薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN102194888B

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201110050015.5

    申请日:2011-03-02

    CPC classification number: H01L29/04 H01L29/786

    Abstract: 本方明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。一种薄膜晶体管包括:栅电极,形成在基板上;半导体图案,与栅电极重叠;源电极,与半导体图案的第一端重叠;以及漏电极,与半导体图案的第二端重叠且与源电极间隔开。半导体图案包括非晶多元素化合物,该非晶多元素化合物包括II B族元素和VI A族元素或者包括III A族元素和V A族元素并具有不小于1.0cm2/Vs的电子迁移率和非晶相,其中VI A族元素包括不包括氧。这样,薄膜晶体管的驱动特性得到提高。

    激光蚀刻设备和使用该激光蚀刻设备的激光蚀刻方法

    公开(公告)号:CN116765614A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310188474.2

    申请日:2023-02-28

    Abstract: 提供了一种激光蚀刻设备和使用该激光蚀刻设备的激光蚀刻方法。所述激光蚀刻方法包括:在激光蚀刻室中,通过从激光模块朝向紧固到卡盘的基底发射激光束来执行第一发射工艺;在执行第一发射工艺之后,将卡盘与激光模块之间的保护窗在第一方向上移动第一距离;在将保护窗在第一方向上移动第一距离之后,通过从激光模块发射激光束来执行第二发射工艺;在执行第二发射工艺之后,将保护窗在第一方向的相反方向上移动第二距离;以及在将保护窗在第一方向的相反方向上移动第二距离之后,通过从激光模块发射激光束来执行第三发射工艺。

    激光装置
    3.
    发明公开
    激光装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116900472A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310013774.7

    申请日:2023-01-05

    Abstract: 提供一种激光装置。激光装置包括:光源部,发出激光束;光路调整部,将从光源部发出的激光束反射而调节照射方向;光分配部,将从光路调整部反射的激光束分割为多个子光束并照射到基板;驱动部,使光分配部移动而调整光分配部和基板的相对位置;感应部,感应从基板发出的子光束;以及控制部,调整光路调整部的配置而使驱动部移动来调整光分配部的配置,控制部基于由感应部感应的信号而生成图像并测定图像的图像对比度,记录并比较基于光分配部的位置的图像对比度来判断光分配部的最佳位置。

    用于制造光学器件的设备及方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119620383A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202410716315.X

    申请日:2024-06-04

    Abstract: 本申请涉及用于制造光学器件的设备和方法。用于制造包括筒部分和布置在筒部分中的第一透镜的光学器件的设备包括光仿真部分和蒙特卡罗仿真部分,光仿真部接收用于光学器件的初始设计值并对穿过光学器件的光进行仿真,蒙特卡罗仿真部通过使用蒙特卡罗仿真来确定初始设计值是否合适。

    光学处理设备
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111913360A

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN202010151249.8

    申请日:2020-03-06

    Abstract: 本公开涉及一种光学处理设备,所述光学处理设备包括:腔室,平台设置在所述腔室中以保持基底;支撑件,位于所述腔室下方;腔室窗口,连接到所述支撑件并允许光穿过所述腔室窗口;以及缓冲部,连接到所述腔室的下部并连接到所述腔室窗口。在所述缓冲部中限定的通路与所述腔室窗口和第一开口重叠,所述第一开口限定在所述腔室的所述下部中。

    激光蚀刻设备
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219786978U

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202320383222.0

    申请日:2023-02-28

    Abstract: 提供了一种激光蚀刻设备。所述激光蚀刻设备包括:激光蚀刻室;卡盘,设置在激光蚀刻室中;激光模块,朝向卡盘发射激光束;保护窗组件,在卡盘与激光模块之间;位置传感器,被构造为感测保护窗组件的位置;以及线性运动单元,被构造为移动保护窗组件。在形成孔的工艺期间从基底产生的颗粒堆积在保护窗上,所述激光蚀刻设备能够增加保护窗的替换周期。

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