-
公开(公告)号：CN117811520A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311260055.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岛本健一
Abstract: 本发明提供一种能够适当地调整阻抗值的放大器模块。放大器模块包含：输入端子；第1前级放大器，形成在第1基板中，对输入到所述输入端子的信号进行放大；第1后级放大器以及第2后级放大器，形成在第2基板中，将所述第1前级放大器的输出作为输入，并输出差动信号；输出平衡—不平衡变压器，将从所述第1后级放大器以及所述第2后级放大器输出的差动信号作为输入；以及可变电容元件，所述输出平衡—不平衡变压器具有被施加所述差动信号的初级侧绕组和次级侧绕组，所述可变电容元件与所述输出平衡—不平衡变压器的初级侧绕组并联地连接。
-
公开(公告)号：CN114915271A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210123520.6
申请日：2022-02-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岛本健一
Abstract: 提供一种功率放大电路，能够抑制切换功率放大电路的动作状态时的增益下降。功率放大电路(10)具备放大器(102、103)、偏置电路(1023、1033)和控制偏置电路(1023、1033)的控制电路(106)，在功率放大电路(10)以低功率模式动作的情况下，控制电路(106)控制偏置电路(1023)以及偏置电路(1033)，使得向放大器(102)供给偏置电流或电压，并且不向放大器(103)供给偏置电流或电压，在功率放大电路(10)以输出功率大于低功率模式的高功率模式动作的情况下，控制电路(106)控制偏置电路(1023)以及偏置电路(1033)，使得向放大器(102)供给偏置电流或电压，并且向放大器(103)供给偏置电流或电压。
-
公开(公告)号：CN111049484B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201910957533.1
申请日：2019-10-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明调整增益色散的范围。功率放大电路具备：第一晶体管，放大RF信号；偏置电流源，通过第一电流路径对第一晶体管的第二端子供给偏置电流；以及调整电路，根据从电源端子供给的可变电源电压来调整偏置电流，调整电路包含：第一电阻器至第三电阻器，至少任一个由可变电阻器构成；以及调整晶体管，具有通过第一电阻器与电源端子连接的第一端子、通过第二电阻器与偏置电流源连接的第二端子、以及通过第三电阻器与第一电流路径连接的第三端子，在可变电源电压为第一电压以上且第三电压以下时，可变电源电压越低，调整电路越使通过如下路径流到电源端子的电流增大，该路径从偏置电流源通过第二电阻器、调整晶体管以及第一电阻器到达电源端子。
-
公开(公告)号：CN113949356A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110803742.8
申请日：2021-07-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本公开的功率放大电路具备：放大电路(12)，是通过根据信号的振幅而变动的电源电压进行动作的差动放大电路；偏置电路(32)，输出提供给放大电路(12)的偏置；和分散电路(41及42)，与从放大电路(12)输出的一对差动信号分别对应地设置，对放大电路(12)的增益的电源电压依赖进行调整。本发明的功率放大电路在放大电路的输出为差动信号的情况下，在保持差动信号的波形的对称性的同时实现适当的增益分散。
-
公开(公告)号：CN107785342A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710740396.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/488 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，实现单位晶体管的最高温度的下降或温度偏差的降低。半导体装置具备：半导体基板，含具有第一方向的第一边及第二方向的第二边的主面；多个晶体管列，形成在半导体基板的第一边侧的区域；多个凸块，多个凸块包括第一方向上的长度长的第一及第二凸块，第一边和第一凸块的距离比第一边和第二凸块的距离短，多个晶体管列包括第一及第二晶体管列，第一晶体管列具有沿第一方向配置为与第一凸块重叠的多个第一单位晶体管，第二晶体管列具有沿第一方向配置为与第二凸块重叠的多个第二单位晶体管，在半导体基板的主面的俯视下，第一单位晶体管的平均每一个的第一凸块的面积比第二单位晶体管的平均每一个的第二凸块的面积大。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101414806B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200810149907.9
申请日：2008-10-15
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/0216 , H03F3/24 , H03F2200/408 , H03F2200/451 , H03F2200/504 , H03F2200/78
Abstract: 本发明提供一种RF功率放大装置，其包括RF功率放大器(RFPA)和电源供给电路(Pwr_Cnt)。电源供给电路响应功率控制信号(Vapc)的电平来控制供给到RF功率放大器的电源电压(VLDo)的电平。检测电阻(Rsen)生成与电源电压的电源电流(ILDO)对应的检测信号(Vsen)。电流控制部(Cmp1、Cmp2、FF1、NAND3、Qp4)响应检测信号(Vsen)来控制电源电流(ILDO)。检测信号(Vsen)与同电源电流允许电平(ILDO(Max))对应的允许检测信号电平(Vsh)一致时，电流控制部将电源电流(ILDO)控制为小于允许电平(ILDO(Max))的限制电流。优选限制电流是停机开关(Sh_SW)为断开状态时的停机电流。即使阻抗失配状态长时间持续，也可减少便携电话终端的电池消耗。
-
公开(公告)号：CN110324007B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910244797.2
申请日：2019-03-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种功率放大电路。功率放大电路(1)具备：放大晶体管(20)；可变电压电源(21)，其向放大晶体管(20)的集电极提供可变电压(Vcc2)；偏置电路(22)，其具有向放大晶体管(20)的基极输出直流偏置电流的恒流放大晶体管(220)；以及电流限制电路(23)，其限制直流偏置电流，其中，电流限制电路(23)具有：电流限制晶体管(230)；电阻元件(232)，其与电流限制晶体管(230)的集电极及可变电压电源(11)连接；以及电阻元件(231)，其与电流限制晶体管(230)的基极及恒流放大晶体管(220)的基极连接。
-
公开(公告)号：CN113541617A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110427630.7
申请日：2021-04-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岛本健一
IPC: H03F3/20
Abstract: 提供一种功率放大器、功率放大电路、功率放大设备，抑制无功电流的变动。功率放大器(100)具备形成在半导体基板(303)上的晶体管(101)、晶体管(102)、晶体管(103)、以及凸块，该凸块与晶体管(101)的发射极电连接，设置为在半导体基板(303)的俯视下，与配置晶体管(101)的配置区域(A1)、配置晶体管(102)的配置区域(A2)、以及配置晶体管(103)的配置区域(A3)重叠。
-
公开(公告)号：CN112217481A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010600797.4
申请日：2020-06-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岛本健一
Abstract: 本发明提供一种抑制由过大电压造成的放大器的击穿的功率放大电路。功率放大电路(10)具备：放大器(201)，对输入信号(RFin)进行放大并输出放大信号(RF1)；放大器(202)，设置在放大器(201)的后级，对放大信号(RF1)进行放大并输出放大信号(RF2)；以及箝位电路(300)，设置在放大器(201)与放大器(202)之间的信号线路(203)与地之间，并对放大信号(RF1)的振幅进行抑制。
-
公开(公告)号：CN116094470A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211299197.4
申请日：2022-10-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岛本健一
Abstract: 提供一种功率放大电路，抑制线性度的下降。包括：在第一模式及第二模式的情况下向第一放大器赋予偏置的第一偏置电路；以及在第二模式的情况下向第二放大器赋予偏置的第二偏置电路。第一偏置电路包括：集电极与电源电位连接、发射极与第一放大器连接、基极与电流源连接的第一晶体管；以及被二极管连接且连接在第一晶体管的基极与基准电位之间的第二晶体管及第三晶体管。第二偏置电路包括：集电极与电源电位连接、发射极与第二放大器连接、基极与电流源连接的第四晶体管；以及基极与第四晶体管的发射极连接、集电极与第四晶体管的基极连接、发射极与基准电位连接的第五晶体管。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.022 seconds)
