公开(公告)号：CN112368429A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201980043090.3

申请日：2019-06-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 高桥勋 ,  四户孝

IPC: C30B29/16 ,  C23C16/02 ,  C23C16/455 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368

Abstract: 本发明提供一种即使在刚玉结构中也能够在工业上有利地形成减少了由于小面生长引起的位移等的缺陷的外延膜的成膜方法。在具有刚玉结构的晶体基板的晶体生长面上，直接或经由其他层形成外延膜时，使用在晶体生长面上形成有至少包括凹部或凸部的凹凸部的晶体基板，通过将含有金属的原料溶液雾化，使液滴飘浮，将得到的雾化液滴用载气运送到所述晶体基板附近，接着，在设为供给限速的条件下，使所述雾化液滴产生热反应来形成外延膜。

公开(公告)号：CN112424949A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046761.1

申请日：2019-07-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝 ,  雨堤耕史

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/20 ,  H01L21/329 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H02M3/28

Abstract: 本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置(例如，结势垒肖特基二极管等)，在n型半导体层与电极之间设置有多个p型半导体(例如，镁掺杂氧化镓等)，所述半导体装置的特征在于，所述n型半导体层包含镓(例如，氧化镓等)，设置有三个以上的所述p型半导体，并且所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中。

公开(公告)号：CN112151388A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010607964.8

申请日：2020-06-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 高桥勋

IPC: H01L21/465 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06

Abstract: 本发明涉及蚀刻处理方法及半导体装置的制造方法。本发明提供了一种能够在工业上有利地对对象物进行蚀刻处理的蚀刻处理方法。本发明涉及一种蚀刻处理方法，使用蚀刻液对对象物(例如α‑Ga2O3等)进行蚀刻处理，其特征在于，所述蚀刻液包含溴，所述对象物至少包含铝或/和镓。

公开(公告)号：CN111357116A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074216.9

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田时宜 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且使用了能够适用于p井层的p型氧化物半导体膜。一种半导体装置，至少包括n型半导体层和p+型半导体层，其中所述n型半导体层包含含有周期表第13族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化镓等)作为主成分，并且，p+型半导体层包含含有周期表第9族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化铱等)作为主成分。

公开(公告)号：CN111356793A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074297.2

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 高桥勋 ,  松田时宜 ,  四户孝

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种能够有用于工业且半导体特性优良的p型氧化物半导体膜；以及其形成方法。使用金属氧化物(例如氧化铱)的气体作为原料，以在具有金刚石结构的基体(例如蓝宝石基板等)上进行结晶成长，直至膜厚为50nm以上。由此，形成具有金刚石结构的p型氧化物半导体膜，其膜厚为50nm以上且其表面粗糙度为10nm以下。

公开(公告)号：CN112424947A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046489.7

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其为常闭型半导体装置且包括氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜具有刚玉结构，或者包含氧化镓或其混晶作为主成分，所述半导体装置的阈值电压为3V以上。

公开(公告)号：CN112424945A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046420.4

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供了一种层叠结构体，其特征在于，在包含氧化镓或其混晶作为主成分的氧化物半导体膜上，层叠有包含元素周期表第15族元素中的至少一种元素的氧化膜。

公开(公告)号：CN112385048A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980046507.1

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其特征在于，至少具有反型沟道区域，所述反型沟道区域具有包含结晶的氧化物半导体膜，所述结晶具有刚玉结构。