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发明公开
高频声表面波器件和电子设备审中-实审

公开(公告)号：CN118783918A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410786009.3

申请日：2024-06-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 潘峰 , 肖博远 , 宋成 , 徐惠平 , 刘培森 , 周鑫辰

IPC: H03H9/25 , H03H9/145

Abstract: 本公开涉及一种高频声表面波器件和电子设备，所述高频声表面波器件包括由下至上依次设置的衬底、介质层、压电层和电极层，所述衬底采用M面蓝宝石、R面蓝宝石、C面蓝宝石和A面蓝宝石的任一种形成，所述压电层为X‑Y切铌酸锂单晶薄膜，其中，所述介质层、所述压电层及所述电极层的厚度均小于所述高频声表面波器件的声表面波波长λ。本公开实施例提供的高频声表面波器件可以在波长1um下主模频率达到5GHz，机电耦合系数可达19％以上，且满足5G通讯中的高频率、大带宽、低串扰要求，符合声表面波器件集成化的发展趋势。

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