半导体装置
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110719075B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN201910618826.7

    申请日:2019-07-10

    Inventor: 后藤聪

    Abstract: 本发明提供一种实现多个单位晶体管间的最高温度的降低或者温度偏差的减少的半导体装置。半导体装置具备:半导体基板,具有与由第一方向以及与第一方向大致正交的第二方向规定的平面平行的主面;多个第一单位晶体管,放大第一频带的第一信号来输出第二信号;以及多个第二单位晶体管,放大第二信号来输出第三信号,主面包括与第一方向平行的第一边,在半导体基板上,在俯视主面时,多个第二单位晶体管在比沿着第一方向的半导体基板的基板中心线靠第一边侧,沿着第二方向排列配置,多个第一单位晶体管被配置成配置有该多个第一单位晶体管的区域的沿着第一方向的第一中心线比配置有多个第二单位晶体管的区域的沿着第一方向的第二中心线远离第一边。

    功率放大电路
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113572439A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202110456672.3

    申请日:2021-04-26

    Abstract: 本发明提供一种功率放大电路,能够在宽频带中高效地供给RF信号并且抑制电路规模的增大。功率放大电路具备:第1放大电路,对第1频带的第1信号进行放大,并输出具有第1功率的第1放大信号;第2放大电路,对所述第1频带或者与所述第1频带不同的第2频带的第2信号进行放大,并输出具有与所述第1功率不同的第2功率的第2放大信号;和第1可变调整电路,设置在所述第2放大电路与所述第2放大电路的后级的第1电路之间,构成为能够调整从所述第2放大电路对所述第1电路进行了观察时的第1阻抗。

    功率放大电路
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111245382A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201911179855.4

    申请日:2019-11-26

    Abstract: 本发明提供一种功率放大电路,能够与电源电压的控制方式无关地根据动作状况连接适当的电容,能够使各个电容的耐压降低。功率放大电路具备:放大器,将RF信号进行放大;以及旁路电容部,与用于向放大器供给电源电压的电源端子连接,旁路电容部具备:第1电容器,一端与电源供给路径连接;第2电容器,一端与第1电容器的另一端连接,另一端与接地侧连接;以及第1开关电路,一端与第1电容器的另一端以及第2电容器的一端连接,另一端与接地连接,且对第1电容器的另一端与接地的连接进行切换。

    功率放大电路
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107294504A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201610848887.9

    申请日:2016-09-23

    Inventor: 后藤聪

    Abstract: 本发明提供抑制电路面积的增大,并且使电容器的个数增加的功率放大电路。功率放大电路具备:电容元件,是将第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、以及第三金属层依次层叠的电容元件,具备将第一金属层作为一方电极且将第二金属层作为另一方电极的第一电容器、和将第二金属层作为一方电极且将第三金属层作为另一方电极的第二电容器;以及晶体管,其对无线频率信号进行放大,无线频率信号被供给至第一电容器的一方电极,第一电容器的另一方电极和第二电容器的一方电极与晶体管的基极连接,第二电容器的另一方电极与晶体管的发射极连接。

    放大装置
    16.
    发明公开
    放大装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118339766A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202280079126.5

    申请日:2022-10-21

    Abstract: 包含供差动信号输入的一对差动输入节点、以及供差动信号输出的一对差动输出节点的第一差动放大电路配置于基板。第一转换器的二次线圈的两端分别与第一差动放大电路的一对差动输入节点连接,二次线圈的中间位置被交流接地。第二转换器的一次线圈的两端分别与第一差动放大电路的一对差动输出节点连接,一次线圈的中间位置被交流接地。将第一转换器的二次线圈的两端分别与第一差动放大电路的一对差动输入节点连接的差动布线对、以及将第一差动放大电路的一对差动输出节点分别与第二转换器的一次线圈的两端连接的差动布线对中的一个差动布线对的两根布线在俯视基板时相互交叉。

    功率放大电路
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110995182B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN201910907815.0

    申请日:2019-09-24

    Abstract: 本发明提供一种功率放大电路,能够适当地进行包络线跟踪。功率放大电路包含:第1晶体管,发射极与公共电位电连接,在基极被输入第1高频信号,从集电极输出第3高频信号;第2晶体管,发射极与公共电位电连接,在基极被输入第2高频信号,从集电极输出第4高频信号;第1电容电路,电连接在第2晶体管的集电极与第1晶体管的基极之间;和第2电容电路,电连接在第1晶体管的集电极与第2晶体管的基极之间。

    高频模块和通信装置
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116601757A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202180080607.3

    申请日:2021-12-02

    Abstract: 高频模块(1)具备:模块基板(90),其具有主面(90a);集成电路(70),其配置于主面(90a),形成有功率放大电路(11);以及SMD(41d),其配置于主面(90a),形成有与功率放大电路(11)直接连接的电路元件,其中,集成电路(70)具备:第一基材(71),第一基材(71)的至少一部分由第一半导体材料构成;以及第二基材(72),第二基材(72)的至少一部分由第二半导体材料构成,在第二基材(72)形成有功率放大电路(11),第一基材(71)具有在俯视时彼此相向的边(71s1)和(71s2),在俯视时,SMD(41d)离边(71s1)比离边(71s2)更近,在俯视时,第二基材(72)比第一基材(71)小,第二基材(72)在离边(71s1)比离边(71s2)更近的位置处与第一基材(71)重叠。

    功率放大电路
    19.
    发明公开
    功率放大电路 审中-实审

    公开(公告)号:CN114389551A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111218342.7

    申请日:2021-10-19

    Abstract: 本发明提供一种功率放大电路,在不对差动放大电路的对称性造成影响的情况下适当地进行增益分散。功率放大电路(100c)包含:差动放大电路,即放大电路(12a)及(12b),对高频信号进行放大;变压器(22),设置在差动放大电路的输出侧,具有一次绕组以及二次绕组;以及分散电路(41),是与变压器(22)的一次绕组的中点(P22)连接的调整电路。分散电路(41)基于根据高频信号的包络线控制的电源电压,对供给到差动放大电路的偏置(偏置电流或偏置电压)进行调整。

    功率放大电路
    20.
    发明公开
    功率放大电路 审中-实审

    公开(公告)号:CN113949356A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202110803742.8

    申请日:2021-07-15

    Abstract: 本公开的功率放大电路具备:放大电路(12),是通过根据信号的振幅而变动的电源电压进行动作的差动放大电路;偏置电路(32),输出提供给放大电路(12)的偏置;和分散电路(41及42),与从放大电路(12)输出的一对差动信号分别对应地设置,对放大电路(12)的增益的电源电压依赖进行调整。本发明的功率放大电路在放大电路的输出为差动信号的情况下,在保持差动信号的波形的对称性的同时实现适当的增益分散。

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