公开(公告)号：CN107863942B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201710541979.7

申请日：2017-07-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 石原翔太 ,  小野生幸 ,  岛宗祐介 ,  森泽文雅 ,  中岛静城 ,  本多悠里 ,  古盐和博 ,  佐藤真人

IPC: H03F3/193 ,  H03F3/21

Abstract: 本发明提供一种对发送信号进行斜率控制的功率放大模块，其能抑制电路增大。功率放大模块包括：输出第一电流的第一电流源，该第一电流与用于控制放大信号的信号电平的电平控制电压相应；输出与电平控制电压相应的第二电流的第二电流源；第一晶体管，其基极被提供输入信号和第一偏置电流，其发射极接地；第二晶体管，其发射极连接至第一晶体管的集电极，其基极被提供第二电流，并从集电极输出将输入信号放大后的第一放大信号；以及第三晶体管，其集电极被提供第一电流，其基极被提供偏置控制电流或电压，并从发射极向第一晶体管的基极提供第一偏置电流。

公开(公告)号：CN108461468A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201711051716.4

申请日：2017-10-31

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中岛静城

IPC: H01L23/49 ,  H01L25/065 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85035 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2224/48471

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，实现半导体装置的制造成本的降低。半导体装置的制造方法具备：(i)准备具有电极焊盘(24)的半导体芯片(20)和具有尺寸比电极焊盘(24)大的电极焊盘(34)且比半导体芯片(20)厚的半导体芯片(30)的工序；(ii)将半导体芯片(20、30)搭载在具有均匀的厚度的被平坦化的封装件基板(40)的同一表面的工序；(iii)将通过对接合引线进行加热熔融而形成的球与电极焊盘(34)进行接合的工序；(iv)将接合引线(50)与电极焊盘(24)进行第一次接合的工序；以及(v)将接合引线(50)与球(70)进行第二次接合的工序。

公开(公告)号：CN107863942A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710541979.7

申请日：2017-07-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 石原翔太 ,  小野生幸 ,  岛宗祐介 ,  森泽文雅 ,  中岛静城 ,  本多悠里 ,  古盐和博 ,  佐藤真人

IPC: H03F3/193 ,  H03F3/21

CPC classification number: H03F3/21 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/22 ,  H03F1/34 ,  H03F3/191 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/144 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/451 ,  H03F3/193 ,  H03F2200/504

Abstract: 本发明提供一种对发送信号进行斜率控制的功率放大模块，其能抑制电路增大。功率放大模块包括：输出第一电流的第一电流源，该第一电流与用于控制放大信号的信号电平的电平控制电压相应；输出与电平控制电压相应的第二电流的第二电流源；第一晶体管，其基极被提供输入信号和第一偏置电流，其发射极接地；第二晶体管，其发射极连接至第一晶体管的集电极，其基极被提供第二电流，并从集电极输出将输入信号放大后的第一放大信号；以及第三晶体管，其集电极被提供第一电流，其基极被提供偏置控制电流或电压，并从发射极向第一晶体管的基极提供第一偏置电流。

公开(公告)号：CN207353236U

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201721429658.X

申请日：2017-10-31

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中岛静城

IPC: H01L23/49 ,  H01L25/065 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85035 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2224/48471

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，实现半导体装置的制造成本的降低。半导体装置具备：第一半导体芯片，具有第一电极焊盘；比所述第一半导体芯片厚的第二半导体芯片，具有尺寸比所述第一电极焊盘大的第二电极焊盘；球，与所述第二电极焊盘接合；以及接合引线，具有与所述第一电极焊盘接合的第一次接合部和与所述球接合的第二次接合部。