公开(公告)号：CN112041688B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201980027259.6

申请日：2019-04-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 铃木爱美 ,  山本康雄 ,  明石照久

IPC: G01P15/08 ,  B81C1/00 ,  G01C19/5783 ,  H01L29/84

Abstract: 在多个硅基板(11、13、21)中的至少1个，形成凹部(14、23)。此外，在多个硅基板中的至少1个，在从空间(30)的预定形成区域离开了的部分，形成硅氧化膜(12、22)，该硅氧化膜(12、22)形成有将预定形成区域包围并达到多个硅基板的外周的槽部(17、28)。进而，以将槽部覆盖的方式，将多个硅基板中的形成有硅氧化膜的硅基板与多个硅基板中的另一个利用经由硅氧化膜的直接接合而进行接合，形成气体排出路径(40)并形成多个硅基板及硅氧化膜的层叠构造，由凹部在层叠构造的内部形成空间。并且，通过热处理，将空间的内部的气体经由气体排出路径向层叠构造的外部排出。

公开(公告)号：CN112041688A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201980027259.6

申请日：2019-04-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 铃木爱美 ,  山本康雄 ,  明石照久

IPC: G01P15/08 ,  B81C1/00 ,  G01C19/5783 ,  H01L29/84

Abstract: 在多个硅基板(11、13、21)中的至少1个，形成凹部(14、23)。此外，在多个硅基板中的至少1个，在从空间(30)的预定形成区域离开了的部分，形成硅氧化膜(12、22)，该硅氧化膜(12、22)形成有将预定形成区域包围并达到多个硅基板的外周的槽部(17、28)。进而，以将槽部覆盖的方式，将多个硅基板中的形成有硅氧化膜的硅基板与多个硅基板中的另一个利用经由硅氧化膜的直接接合而进行接合，形成气体排出路径(40)并形成多个硅基板及硅氧化膜的层叠构造，由凹部在层叠构造的内部形成空间。并且，通过热处理，将空间的内部的气体经由气体排出路径向层叠构造的外部排出。