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公开(公告)号：CN102130021B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201110000519.6
申请日：2011-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司 , 中国电力科学研究院
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN102148169A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110000505.4
申请日：2011-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，焊接固定，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还提供一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN1873918B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200610031478.6
申请日：2006-04-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/332
Abstract: 一种用于门极可关断晶闸管离子注入扩散工艺方法，采用离子注入扩散技术，在门极可关断晶闸管(GT0)制作中芯片阴极面的杂质分布中，要求交界(标20um处)的PN结电压设计值VGK精确到20～21V，据此可计算交界处的杂质浓度的V/I值应控制在10～11，其均匀度为±5％。p型杂质采用硼、铝双杂质分布，铝决定了总的结深，硼决定了硅片表面及次表面处的浓度及均匀度。靠外面为高浓度N型磷杂质，采用离子注入扩散法将掺杂原子电离化后，用电子枪将其高速打到硅片上，先将硼离子注入扩散，然后再将铝离子注入扩散。
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公开(公告)号：CN101123225B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200710035712.7
申请日：2007-09-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 半导体器件台面防护方法及装置，通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护。所述的通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护可以是采用导电材料制作的导电防护罩，将防护罩罩在半导体元件台面实施对半导体元件台面的防护。所述的导电防护装置是由导电材料制作的，与半导体元件台面的形状及尺寸相配的导电防护罩，导电防护罩有一圈卡圈，卡圈正好卡在半导体元件台面的侧面上，使得导电防护罩与半导体元件台面处于过渡配合状态，导电防护罩的表面正好与半导体元件台面贴合在一起。并与半导体元件台面成为相互导体。
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公开(公告)号：CN101150079B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710036057.7
申请日：2007-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体元件芯片灌胶后的脱模方法及装置机构，在半导体元件芯片台面灌胶模具的上模和下模上分别设置脱模应力分散机构，通过脱模应力分散装置机构使半导体元件芯片在台面灌胶处理后脱模。其方法可以是在台面灌胶模具的上模和下模模芯中，靠近的圆心方向，分别设置一圈与芯片呈同心圆的软体支撑环，通过软体支撑环在压缩空气的推动下间接推动芯片脱模。脱模装置机构是在半导体元件芯片台面灌胶模具中设置有脱模应力分散机构。脱模应力分散机构是一种芯片表面应力分散机构，芯片表面应力分散机构设置在芯片与脱模压缩空气之间，脱模压缩空气通过芯片表面应力分散机构与芯片发生相关联，即芯片是在芯片表面应力分散机构的推动下脱模的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100547789C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710163585.9
申请日：2007-10-12
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/761
Abstract: 公开了一种集成门极换流晶闸管，所述门极换流晶闸管包括n-型衬底，p型掺杂区，n型掺杂区，门极换流晶闸管的阳极p+掺杂区，二极管n+缓冲区，以及门极换流晶闸管的阴极梳条，还包括门极换流晶闸管的阴极和门极，二极管的阳极、门极换流晶闸管的阳极和二极管的阴极，其特征在于：在门极换流晶闸管的门极和二极管的阳极之间的p型掺杂区中具有n+型隔离环。本发明的集成门极换流晶闸管及其制造方法能够在GCT单元和二极管之间实现有效的隔离。
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公开(公告)号：CN100426523C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610032431.1
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种直列插入式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、栅电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述栅电极和阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后布置于壳体的外侧形成插头。本发明是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的直列插入式半导体器件。
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公开(公告)号：CN101150079A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710036057.7
申请日：2007-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体元件芯片灌胶后的脱模方法及装置机构，在半导体元件芯片台面灌胶模具的上模和下模上分别设置脱模应力分散机构，通过脱模应力分散装置机构使半导体元件芯片在台面灌胶处理后脱模。其方法可以是在台面灌胶模具的上模和下模模芯中，靠近的圆心方向，分别设置一圈与芯片呈同心圆的软体支撑环，通过软体支撑环在压缩空气的推动下间接推动芯片脱模。脱模装置机构是在半导体元件芯片台面灌胶模具中设置有脱模应力分散机构。脱模应力分散机构是一种芯片表面应力分散机构，芯片表面应力分散机构设置在芯片与脱模压缩空气之间，脱模压缩空气通过芯片表面应力分散机构与芯片发生相关联，即芯片是在芯片表面应力分散机构的推动下脱模的。
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公开(公告)号：CN101145519A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710035980.9
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/268
Abstract: 半导体芯片局部电子辐照方法及装置，将芯片置于芯片的电子辐照区内的“电子直线加速器”辐照床上，通过一个分区电子辐照装置，采用局部遮挡电子照射的方法，实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。所述的局部遮挡电子照射的方法是利用金属挡块可以隔离电子射线的原理，在不需要或需要不同电子辐照剂量电子照射的部分，设置不同厚度的可以隔离电子射线的金属挡块挡住电子辐照的电子射线，实现对半导体芯片上的不同区域进行独立电子辐照。尤其是采用金属铅制成的挡块，遮挡住芯片上不需要辐照部分的电子射线，实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。
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公开(公告)号：CN101123225A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710035712.7
申请日：2007-09-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 半导体器件台面防护方法及装置，通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护。所述的通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护可以是采用导电材料制作的导电防护罩，将防护罩罩在半导体元件台面实施对半导体元件台面的防护。所述的导电防护装置是由导电材料制作的，与半导体元件台面的形状及尺寸相配的导电防护罩，导电防护罩有一圈卡圈，卡圈正好卡在半导体元件台面的侧面上，使得导电防护罩与半导体元件台面处于过渡配合状态，导电防护罩的表面正好与半导体元件台面贴合在一起。并与半导体元件台面成为相互导体。
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