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公开(公告)号:CN103477558B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201280018362.2
申请日:2012-07-26
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H04W52/52 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2203/7209 , H03G3/3042
Abstract: 本发明提供一种能以较小的面积实现多个检波方式的半导体集成电路装置及高频功率放大器模块。例如,设有:包含多级放大电路(AMP4~AMP1)、多个电平检测电路(DET4~DET1)、加法电路(ADD1、ADD2)等的对数检波部分;以及包含电平检测电路(DET6)等的线性检波部分。而且,将来自对数检波部分的输出电流和来自线性检波部分的输出电流分别乘以不同的系数之后进行相加来实现多个检波方式。具体而言,将来自对数检波部分的输出电流乘以6/5倍所得到的电流与来自线性检波部分的输出电流进行相加等来实现对数检波方式,将来自对数检波部分的输出电流乘以1/5倍所得到的电流与来自线性检波部分的输出电流乘以3倍所得到的电流进行相加等来实现对数-线性检波方式。
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公开(公告)号:CN108574461B
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN201810139511.X
申请日:2018-02-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够适当地限制放大器的输出的功率放大模块。功率放大模块(10)具备:放大器(21、22、23),将输入信号放大并输出;射极跟随器晶体管(Tr31、Tr32、Tr33),将对放大器(21、22、23)的偏置点进行控制的偏置信号供给到放大器(21、22、23);以及电流源(50),将追随控制电压的变化而变化的控制电流(Iec)供给到射极跟随器晶体管(Tr31、Tr32、Tr33)的集电极。电流源(50)将控制电流(Iec)限制在上限值以下。
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公开(公告)号:CN106357227B
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN201610548247.6
申请日:2016-07-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供进行发送信号的斜率控制的功率放大模块,对电路规模的增大进行抑制。功率放大模块包括:放大用晶体管,将恒定的电源电压提供给该放大用晶体管的集电极,并将偏置电流提供给该放大用晶体管的基极,所述放大用晶体管将输入基极的输入信号进行放大并从集电极输出放大信号;第一电流源,该第一电流源输出与用于控制放大信号的信号电平的电平控制电压相应的第一电流;以及偏置用晶体管,将第一电流提供给该偏置用晶体管的集电极,将偏置控制电压连接至该偏置用晶体管的基极,并从该偏置用晶体管的发射极输出偏置电流。
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公开(公告)号:CN107863942A
公开(公告)日:2018-03-30
申请号:CN201710541979.7
申请日:2017-07-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F3/21 , H03F1/0261 , H03F1/22 , H03F1/34 , H03F3/191 , H03F3/245 , H03F2200/144 , H03F2200/18 , H03F2200/318 , H03F2200/408 , H03F2200/451 , H03F3/193 , H03F2200/504
Abstract: 本发明提供一种对发送信号进行斜率控制的功率放大模块,其能抑制电路增大。功率放大模块包括:输出第一电流的第一电流源,该第一电流与用于控制放大信号的信号电平的电平控制电压相应;输出与电平控制电压相应的第二电流的第二电流源;第一晶体管,其基极被提供输入信号和第一偏置电流,其发射极接地;第二晶体管,其发射极连接至第一晶体管的集电极,其基极被提供第二电流,并从集电极输出将输入信号放大后的第一放大信号;以及第三晶体管,其集电极被提供第一电流,其基极被提供偏置控制电流或电压,并从发射极向第一晶体管的基极提供第一偏置电流。
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公开(公告)号:CN106560758A
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201610885337.4
申请日:2016-10-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G05F3/26
CPC classification number: H03F1/0222 , G05F3/262 , H03F1/301 , H03F1/302 , H03F3/04 , H03F3/191 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F2200/18 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供一种无论电源电压如何变动,均能稳定地输出电流的电流输出电路。本发明的电流输出电路包括:第1FET,对该第1FET的源极提供电源电压,对该第1FET的栅极提供第1电压,并从该第1FET的漏极输出第1电流;第2FET,对该第2FET的源极提供电源电压,对该第2FET的栅极提供第1电压,并从该第2FET的漏极输出输出电流;第1控制电路,该第1控制电路控制第1电压,使得第1电流成为目标电平;以及第2控制电路,该第2控制电路进行使第1FET的漏极电压与第2FET的漏极电压相等的控制。
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公开(公告)号:CN106357227A
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201610548247.6
申请日:2016-07-13
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03G3/3042 , H03F1/565 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/451 , H03G3/3047 , H03G2201/40 , H03F3/20 , H03F3/45
Abstract: 本发明提供进行发送信号的斜率控制的功率放大模块,对电路规模的增大进行抑制。功率放大模块包括:放大用晶体管,将恒定的电源电压提供给该放大用晶体管的集电极,并将偏置电流提供给该放大用晶体管的基极,所述放大用晶体管将输入基极的输入信号进行放大并从集电极输出放大信号;第一电流源,该第一电流源输出与用于控制放大信号的信号电平的电平控制电压相应的第一电流;以及偏置用晶体管,将第一电流提供给该偏置用晶体管的集电极,将偏置控制电压连接至该偏置用晶体管的基极,并从该偏置用晶体管的发射极输出偏置电流。
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公开(公告)号:CN208063147U
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:CN201820241812.9
申请日:2018-02-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本实用新型提供一种能够适当地限制放大器的输出的功率放大模块。功率放大模块(10)具备:放大器(21、22、23),将输入信号放大并输出;射极跟随器晶体管(Tr31、Tr32、Tr33),将对放大器(21、22、23)的偏置点进行控制的偏置信号供给到放大器(21、22、23);以及电流源(50),将追随控制电压的变化而变化的控制电流(Iec)供给到射极跟随器晶体管(Tr31、Tr32、Tr33)的集电极。电流源(50)将控制电流(Iec)限制在上限值以下。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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