公开(公告)号：CN101515531A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910009415.4

申请日：2009-02-23

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 大村孝幸 ,  久嶋浩之 ,  下井英树 ,  小玉刚史

IPC: H01J43/04 ,  H01J43/18 ,  H01J43/10

CPC classification number: H01J43/26 ,  H01J43/28

Abstract: 本发明涉及一种以能够大批量生产的构造实现响应时间特性的大幅的改善的光电倍增器。第2级倍增电极单元(DY1)支撑接收来自光电阴极(200)的光电子的第1倍增电极，第1级倍增电极单元(DY2)支撑接收来自第1倍增电极的二次电子的第2倍增电极。另外，从光电阴极(200)测看时，倍增电极管脚(430)被保持在有助于二次电子倍增的电子倍增部(400)的有效区域(AR1)内。通过该构成，缩短了从光电阴极(200)至第1级倍增电极单元(DY2)的焦距(D)，扩大了有效区域(AR1)，有效地降低了从光电阴极(200)朝向第1级倍增电极单元(DY2)的光电子的运动时间的偏差。

公开(公告)号：CN1918686A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200580004703.0

申请日：2005-02-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 久嶋浩之 ,  下井英树 ,  影山明广 ,  井上圭祐 ,  伊藤益保

IPC: H01J43/28 ,  H01J43/12 ,  H01J43/24

CPC classification number: H01J43/08 ,  H01J9/26 ,  H01J43/04 ,  H01J43/24

Abstract: 本发明涉及具有用于可容易地实现高检测精度和微细加工的构造的光电倍增器及其制造方法。该光电倍增器(1a)具备内部维持在真空的外围器(2，3，4)，在该外围器(2，3，4)内配置有根据入射光而放出电子的光电面(22)、将从该光电面(22)放出的电子串级倍增的电子倍增部(31)、用于取出由该电子倍增部(31)生成的二次电子的阳极(32)。上述外围器(2，3，4)的一部分由具有平坦部的玻璃基板(20，40)构成，在该玻璃基板(20，40)上的平坦部上以二维方式分别配置有上述电子倍增部(31)和阳极(32)。

公开(公告)号：CN103026497B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180036889.3

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: H01L31/0236 ,  B23K26/352 ,  B23K26/362

CPC classification number: B23K26/355 ,  B23K26/361 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: 具有凹凸的表面的光吸收基板的制造方法具备：通过将激光照射于基板，从而以沿着基板的表面排列成二维状的方式，在基板的内部形成多个改质区域，并使改质区域及从改质区域产生的龟裂的至少一方到达基板的表面的第1工序；及在第1工序之后，通过对基板的表面施以蚀刻处理而在基板的表面形成凹凸的第2工序。

公开(公告)号：CN102468110B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201010589518.5

申请日：2010-10-29

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  久嶋浩之

IPC: H01J43/04 ,  H01J43/18

Abstract: 本发明涉及一种光电倍增管(1)，具有：具有沿框体(5)的内表面(40a)上的电子倍增方向排列的多级的倍增极(33a～331)的电子倍增部(33)；在框体(5)内与电子倍增部(33)隔开设置的光电面(41)以及阳极部(34)，倍增极(33c～33e)分别具有形成有二次电子射出面(53c～53e)的多个柱状部(51c～51e)，在邻接的柱状部之间形成电子倍增通道(C)，后级侧的柱状部(51e)中对着前级侧的柱状部(51d)的相对面(54e)，以将与柱状部(51d)的二次电子射出面(53d)的另一端侧的端部相对的部位(55e)作为基准，沿相对面(54e)的内表面(40a)的方向的两端部(56e、57e)向一端侧突出的方式形成。

公开(公告)号：CN103025473B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180036058.6

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K26/064 ,  B23K26/073 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/402 ,  H01L21/306

CPC classification number: B23K26/40 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76898

Abstract: 一种用来将沿着规定的线（12）的空间形成于硅基板（11）的基板加工方法，其具备：通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光（L）聚光于硅基板（11），沿着线（12）在硅基板（11）的内部形成多个改质点（S），从而形成包含多个改质点（S）的改质区域（7）的第1工序；以及在第1工序之后，通过对硅基板（11）实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展，从而在硅基板（11）形成空间的第2工序，在第1工序中，以激光（L）相对于硅基板（11）的移动方向与激光（L）的偏振光方向所成的角度为45°以上的方式将激光（L）聚光于硅基板（11），并以沿着线（12）排成一列的方式来形成多个改质点（S）。

公开(公告)号：CN103025474B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201180036345.7

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  久嶋浩之 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/362 ,  B23K26/00 ,  B23K26/064 ,  B23K26/40 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L23/481 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0143 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种激光加工方法，其特征在于，是用来在由硅形成的板状的加工对象物（1）上形成孔（24）的激光加工方法，其具备：凹部形成工序，在加工对象物（1）的激光入射面侧，将在该激光入射面（3）开口的凹部（10）形成在与孔（24）对应的部分；改质区域形成工序，在凹部形成工序之后，通过使激光（L）聚光于加工对象物（1），沿着加工对象物（1）的与孔（24）对应的部分形成改质区域（7）；以及蚀刻处理工序，在改质区域形成工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展，并在加工对象物（1）形成孔（24），在改质区域形成工序中，使改质区域（7）或从该改质区域（7）延伸的龟裂（C）露出于凹部的内面。

公开(公告)号：CN102470550B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080029904.7

申请日：2010-07-21

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  内山直己 ,  河口大祐

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/402

CPC classification number: B32B37/06 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/00 ,  B28D5/0011 ,  B32B38/0004 ,  H01L21/78 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49787 ,  Y10T156/1052

Abstract: 由于硅基板(12)的主面成为(100)面，因而以熔融处理区域(13)作为起点而产生的龟裂(17)，向硅基板(12)的劈开方向(与硅基板(12)的主面垂直的方向)伸展。此时，由于加工对象物(1A)的背面(1b)与分断用加工对象物(10A)的表面(10a)通过阳极接合而接合，因而龟裂(17)连续且几乎不改变其方向地，到达加工对象物(1A)的表面(1a)。而且，当使应力产生于分断用加工对象物(10A)时，由于龟裂(17)到达分断用加工对象物(10A)的背面(10b)，因而龟裂(17)容易向加工对象物(1A)侧伸展。

公开(公告)号：CN103026497A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036889.3

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: H01L31/04

CPC classification number: B23K26/355 ,  B23K26/361 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: 具有凹凸的表面的光吸收基板的制造方法具备：通过将激光照射于基板，从而以沿着基板的表面排列成二维状的方式，在基板的内部形成多个改质区域，并使改质区域及从改质区域产生的龟裂的至少一方到达基板的表面的第1工序；及在第1工序之后，通过对基板的表面施以蚀刻处理而在基板的表面形成凹凸的第2工序。

公开(公告)号：CN103026470A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036527.4

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: H01L21/306 ,  B23K26/00 ,  B23K26/38

CPC classification number: H01L21/30608 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/55 ,  B23K2101/35 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/486

Abstract: 一种激光加工方法，是使激光（L）聚光于由硅形成的加工对象物（1）的内部而形成改质区域（7），沿着该改质区域（7）进行蚀刻，由此在加工对象物（1）形成贯通孔（1）的激光加工方法，其包含：通过使激光（L）聚光于加工对象物（1），沿着加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分形成改质区域（7）的激光聚光工序；在激光聚光工序之后，在加工对象物（1）的外表面生成对蚀刻具有耐性的耐蚀刻膜（22）的耐蚀刻膜产生工序；以及在耐蚀刻膜产生工序之后，对加工对象物（1）实施蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展而形成贯通孔（1）的蚀刻处理工序，在激光聚光工序中，使改质区域（7）露出于加工对象物（1）的外表面的激光加工方法。

公开(公告)号：CN103025476A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036517.0

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/00 ,  B23K26/42 ,  H01L21/306

CPC classification number: H05K3/002 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/55 ,  B23K2101/35 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/486 ,  H05K2203/107

Abstract: 一种激光加工方法，是使激光（L）聚光于由硅形成的加工对象物（1）的内部而形成改质区域（7），沿着该改质区域（7）进行蚀刻，由此在加工对象物（1）形成贯通孔（24）的激光加工方法，包含：在加工对象物（1）的外表面生成对蚀刻具有耐性的耐蚀刻膜的耐蚀刻膜生成工序；在耐蚀刻膜生成工序之后，通过使激光（L）聚光于加工对象物（1），沿着加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分形成改质区域（7），并且使激光（L）聚光于耐蚀刻膜（22），由此，沿着耐蚀刻膜（22）的与贯通孔（24）对应的部分形成缺陷区域（22b）的激光聚光工序；以及在激光聚光工序之后，对加工对象物（1）实施蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展而形成贯通孔（24）的蚀刻处理工序。