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公开(公告)号：CN104124190A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410160612.7
申请日：2014-04-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/68728 , H01L21/68764
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及处理基板的制造方法，基板处理装置具有：基板旋转装置(10、20)，其使基板(W)保持并旋转；清洗装置(41)，其与通过基板旋转装置而以规定的旋转速度旋转的基板接触而对基板(W)进行清洗；移动装置(42)，其使清洗装置(41)在接触基板的清洗位置(P3)与离开基板的离开位置(P2)之间移动，以及控制部(64)。控制部将移动装置(42)控制成，在由基板旋转装置(10、20)保持的基板(W)到达规定的旋转速度前使处于离开位置的清洗装置(41)向清洗位置(P3)移动，同时在基板到达规定旋转速度后使清洗装置到达清洗位置(P3)。采用本发明，可提高基板清洗工序中的处理量。
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公开(公告)号：CN112091809B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202010986718.8
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法，抛光处理装置及方法，能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备：头，安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫；以及抛光臂(600‑1、600‑2)，用于对头进行保持。头包含：安装有比晶片(W)直径小的第一抛光垫(502‑1)的第一抛光头(500‑1)；以及安装有比第一抛光垫(502‑1)直径小的第二抛光垫(502‑2)的与第一抛光头(500‑1)不同的第二抛光头(500‑2)。
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公开(公告)号：CN110170920B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910539068.X
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B53/017 , H01L21/67 , B08B1/04 , B08B3/02
Abstract: 本发明提供抛光处理组件、基板处理装置及抛光垫清洗方法。抛光处理组件具有：抛光台，该抛光台用于设置处理对象物；抛光头，该抛光头用于保持抛光垫，该抛光垫用于对所述处理对象物进行规定的处理；抛光臂，该抛光臂对所述抛光头进行支承并摆动；修整件，该修整件用于对所述抛光垫进行修整；以及清洗机构，该清洗机构配置在所述抛光台与所述修整件之间，用于对所述抛光垫进行清洗。
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公开(公告)号：CN105479324B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201510640665.3
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法，抛光处理装置及方法，能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备：头，安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫；以及抛光臂(600‑1、600‑2)，用于对头进行保持。头包含：安装有比晶片(W)直径小的第1抛光垫(502‑1)的第1抛光头(500‑1)；以及安装有比第1抛光垫(502‑1)直径小的第2抛光垫(502‑2)的与第1抛光头(500‑1)不同的第2抛光头(500‑2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110170920A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910539068.X
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B53/017 , H01L21/67 , B08B1/04 , B08B3/02
Abstract: 本发明提供抛光处理组件、基板处理装置及抛光垫清洗方法。抛光处理组件具有：抛光台，该抛光台用于设置处理对象物；抛光头，该抛光头用于保持抛光垫，该抛光垫用于对所述处理对象物进行规定的处理；抛光臂，该抛光臂对所述抛光头进行支承并摆动；修整件，该修整件用于对所述抛光垫进行修整；以及清洗机构，该清洗机构配置在所述抛光台与所述修整件之间，用于对所述抛光垫进行清洗。
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公开(公告)号：CN104124190B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201410160612.7
申请日：2014-04-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/68728 , H01L21/68764
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及处理基板的制造方法，基板处理装置具有：基板旋转装置(10、20)，其使基板(W)保持并旋转；清洗装置(41)，其与通过基板旋转装置而以规定的旋转速度旋转的基板接触而对基板(W)进行清洗；移动装置(42)，其使清洗装置(41)在接触基板的清洗位置(P3)与离开基板的离开位置(P2)之间移动，以及控制部(64)。控制部将移动装置(42)控制成，在由基板旋转装置(10、20)保持的基板(W)到达规定的旋转速度前使处于离开位置的清洗装置(41)向清洗位置(P3)移动，同时在基板到达规定旋转速度后使清洗装置到达清洗位置(P3)。采用本发明，可提高基板清洗工序中的处理量。
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公开(公告)号：CN106206374A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610382143.2
申请日：2016-06-01
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
CPC classification number: B24B57/02 , B24B37/04 , H01L21/673 , H01L21/67 , H01L21/67023 , H01L2221/683
Abstract: 使用于对基板进行真空吸附的工作台的小孔尽量不吸入处理液。提供用于对基板进行处理的湿式基板处理装置。该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在工作台上的基板供给处理液。工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于支撑面；第二开口部，形成于支撑面，被配置为至少局部性地包围第一开口部；第一流体通路，穿过工作台而延伸到支撑面的第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及第二流体通路，穿过工作台而延伸到支撑面的第二开口部，构成为能够排出处理液。
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公开(公告)号：CN303504280S
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201530194431.1
申请日：2015-06-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 1.本外观设计产品的名称为修整盘。2.本外观设计产品是在半导体制造用化学机械研磨(CMP)装置等中与研磨垫接触来进行修整的修整盘，在底面侧的孔中插入定位销，并且通过磁铁等的吸附力来固定在保持器上使用，俯视图平坦面部分的全部或一部分是粘固有金刚石磨粒等的修整面。3.本外观设计为针对同一产品的2项相似外观设计，其中指定设计1为基本设计。4.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。5.指定设计1立体图为最能表明设计要点的视图。6.由于设计1、设计2各自的后视图、左视图、右视图分别与设计1、设计2各自的主视图相同，故省略设计1、设计2各自的后视图、左视图、右视图。
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公开(公告)号：CN303888573S
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201630001768.0
申请日：2016-01-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 1.本外观设计产品的名称为真空吸附垫。2.本外观设计产品如使用状态参考图所示，是贴附于对半导体晶片等衬底进行真空吸附而将其保持的吸附台的平坦吸附面上而使用的片状的真空吸附垫。3.本外观设计为针对同一产品的2项相似外观设计，其中指定设计1为基本设计。4.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。5.指定设计1立体图为最能表明设计要点的视图。6.由于设计1、2各自的仰视图与俯视图对称，后视图、左视图和右视图均与主视图相同，所以省略仰视图、后视图、左视图和右视图。
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