公开(公告)号：CN103415926B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201280012067.6

申请日：2012-03-08

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 田尾博昭 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L21/02554 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的薄膜晶体管用氧化物，是至少含有In、Zn和Sn的In-Zn-Sn系氧化物，其中，设In-Zn-Sn系氧化物所含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]和[In]时，[In]/([In]+[Sn])≤0.5时满足下式(2)、(4)；[In]/([In]+[Sn])＞0.5时满足下式(1)、(3)、(4)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.3…(1)[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}-0.5…(2)[Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.83…(3)0.1≤[In]/([In]+[Zn]+[Sn])…(4)根据本发明，能够得到TFT的开关特性优异，溅射时的溅射速率高，并且，湿式蚀刻时的蚀刻速率得到恰当控制的薄膜晶体管用氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN103229303B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180057012.2

申请日：2011-11-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G01G19/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In；和从由Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W及Nb构成的X组中选出的至少一种元素(X组元素)。本根据发明，可提供一种能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。

公开(公告)号：CN103493209A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019557.9

申请日：2012-04-19

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 前田刚彰 ,  钉宫敏洋 ,  宋俊昊 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，在形成保护膜等时无需氧化处理层，就能使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧依次具备氧化物半导体层、源/漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的主旨在于：上述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，上述第1氧化物半导体层中的Zn占金属元素整体的含有量为50原子％以上且形成在源/漏电极以及保护膜侧，上述第2氧化物半导体层包括从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的至少一种元素和Sn并形成在基板侧，而且上述第1氧化物半导体层、与上述源/漏电极及保护膜直接接触。

公开(公告)号：CN102859701A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019734.9

申请日：2011-04-18

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  森田晋也 ,  寺尾泰昭 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在ZnO浓度高的区域，另外在形成保护膜后和外加应力后，仍可以稳定得到良好的特性的薄膜晶体管半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其中，所述氧化物含有Zn和Sn，还含有从由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga和稀土类元素构成的X群中选择的至少一种元素。

公开(公告)号：CN103456793B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201310009134.5

申请日：2013-01-10

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李制勋 ,  宋俊昊 ,  吕伦钟 ,  鄭華棟

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/86

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管包括：栅电极；栅极绝缘层，位于栅电极上或位于栅电极下；沟道区域，与栅电极交叠，栅极绝缘层插设在沟道区域与栅电极之间；以及源极区域和漏极区域，相对于沟道区域彼此面对，位于与沟道区域相同的层中，并且连接到沟道区域，其中沟道区域、源极区域和漏极区域包括氧化物半导体，其中源极区域和漏极区域的载流子浓度大于沟道区域的载流子浓度。

公开(公告)号：CN103038888B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201180037189.6

申请日：2011-07-28

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在保护膜形成后也可以稳定获得良好的特性的薄膜晶体管半导体用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物含有Zn、Sn和Si。

公开(公告)号：CN102194888B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201110050015.5

申请日：2011-03-02

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 朴在佑 ,  李制勋 ,  延圣珍 ,  金连洪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L29/786

Abstract: 本方明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。一种薄膜晶体管包括：栅电极，形成在基板上；半导体图案，与栅电极重叠；源电极，与半导体图案的第一端重叠；以及漏电极，与半导体图案的第二端重叠且与源电极间隔开。半导体图案包括非晶多元素化合物，该非晶多元素化合物包括II B族元素和VI A族元素或者包括III A族元素和V A族元素并具有不小于1.0cm2/Vs的电子迁移率和非晶相，其中VI A族元素包括不包括氧。这样，薄膜晶体管的驱动特性得到提高。

公开(公告)号：CN103367455A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210554742.X

申请日：2012-12-19

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 安秉斗 ,  林志勋 ,  金建熙 ,  李京垣 ,  李制勋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种多半导体氧化物TFT(sos-TFT)在电荷-载流子迁移率和/或阈值电压变化性方面提供了改进的电功能性。sos-TFT可以用来形成用于显示装置的薄膜晶体管阵列面板。示例sos-TFT包括：绝缘的栅极；第一半导体氧化物层，具有含有第一半导体氧化物的组分；第二半导体氧化物层，具有也包含半导体氧化物的不同组分。第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层具有各自的沟道区，所述沟道区受到施加到栅极的控制电压的电容性影响。在一个实施例中，第二半导体氧化物层包含第一半导体氧化物层中不含有的至少一种添加元素，其中，添加元素是镓(Ga)、硅(Si)、铌(Nb)、铪(Hf)和锗(Ge)中的一种。

公开(公告)号：CN105702740A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510765626.6

申请日：2015-11-11

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李制勋 ,  朱炳焕

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及具有改善的电气特性的薄膜晶体管。提出了具有均匀的电气特性和降低的功耗的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：半导体层；第一金属氧化物层，与半导体层接触并且具有比半导体层的导热率低的导热率；以及第二金属氧化物层，与第一金属氧化物层接触并且具有比第一金属氧化物层的导热率高的导热率。

公开(公告)号：CN101226901B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN200710300775.0

申请日：2007-12-14

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李殷国 ,  金度贤 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  林淳权

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法。制造薄膜晶体管基板的方法包括在基板上形成包括栅极线、栅电极和下部栅极垫片电极的第一导电图形组，在其上形成有该第一导电图形组的基板上形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层上形成与该栅电极重叠的氧化物半导体图形，以及在其上形成有该氧化物半导体图形的基板上形成第一导电层和第二导电层，并且图形化该第一导电层和第二导电层以形成第二导电图形组，其包括数据线、源电极、漏电极和数据垫片。