电子装置
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115024026A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202180012063.7

    申请日:2021-02-03

    Abstract: 具备:被安装部件(10),其具有一面(10a);电子器件(20),其被配置在一面(10a)上,外形被设为长方体状,在与被安装部件(10)的一面(10a)对置的面(202)上形成有多个电极(22);焊料(30),其配置于电子器件(20)的电极(22)和被安装部件(10)之间,将电子器件(20)的电极(22)和被安装部件(10)电连接且机械连接;以及侧面填充材(40),其配置于焊料(30)的周围,将电子器件(20)和被安装部件(10)机械连接。而且,侧面填充材(40)以使电子器件(20)中的与被安装部件(10)侧相反的一侧的角部露出的方式配置。

    具有排出路径的半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN111725078A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010185159.0

    申请日:2020-03-17

    Abstract: 在半导体装置中,第一基板(10)和第二基板(40)通过绝缘膜(30)彼此接合。在第一基板(10)与第二基板(40)之间设置有气密室(50),在该气密室(50)内封闭有感测部(20)。第二基板(40)具有在第一基板(10)和第二基板(40)的堆叠方向上贯通的通孔(61),并露出第一基板(10)的第一表面(10a)。贯通电极(63)设置在第二基板(40)的通孔(61)的壁表面上,并与感测部(20)电连接。在位于气密室(50)与通孔(61)之间的位置处设置有排出路径(80),用于将接合时产生的废气从气密室释放至通孔。

    多轴惯性力传感器的制造方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116368352A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202180074518.8

    申请日:2021-10-14

    Abstract: 在组装成基座(128)之前对分别配置于多个模块(102、103、129、130)上的多个传感器(104、105、131、132)各自的灵敏度进行检查。在检查工序中,准备分别配置有多个传感器的多个模块。通过将多个模块向主轴用托架(212)的多个主轴用槽部(224)嵌入且使多个模块与多个主轴用槽部的主轴用定位面接触,由此将主轴用托架的厚度方向与传感器的主轴平行地配置。通过在转台(231)上设置主轴用托架,由此将转台的旋转中心轴与主轴用托架的厚度方向平行地配置,且将转台的旋转中心轴与多个传感器的主轴平行地配置。通过使转台转动或摆动来对多个传感器的主轴的灵敏度进行检查。

    电子装置
    15.
    发明公开
    电子装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115280905A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202180019768.1

    申请日:2021-04-07

    Abstract: 具备零件安装部(20)、电子零件(60)、配置在零件安装部(20)与电子零件(60)之间的焊料(70)、以及安装于壳体的被安装部件(10)。进而,具备将零件安装部(20)与被安装部件(10)连接而将零件安装部(20)支承于被安装部件(10)的支承梁(40)。

    半导体装置的制造方法
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112041688B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN201980027259.6

    申请日:2019-04-23

    Abstract: 在多个硅基板(11、13、21)中的至少1个,形成凹部(14、23)。此外,在多个硅基板中的至少1个,在从空间(30)的预定形成区域离开了的部分,形成硅氧化膜(12、22),该硅氧化膜(12、22)形成有将预定形成区域包围并达到多个硅基板的外周的槽部(17、28)。进而,以将槽部覆盖的方式,将多个硅基板中的形成有硅氧化膜的硅基板与多个硅基板中的另一个利用经由硅氧化膜的直接接合而进行接合,形成气体排出路径(40)并形成多个硅基板及硅氧化膜的层叠构造,由凹部在层叠构造的内部形成空间。并且,通过热处理,将空间的内部的气体经由气体排出路径向层叠构造的外部排出。

    半导体装置的制造方法
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112041688A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN201980027259.6

    申请日:2019-04-23

    Abstract: 在多个硅基板(11、13、21)中的至少1个,形成凹部(14、23)。此外,在多个硅基板中的至少1个,在从空间(30)的预定形成区域离开了的部分,形成硅氧化膜(12、22),该硅氧化膜(12、22)形成有将预定形成区域包围并达到多个硅基板的外周的槽部(17、28)。进而,以将槽部覆盖的方式,将多个硅基板中的形成有硅氧化膜的硅基板与多个硅基板中的另一个利用经由硅氧化膜的直接接合而进行接合,形成气体排出路径(40)并形成多个硅基板及硅氧化膜的层叠构造,由凹部在层叠构造的内部形成空间。并且,通过热处理,将空间的内部的气体经由气体排出路径向层叠构造的外部排出。

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