公开(公告)号：CN104009155A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410264504.4

申请日：2014-06-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 宋成 ,  憨家豪 ,  潘峰

IPC: H01L43/14

Abstract: 本发明涉及一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法，其包括以下步骤：采用磁控溅射方法在YIG基片上生长纳米厚度的Pt薄膜，采用紫外线光刻和氩离子刻蚀方法将Pt薄膜加工成“艹”字形霍尔结；在“艹”字形霍尔结的纵向外加正弦电流；在“艹”字形霍尔结横向即平行于霍尔结表面且垂直于所加正弦电流的方向外加偏置磁场；利用外加的正弦电流和偏置磁场共同调节YIG基片的磁化强度，并利用自旋霍尔磁电阻效应调节Pt薄膜的电阻，生成忆阻器。本发明直接将电荷量与磁通量用忆阻系数相联系，避免了阻变随机存储器不涉及磁效应的问题。本发明可以广泛应用于忆阻器的设计中。

公开(公告)号：CN104009155B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410264504.4

申请日：2014-06-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 宋成 ,  憨家豪 ,  潘峰

IPC: H01L43/14

Abstract: 本发明涉及一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法，其包括以下步骤：采用磁控溅射方法在YIG基片上生长纳米厚度的Pt薄膜，采用紫外线光刻和氩离子刻蚀方法将Pt薄膜加工成“艹”字形霍尔结；在“艹”字形霍尔结的纵向外加正弦电流；在“艹”字形霍尔结横向即平行于霍尔结表面且垂直于所加正弦电流的方向外加偏置磁场；利用外加的正弦电流和偏置磁场共同调节YIG基片的磁化强度，并利用自旋霍尔磁电阻效应调节Pt薄膜的电阻，生成忆阻器。本发明直接将电荷量与磁通量用忆阻系数相联系，避免了阻变随机存储器不涉及磁效应的问题。本发明可以广泛应用于忆阻器的设计中。