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公开(公告)号：CN100388043C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200580001606.6
申请日：2005-02-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G02B21/00
CPC classification number: G02B21/0016 , G02B21/33 , Y10S359/90
Abstract: 本发明的显微镜和试料观察方法，对于检查对象的半导体器件S，设置：图像取得部(1)、包含物镜(20)的光学系统(2)、和可在包含从半导体器件(S)向物镜20的光轴的插入位置与偏离光轴的待机位置之间移动的固态浸没透镜(SIL3)。而且，以两种控制模式进行观察；第一模式，将(SIL3)配置在待机位置，根据半导体器件(S)的基板的折射率(n0)和厚度(t0)修正焦点和像差；第二模式，将(SIL3)配置在插入位置，根据基板的折射率(n0)、厚度(t0)、(SIL3)的折射率(n1)、厚度(d1)和曲率半径(R1)，修正焦点和像差。由此，可获得易于对半导体器件的微细构造进行解析等必要的试料观察的显微镜和试料观察方法。
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公开(公告)号：CN1906520A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001606.6
申请日：2005-02-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G02B21/00
CPC classification number: G02B21/0016 , G02B21/33 , Y10S359/90
Abstract: 本发明的显微镜和试料观察方法，对于检查对象的半导体器件S，设置：图像取得部(1)、包含物镜(20)的光学系统(2)、和可在包含从半导体器件(S)向物镜20的光轴的插入位置与偏离光轴的待机位置之间移动的固态浸没透镜(SIL3)。而且，以两种控制模式进行观察：第一模式，将(SIL3)配置在待机位置，根据半导体器件(S)的基板的折射率(n0)和厚度(t0)修正焦点和像差；第二模式，将(SIL3)配置在插入位置，根据基板的折射率(n0)、厚度(t0)、(SIL3)的折射率(n1)、厚度(d1)和曲率半径(R1)，修正焦点和像差。由此，可获得易于对半导体器件的微细构造进行解析等必要的试料观察的显微镜和试料观察方法。
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公开(公告)号：CN105283791B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201480033191.X
申请日：2014-03-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H04N5/23212 , G02B7/36 , G02B21/245 , G02B21/365 , G03B13/36 , H04N5/238 , H04N5/341 , H04N5/3696 , H04N5/378
Abstract: 图像取得装置(M)中，通过光路差生成部件(21)的配置，不进行焦点控制用的第二光路(L2)上的光的分支而可形成第二光学图像的光路长差。因此，可抑制为了得到焦点位置的信息所需要的向第二光路(L2)的光量，并可确保通过第一摄像装置(18)进行摄像时的光量。另外，该图像取得装置(M)中，在光路差生成部件(21)的第一面(26)和第二面(27)之间设有减少到达第二摄像装置(20)的摄像面(20a)的光的光减少部(28)。利用该光减少部(28)，可以缩小第二摄像装置(20)的摄像面(20a)上的光重叠区域(29)，可高精度地实施试样S的焦点位置的控制。
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公开(公告)号：CN105283791A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480033191.X
申请日：2014-03-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H04N5/23212 , G02B7/36 , G02B21/245 , G02B21/365 , G03B13/36 , H04N5/238 , H04N5/341 , H04N5/3696 , H04N5/378
Abstract: 图像取得装置(M)中，通过光路差生成部件(21)的配置，不进行焦点控制用的第二光路(L2)上的光的分支而可形成第二光学图像的光路长差。因此，可抑制为了得到焦点位置的信息所需要的向第二光路(L2)的光量，并可确保通过第一摄像装置(18)进行摄像时的光量。另外，该图像取得装置(M)中，在光路差生成部件(21)的第一面(26)和第二面(27)之间设有减少到达第二摄像装置(20)的摄像面(20a)的光的光减少部(28)。利用该光减少部(28)，可以缩小第二摄像装置(20)的摄像面(20a)上的光重叠区域(29)，可高精度地实施试样S的焦点位置的控制。
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