括以下步骤：采用磁控溅射方法在YIG基片上生长纳米厚度的Pt薄膜，采用紫外线光刻和氩离子刻蚀方法将Pt薄膜加工成“艹”字形霍尔结；在“艹”字形霍尔结的纵向外加正弦电流；在“艹”字形霍尔结横向即平行于霍尔结表面且垂直于所加正弦电流的方向外加偏置磁场；利用外加的正弦电流和偏置磁场共同调节YIG基片的磁化强度，并利用自旋霍尔磁电阻效应调节Pt薄膜的电阻，生成忆阻器。本发明直接将电荷量与磁通量用忆阻系数相联系，避免了阻变随机存储器不涉及磁效应的问题。本发明可以广泛应用于忆阻器的设计中。
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公开(公告)号：CN119181717A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310748368.5
申请日：2023-06-21
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种具有超陡亚阈值摆幅的反铁电晶体管及其制备方法与应用。本发明提供的反铁电晶体管，包括自下而上的衬底、底栅、栅极绝缘层、半导体沟道层和源漏电极；其中所述栅极绝缘层由下层反铁电层和上层介电层组成。本发明通过反铁电和介电或铁电的堆垛结构极大地提升了晶体管的栅电容，减小了晶体管的亚阈值摆幅，获得了小于60mV/dec的亚阈值摆幅，对实现晶体管的低功耗操作具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118783918A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410786009.3
申请日：2024-06-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开涉及一种高频声表面波器件和电子设备，所述高频声表面波器件包括由下至上依次设置的衬底、介质层、压电层和电极层，所述衬底采用M面蓝宝石、R面蓝宝石、C面蓝宝石和A面蓝宝石的任一种形成，所述压电层为X‑Y切铌酸锂单晶薄膜，其中，所述介质层、所述压电层及所述电极层的厚度均小于所述高频声表面波器件的声表面波波长λ。本公开实施例提供的高频声表面波器件可以在波长1um下主模频率达到5GHz，机电耦合系数可达19％以上，且满足5G通讯中的高频率、大带宽、低串扰要求，符合声表面波器件集成化的发展趋势。
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公开(公告)号：CN109065710B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201810826106.5
申请日：2018-07-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于多层氧化物薄膜的选通器器件结构及其制备方法与应用。它的结构由下至上依次包括衬底、底电极、选通功能层和顶电极；所述选通功能层包括多层氧化物薄膜。它的制备方法，包括如下步骤：通过在所述衬底上光刻出所述选通器的图形；在上述光刻后衬底上依次沉积所述底电极、所述选通功能层和所述顶电极，即得到所述选通器。本发明选通器高选择性(或开关比)、低阈值电压、快响应速度、高寿命、高均一性，电学各项性能指标优异；其利用简单的磁控溅射制备。
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公开(公告)号：CN106469754B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201510514698.3
申请日：2015-08-20
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/772 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种轨道开关及其制备方法与应用。其由铁电层和沟道层构成，铁电层和沟道层均为过渡金属的钙钛矿氧化物，并且相互接触。轨道开关有半个原子层铁电材料和半个原子层沟道材料构成，可实现对场效应晶体管等电子元器件的原子尺度调控。同时，还提供了一种场效应晶体管，包括基片、所述轨道开关、栅极、侧电极和门电极。运用紫外曝光技术、氩离子刻蚀或湿法刻蚀和电子束蒸镀等即可制备得到。该场效应晶体管中含有铁电极化控制的轨道开关，可调节场效应晶体管中的电场强度，达到开关的作用。栅极为离子液体，介电性好，器件制备工艺简单，可重复性好。可用于信息存储和传感器件。
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