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    工件研磨速率的响应性概况的制作方法、研磨方法及装置
    12.
    发明公开
    工件研磨速率的响应性概况的制作方法、研磨方法及装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN118106878A

    公开(公告)日：2024-05-31

    申请号：CN202311601303.4

    申请日：2023-11-28

    Applicant: 株式会社荏原制作所

    Inventor： 山木晓 ,  八木圭太 ,  中村显 ,  白川滉大

    IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  B24B49/16 ,  B24B1/00

    Abstract: 本发明提供工件研磨速率的响应性概况的制作方法、研磨方法以及研磨装置，能够准确地取得研磨速率相对于将晶片等工件向研磨垫按压的压力的变化的响应性。在本方法中，使用模拟来制作推定研磨速率响应性概况，该推定研磨速率响应性概况表示研磨速率相对于研磨头(7)的第一压力室内的压力变化的响应性的分布，使用工件的研磨结果来制作实际研磨速率响应性概况，该实际研磨速率响应性概况表示研磨速率相对于第二压力室内的压力变化的响应性的分布，通过将推定研磨速率响应性概况和实际研磨速率响应性概况组合，而制作混合研磨速率响应性概况。

    基板保持装置、弹性膜、研磨装置以及弹性膜的更换方法
    13.
    发明授权
    基板保持装置、弹性膜、研磨装置以及弹性膜的更换方法 有权

    公开(公告)号：CN108015668B

    公开(公告)日：2022-03-18

    申请号：CN201711013639.3

    申请日：2017-10-25

    Applicant: 株式会社荏原制作所

    Inventor： 锅谷治 ,  福岛诚 ,  并木计介 ,  富樫真吾 ,  山木晓 ,  岸本雅彦 ,  大和田朋子

    IPC: B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B55/00

    Abstract: 本发明提供基板保持装置、弹性膜、研磨装置以及弹性膜的更换方法，该基板保持装置能够精密地调整研磨轮廓。本发明的基板保持装置(1)具有：形成用于按压基板(W)的多个压力室(16a～16f)的弹性膜(10)；连结弹性膜(10)的头主体(2)。弹性膜(10)具有：与基板(W)抵接而将该基板(W)向研磨垫(19)按压的抵接部(11)；从抵接部(11)的周端部向上方延伸的边缘周壁(14f)；配置在边缘周壁(14f)的径向内侧，从抵接部(11)向上方延伸的多个内部周壁(14a～14e)。多个内部周壁(14a～14e)中的至少两个相邻的内部周壁为向径向内侧倾斜的倾斜周壁。倾斜周壁从其下端到上端整体地一边向径向内侧倾斜，一边向上方延伸。

    弹性膜、基板保持装置及研磨装置
    15.
    发明授权
    弹性膜、基板保持装置及研磨装置 有权

    公开(公告)号：CN104942704B

    公开(公告)日：2018-10-02

    申请号：CN201510136596.2

    申请日：2015-03-26

    Applicant: 株式会社荏原制作所

    Inventor： 福岛诚 ,  安田穗积 ,  並木计介 ,  锅谷治 ,  富樫真吾 ,  山木晓 ,  矶野慎太郎

    IPC: B24B37/30 ,  B24B37/10 ,  H01L21/687

    Abstract: 本发明提供一种可在晶片边缘部的狭窄区域精密调整研磨剖面的弹性膜。弹性膜(10)具备：抵接于基板的抵接部(11)；从抵接部(11)周端部向上方延伸的第一边缘周壁(10h)；及具有连接于第一边缘周壁(10h)的内周面(101)的水平部(111)的第二边缘周壁(10g)，第一边缘周壁(10h)的内周面(101)具有相对抵接部(11)垂直延伸的上侧内周面(101a)及下侧内周面(101b)，上侧内周面(101a)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向上方延伸，下侧内周面(101b)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向下方延伸。

    研磨装置以及研磨方法
    17.
    发明公开
    研磨装置以及研磨方法 有权

    公开(公告)号：CN103447939A

    公开(公告)日：2013-12-18

    申请号：CN201310216923.6

    申请日：2013-05-31

    Applicant: 株式会社荏原制作所

    Inventor： 福岛诚 ,  安田穗积 ,  並木计介 ,  锅谷治 ,  富樫真吾 ,  山木晓

    IPC: B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34

    CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B7/228 ,  B24B37/042 ,  B24B37/07 ,  B24B37/32 ,  B24B49/16

    Abstract: 一种研磨装置以及研磨方法，研磨装置具有：基板保持装置（1），具有将基板W相对研磨面（2a）按压的基板保持面（45a）以及配置为包围基板W且与研磨面（2a）接触的保持环（40）；旋转机构（13），使基板保持装置（1）以其轴心为中心旋转；至少一个局部负荷施加机构（110），向保持环（40）的一部分施加局部负荷。保持环（40）能够和基板保持面（45a）独立地倾斜运动，局部负荷施加机构（110）不和基板保持装置（1）一体旋转。根据本发明的研磨装置以及研磨方法，能够精密地控制晶片的研磨轮廓、特别是晶片边缘部的研磨轮廓。

    研磨装置及研磨方法
    19.
    发明授权
    研磨装置及研磨方法 有权

    公开(公告)号：CN111376171B

    公开(公告)日：2023-06-20

    申请号：CN201911309643.3

    申请日：2019-12-18

    Applicant: 株式会社荏原制作所

    Inventor： 富樫真吾 ,  福岛诚 ,  並木计介 ,  锅谷治 ,  山木晓 ,  大和田朋子 ,  加藤良和

    IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  H01L21/321

    Abstract: 本发明提供一可精确控制基板的周缘部的研磨轮廓的研磨装置及研磨方法。研磨装置(1)具备：用于支承具有研磨面(2a)的研磨垫(2)的研磨台(3)；具有按压面(45a)的可旋转的头主体(11)；与头主体(2a)一起旋转同时用以压靠研磨面的挡圈(20)；旋转环(51)；固定环(91)；及用于向固定环(91)施加局部载荷的多个局部载荷施加装置(30A、30B)。局部载荷施加装置(30A、30B)包含连接至固定环(91)的第一按压构件(31A)和第二按压构件(31B)。第一按压构件(31A)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的上游侧，第二按压构件(31B)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的下游侧。

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