图像生成装置
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102985866A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201180030903.9

    申请日:2011-06-17

    Inventor: 寺田浩敏

    CPC classification number: H04N7/18 G02B21/36

    Abstract: 图像生成装置(1)是生成被测定物(A)的图像的图像生成装置,包含:激光光源(3),其射出激光;激光输出控制部(11),其调制激光的强度;激光扫描仪(5),其扫描激光的向被测定物(A)的照射位置;调制图案控制部(15),其以对被测定物(A)照射多个空间调制图案的照明光的方式控制激光输出控制部(11)和激光扫描仪(5);摄像装置(7),其对对应于多个空间调制图案的照明光的照射而从被测定物(A)发出的观察光进行摄像,从而获得多个图案图像;及图像数据运算部(19),其使用由摄像装置(7)取得的多个图案图像,生成被测定物(A)的高分辨率图像。

    使用吸附固浸透镜的吸附器的半导体器件的观察方法

    公开(公告)号:CN102947922A

    公开(公告)日:2013-02-27

    申请号:CN201180031209.9

    申请日:2011-06-21

    Abstract: 本发明的吸附器(10)包含:主体部,其具有配置形成有半导体器件(D)的半导体晶圆(W)的第1面(13)、及与第1面(13)为相反侧的面的第2面(14),且形成有贯通第1面(13)与第2面(14)的贯通孔(15);以及透光部,其具有供来自半导体器件(D)的光入射的光入射面(16)、及供自光入射面(16)入射的光出射的光出射面(17),且嵌合于贯通孔(15)。而且,在第1面(13)上形成有用于将半导体晶圆(W)真空吸附而将半导体器件(D)固定于光入射面(16)的第1吸附槽(13a),在第2面(14)上形成有用于将固浸透镜(S)真空吸附而固定于光出射面(17)的第2吸附槽(14a)。

    显微镜和试料观察方法
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100388043C

    公开(公告)日:2008-05-14

    申请号:CN200580001606.6

    申请日:2005-02-25

    CPC classification number: G02B21/0016 G02B21/33 Y10S359/90

    Abstract: 本发明的显微镜和试料观察方法,对于检查对象的半导体器件S,设置:图像取得部(1)、包含物镜(20)的光学系统(2)、和可在包含从半导体器件(S)向物镜20的光轴的插入位置与偏离光轴的待机位置之间移动的固态浸没透镜(SIL3)。而且,以两种控制模式进行观察;第一模式,将(SIL3)配置在待机位置,根据半导体器件(S)的基板的折射率(n0)和厚度(t0)修正焦点和像差;第二模式,将(SIL3)配置在插入位置,根据基板的折射率(n0)、厚度(t0)、(SIL3)的折射率(n1)、厚度(d1)和曲率半径(R1),修正焦点和像差。由此,可获得易于对半导体器件的微细构造进行解析等必要的试料观察的显微镜和试料观察方法。

    激光束检查装置
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1739034A

    公开(公告)日:2006-02-22

    申请号:CN200480002466.X

    申请日:2004-01-16

    CPC classification number: G01R31/311

    Abstract: 本发明涉及一种利用激光束检查半导体集成电路等试样的缺陷的激光束检查装置。该激光束检查装置,以间接方式检测与通过对于供给恒电流或施加恒电压的试样照射激光束、并使该激光束沿试样表面扫描而产生的该试样的电阻值变化对应的电流变化或电场变化。例如,该电流变化是,以磁场检测装置检测因在设在恒电压源与试样间的电源线路中流动的电流所产生的磁场变化的方式间接测量,且经检测该磁场变化即可确定试样的缺陷位置。

    半导体器件检查方法及半导体器件检查装置

    公开(公告)号:CN114096863B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202080049599.1

    申请日:2020-05-19

    Abstract: 本发明的半导体器件检查方法具备:检测来自半导体器件(D)中的多个位置的光,取得分别与该多个位置相对应的波形的步骤;自分别与多个位置相对应的波形提取与特定的时序相对应的波形,基于提取的波形生成与特定的时序相对应的图像的步骤;以及基于与特定的时序相对应的图像中的亮度分布相关值提取特征点,基于该特征点,特定半导体器件中的驱动元件的位置的步骤。

Patent Agency Ranking