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公开(公告)号：CN106067767A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610212485.X
申请日：2016-04-07
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03G3/3042 , H03F1/0205 , H03F3/19 , H03F3/191 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/18 , H03F2200/21 , H03F2200/324 , H03F2200/451 , H03F2203/21181 , H03G1/0088 , H03F1/083
Abstract: 本发明提供的功率放大模块能抑制伴随增益变化的输入阻抗变化。包括：基极输入第一信号的第一晶体管；基极输入第一信号且集电极与第一晶体管的集电极连接的第二晶体管；一端被提供第一偏置电流且另一端与第一晶体管的基极连接的第一电阻；一端与第一电阻的一端连接且另一端与第二晶体管的基极连接的第二电阻；一端被提供第二偏置电流且另一端与第二晶体管的基极连接的第三电阻，高增益模式时，第一偏置电流分别经由第一、第二电阻提供至第一、第二晶体管的基极，低增益模式时，第二偏置电流经由第三电阻提供至第二晶体管的基极，且经由第三、第二、第一电阻提供至第一晶体管的基极，从第一及第二晶体管的集电极输出将第一信号放大后的第二信号。
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公开(公告)号：CN111917380B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010359784.2
申请日：2020-04-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种即使使用多赫蒂放大器也能够抑制接收灵敏度的劣化的收发电路。在封装基板安装有包含主放大器以及峰值放大器的多赫蒂放大器。进而，在封装基板安装有低噪声放大器。收发切换开关在时间上对将多赫蒂放大器的输出信号供给到天线端口的发送连接状态、和将天线端口的接收信号输入到低噪声放大器的接收连接状态进行切换。
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公开(公告)号：CN111800096B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202010263068.4
申请日：2020-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种能够抑制多个晶体管的动作的偏差的功率放大装置。功率放大装置具有：半导体基板；多个第1晶体管，设置在半导体基板上；多个第2晶体管；集电极端子，与多个第1晶体管的集电极电连接；第1电感器，一端侧与集电极端子电连接，另一端侧与电源电位电连接；发射极端子，与多个第2晶体管的发射极电连接，在第2方向上与集电极端子相邻地设置；第2电感器，一端侧与发射极端子电连接，另一端侧与基准电位电连接；以及电容器，一端侧与多个第1晶体管的集电极电连接，另一端侧与多个第2晶体管的发射极电连接。
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公开(公告)号：CN116601756A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180079660.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/00
Abstract: 集成电路(70)具备：第一基材(71)，该第一基材(71)的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材(71)形成有电气电路(例如控制电路(80)或开关电路(51、52)；第二基材(72)，该第二基材(72)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率低的热导率的第二半导体材料构成，在该第二基材(72)形成有功率放大电路(11)；以及高热导构件(73)，该高热导构件(73)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率高的热导率的高热导材料构成，该高热导构件(73)配置于电气电路与功率放大电路(11)之间，其中，在俯视视图中，高热导构件(73)的至少一部分与第一基材(71)的至少一部分及第二基材(72)的至少一部分重叠，高热导构件(73)与第一基材(71)及第二基材(72)接触。
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公开(公告)号：CN111327335B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201911296983.7
申请日：2019-12-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由于插入开关元件而造成的插入损耗的增大的收发模块。多个双工器在相互不同的频段工作，各自包含发送滤波器和接收滤波器。功率放大器将多个发送滤波器的通带的信号放大并输出。传输从功率放大器输出的多个发送滤波器的通带的信号的发送用传输线路与多个发送滤波器连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113572439A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110456672.3
申请日：2021-04-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，能够在宽频带中高效地供给RF信号并且抑制电路规模的增大。功率放大电路具备：第1放大电路，对第1频带的第1信号进行放大，并输出具有第1功率的第1放大信号；第2放大电路，对所述第1频带或者与所述第1频带不同的第2频带的第2信号进行放大，并输出具有与所述第1功率不同的第2功率的第2放大信号；和第1可变调整电路，设置在所述第2放大电路与所述第2放大电路的后级的第1电路之间，构成为能够调整从所述第2放大电路对所述第1电路进行了观察时的第1阻抗。
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公开(公告)号：CN111726093A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010205264.6
申请日：2020-03-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种在提高功率效率的同时抑制了增益的偏差的功率放大电路。功率放大电路具备：放大晶体管，具有被供给根据输入信号的振幅电平而变动的电源电压的第1端子、以及被供给输入信号和偏置电流的第2端子，并从第1端子输出使输入信号放大了的放大信号；偏置电路，基于供给到输入端子的基准电流，从输出端子输出偏置电流；和调整电路，根据电源电压的变动而生成调整偏置电流的调整电流，调整电流是伴随着电源电压的上升而增加且伴随着电源电压的下降而减少的电流，调整电路从基准电流或者偏置电流中的至少任一者提取调整电流。
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公开(公告)号：CN110875723A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910811375.9
申请日：2019-08-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明在使最大输出功率增大的同时使功率附加效率提高。功率放大电路具备：下级晶体管，具有被供给第一电源电压的第一端子、与接地连接的第二端子和被供给输入信号的第三端子；第一电容器；上级晶体管，具有被供给第二电源电压并且将放大信号输出到输出端子的第一端子、通过第一电容器与下级晶体管的第一端子连接的第二端子和被供给驱动电压的第三端子；第一电感器，将上级晶体管的第二端子连接到接地；电压调整电路，调整驱动电压；以及至少一个终止电路，使放大信号的偶数阶谐波或奇数阶谐波与接地电位短路，至少一个终止电路被设置为从传输路径上的任一点分岔，该传输路径从下级晶体管的第一端子起经由第一电容器以及上级晶体管到达输出端子。
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公开(公告)号：CN111726093B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202010205264.6
申请日：2020-03-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种在提高功率效率的同时抑制了增益的偏差的功率放大电路。功率放大电路具备：放大晶体管，具有被供给根据输入信号的振幅电平而变动的电源电压的第1端子、以及被供给输入信号和偏置电流的第2端子，并从第1端子输出使输入信号放大了的放大信号；偏置电路，基于供给到输入端子的基准电流，从输出端子输出偏置电流；和调整电路，根据电源电压的变动而生成调整偏置电流的调整电流，调整电流是伴随着电源电压的上升而增加且伴随着电源电压的下降而减少的电流，调整电路从基准电流或者偏置电流中的至少任一者提取调整电流。
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