公开(公告)号：CN110299414A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910634324.3

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明的目的是提供结晶性氧化物半导体薄膜以及半导体装置，所述结晶性氧化物半导体薄膜用于形成半导体特性出色的结晶性层叠结构体。所述结晶性氧化物半导体薄膜具有刚玉结构，所述结晶性氧化物半导体薄膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，膜厚为1μm以上，并且至少含有镓。

公开(公告)号：CN110112220A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910452653.6

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/477 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。

公开(公告)号：CN115101587A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210758521.8

申请日：2017-11-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 髙桥勲 ,  四户孝 ,  德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B28/14 ,  C30B29/16 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及结晶性多层结构、半导体装置及多层结构。本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。使用雾化CVD装置使包含掺杂剂的原料溶液雾化或液滴化，通过载气将所得的雾或液滴运送到成膜室内的a面或m面刚玉结构晶体基板附近，之后在成膜室内使所述雾或液滴进行热反应，从而在晶体基板上获得结晶性氧化物半导体膜，所述结晶性氧化物半导体膜具有刚玉结构，并且其主面为a面或m面，所述掺杂剂为n型掺杂剂。

公开(公告)号：CN110952077B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201911347903.6

申请日：2015-08-28

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 织田真也 ,  人罗俊实

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/18

Abstract: 提供一种能够有利于工业上形成密合性优良的金属膜的金属膜形成方法以及通过其方法形成的金属膜。一种在基体上形成金属膜的金属膜形成方法，包括在氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂中,使金属溶解或分散形成原料溶液，将原料溶液雾化产生雾的雾化工序，将载气提供给所述雾的载气供给工序,通过所述载气将所述雾提供给所述基体的供给工序和使所述雾热反应，在所述基体表面的一部分或者全部层积金属膜的金属膜形成工序。

公开(公告)号：CN107068773B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201611159323.0

申请日：2016-12-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 织田真也 ,  德田梨绘 ,  神原仁志 ,  河原克明 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供一种半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置。该半导体装置至少具备：含有具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的半导体层，以及上述半导体层上的肖特基电极，形成上述肖特基电极时，通过使上述肖特基电极含有元素周期表第4族～第9族的金属，能够在不损害半导体特性的情况下制造半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置，并将所得半导体装置用于功率器件等。

公开(公告)号：CN110797396A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201911118223.7

申请日：2015-07-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L27/098 ,  H01L33/00 ,  H01L33/26 ,  H01L21/34 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/44 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448

Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN110164961A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910603781.6

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/477 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及结晶性层叠结构体及半导体装置。本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。

公开(公告)号：CN109952392A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201780068749.1

申请日：2017-11-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 髙桥勲 ,  四户孝 ,  德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  C30B25/02 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。使用雾化CVD装置使包含掺杂剂的原料溶液雾化或液滴化，通过载气将所得的雾或液滴运送到成膜室内的a面或m面刚玉结构晶体基板附近，之后在成膜室内使所述雾或液滴进行热反应，从而在晶体基板上获得结晶性氧化物半导体膜，所述结晶性氧化物半导体膜具有刚玉结构，并且其主面为a面或m面，所述掺杂剂为n型掺杂剂。

公开(公告)号：CN104736747A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380002359.6

申请日：2013-11-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 织田真也 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  C30B7/14 ,  C30B25/14 ,  C30B29/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/368

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/20 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4482 ,  C30B7/14 ,  C30B25/14 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628

Abstract: 提供能够同时实现碳杂质浓度的降低和高成膜速度、并且能够分别制作稳定的结晶结构的薄膜制造方法。本发明提供一种氧化物结晶薄膜的制造方法，其具备：使含有镓化合物和铟化合物中的至少一种和水的原料溶液进行微粒化，将所生成的原料微粒通过载气供给至成膜室中，在上述成膜室内配置的被成膜试样上形成氧化物结晶薄膜的工序，上述镓化合物和铟化合物中的至少一种为溴化物或碘化物。

公开(公告)号：CN110047907B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201910353479.X

申请日：2015-05-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26 ,  H01L33/42

Abstract: 提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗、硅、钛、锆、钒或铌。