公开(公告)号：CN115513303A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210638429.8

申请日：2022-06-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  奥井富士雄 ,  樋口安史 ,  雨堤耕史 ,  柴田英高 ,  加藤勇次 ,  寺井睦

IPC: H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上，所述高电阻层中嵌入所述n‑型半导体层中的部分的深度d(μm)满足d≥1.4。

公开(公告)号：CN115513302A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210637520.8

申请日：2022-06-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  奥井富士雄 ,  樋口安史 ,  雨堤耕史 ,  柴田英高 ,  加藤勇次 ,  寺井睦

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/778 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述高电阻层的底面与所述n+型半导体层的上表面之间的距离小于1.5μm，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上。

公开(公告)号：CN114747021A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080082526.2

申请日：2020-11-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  樋口安史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/365 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  C23C16/40

Abstract: 制作半导体装置以用作功率器件，该半导体装置至少具有高电阻氧化物膜，电阻为1.0×106Ω·cm以上的高电阻氧化物膜沿着电流的流动方向配置，或者配置于源极与漏极之间，或者配置于所述源极或/和所述漏极与基板之间。

公开(公告)号：CN114514615A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080064681.1

申请日：2020-07-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  樋口安史 ,  松原佑典 ,  今藤修 ,  四户孝

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的由半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体层、肖特基电极和绝缘体层，在所述半导体层的一部分和所述肖特基电极之间设置有所述绝缘体层，所述半导体层包含结晶性氧化物半导体，所述绝缘体层具有10°以下的锥形角。

公开(公告)号：CN114207831A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080052697.0

申请日：2020-05-22

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  樋口安史 ,  松原佑典

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/24

Abstract: 提供一种特别对于功率器件有用的、抑制了漏电流的低损耗的半导体装置。一种半导体装置，包含：半导体层；介电膜，形成在所述半导体层上，且具有开口部，在距离所述开口部至少0.25μm以上的范围而形成；和电极层，在从所述开口部的内部直至所述介电膜的一部分或全部之上而形成，其中，从所述开口部到0.25μm以上的距离的所述介电膜的膜厚小于50nm，所述介电膜的相对介电常数在5以下。