-
公开(公告)号：CN101667496A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910166606.1
申请日：2009-08-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H1/02 , H01H1/025 , H01H11/04 , H01H33/664 , B22F3/16
CPC classification number: H01H1/0203 , H01H1/025 , H01H1/027
Abstract: 本发明提供一种电触点，其通过使用合适的耐火性金属作为耐电弧成分，控制与Cu母材的界面，能够兼顾用于降低熔敷疏离力的低强度和用于确保通电/断路性能的高密度，能够将开关等大幅小型化。本发明的电触点是如下得到的：将作为耐火性金属的C、Mo或W中的一种的粉末和高导电性金属Cu的粉末混合后，加压，形成相对密度65％以上的成形体，将该成形体加热到Cu的熔点以下的温度，从而，就耐火性金属的含量V(体积％)来说，当耐火性金属的原子量设为M时，在由式(1)和(2)求得的范围内，并且，就任意截面中的所述耐火性金属和高导电性金属的界面来说，其长度的70％以上物理性地分离。本发明还提供一种电触点的制造方法以及电力开关。V＝M×c/95.94 (1)；8≤c≤32 (2)。
-
公开(公告)号：CN106536437B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201580034016.7
申请日：2015-09-09
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 目的在于提供热可靠性优异的散热结构体及半导体模块。为了解决上述课题，本发明的散热结构体是将金属、陶瓷、半导体任一种的第一部件和第二部件经由接合部件进行粘接的散热结构体，或将半导体芯片、金属配线、陶瓷绝缘基板、含有金属的散热基底基板分别经由接合部件进行粘接的半导体模块，其特征在于，上述接合部件中的任一个以上含有无铅低熔点玻璃组合物和金属粒子，上述无铅低熔点玻璃组合物以以下的氧化物换算计含有：V2O5、TeO2及Ag2O作为主要成分，这些的合计为78摩尔％以上，TeO2和Ag2O的含量相对于V2O5的含量分别为1～2倍，还有合计20摩尔％以下的BaO、WO3或P2O5中任一种以上作为副成分，及合计2.0摩尔％以下的Y2O3、La2O3或Al2O3中任一种以上作为追加成分。
-
公开(公告)号：CN103681016A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310369363.8
申请日：2013-08-22
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H1/025 , H01H33/664 , H01H11/04
CPC classification number: H01H1/025 , H01H1/0206 , H01H1/029 , H01H33/6643
Abstract: 本发明廉价且加工性佳，稳定地持续截断电流的降低效果。本发明的电气接点具备Cu母相和在上述Cu母相中分散的Cu和低融点金属的化合物，上述低融点金属在1000℃中的蒸气压为105Pa以上，上述化合物的低融点金属/Cu的值即化学当量组成比大于0.5，上述化合物的长度方向相对于接点面以90°±10°的角度取向。另外，电气接点的制造方法中，对具有上述Cu母相和上述化合物的混合物以减面率70～85%进行加热的同时进行拉伸，将以上述减面率减面后的面用作电气接点的接点面。
-
公开(公告)号：CN102034643B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201010260579.7
申请日：2010-08-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H33/664 , H01H33/66 , H01H11/04 , H01H11/00
CPC classification number: H01H33/664 , H01H11/041 , H01H11/045 , H01H33/6643 , Y10T29/49105
Abstract: 本发明涉及开关用的电极及真空开关，以及开关用的电极或真空开关的制造方法。本发明的目的在于提供通过防止在电极和导体杆(1)之间产生空隙部，并且电极和导体杆(1)不产生位置偏移而实现了降低电力消耗及提高传热性能的真空开关(70)。本发明的开关用的电极的特征是，通过具备导体杆(1)、插入导体杆(1)的接点电极(2)、以及在导体杆(1)和接点电极(2)的径向外侧固定两者的连接板(3)而固定导体杆(1)和接点电极(2)这两者。
-
公开(公告)号：CN103021727A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210276116.9
申请日：2012-08-03
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H33/664 , H01H33/66 , H01H11/00
CPC classification number: H01H11/048 , H01H1/0206 , H01H33/664
Abstract: 本发明提供接合结构、电接点及其制造方法。低成本且不使用钎焊材料地接合部件彼此。接合结构具备多个部件、及使含有金属的粉末附着堆积在上述多个部件上而成的附着堆积层，通过上述多个部件与上述附着堆积层利用热、机械性合金化的结合，接合上述多个部件。另外，上述基材由高传导性金属构成，上述被接合部件为杯形状且由高传导性金属构成，上述附着堆积层是含有耐火性的金属或化合物与高传导性金属的接点层，上述基材的一面与上述被接合部件的杯形状的敞开端部利用上述热、机械性合金化接合。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1776855B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200510093238.4
申请日：2005-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H33/664 , H01H1/02
CPC classification number: H01H33/6643 , H01H1/0206 , H01H11/048
Abstract: 本发明提供一种耐熔敷性能优良的真空断路器用电极以及使用该电极的真空断路器。本发明特征在于使用在高导电性金属和低熔点金属的合金中耐火性金属粒子为分散的电触点，特别是在于使用在含有Sn、Te、Bi中至少一种及Cu的合金中Cr粒子为分散的电触点的真空断路器用电极，以及使用该电极的真空阀、或真空断路器。此外，本发明的特征还在于制造上述电触点的方法。
-
公开(公告)号：CN1892956B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200610100284.7
申请日：2006-07-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H33/664 , H01H33/06 , H01H1/02 , H01H1/021 , H01H1/0233 , H01H1/025 , C22C9/00 , C22C5/06 , B22F1/00 , B22F3/10 , B22F3/12
Abstract: 本发明的目的是，提供兼备开断性能和低电涌性能、且多次断路所导致的性能恶化小的电气接点。作为电气接点，由Cr和Cu或Ag中的任意一种和碳化物形成，在以Cu或Ag中任意一种作为主成分的基体中，使用形成周围以碳化物包围的Cr分散的组织的成分。另外，其特征是含有1～30重量％碳化物，其余部分为Cu，另外，其特征是由Cr、Cu和碳化物形成，Cr和碳化物的重量比在1∶1.5～50的范围内。通过包含Cr和Cu或Ag中任意一种，得到充分的开断性能，另外，通过电流开断时的碳化物的升华现象，可以减小截断电流，同时促进电弧驱动，发挥出色的开断性能。而且该碳化物，通过主要包围Cr的周边而存在，可以确保以Cu或Ag中的任意一种为主成分的基体的通电性能，发挥提高所述的低电涌性能的作用。
-
公开(公告)号：CN100386835C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200410100376.6
申请日：2004-12-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H33/664
CPC classification number: H01H1/0206 , H01H1/0203 , H01H33/022 , H01H33/6662 , H01H2033/6667 , H01H2033/6668
Abstract: 本发明的电触点构件具有由高导电性金属制成的基体材料与由耐火性金属和高导电性金属制成的触点层，上述触点层包括按多层形成的喷镀层。这样，可提供一种耐电压性能和耐熔接性能优良、批量生产性优良的电触点构件和其制造方法及使用其的真空阀和真空断路器及路边设置变压器用的负荷开关。
-
公开(公告)号：CN1258791C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN02119225.1
申请日：2002-03-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H33/664
CPC classification number: H01H33/664 , H01H1/0206 , H01H11/048 , H01H33/6643
Abstract: 电极(1)的电极本体(1a)具有孔隙率，使从电极本体(1a)的电接触面(4a)到规定深度范围的导电率大于电极本体(1a)断面的导电率或从背面(4b)到规定深度的导电率，可提高断路器的断路性能，同时防止电极本体(1a)的电接触面(4a)劣化。
-
公开(公告)号：CN1776855A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510093238.4
申请日：2005-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H33/664 , H01H1/02
CPC classification number: H01H33/6643 , H01H1/0206 , H01H11/048
Abstract: 本发明提供一种耐熔敷性能优良的真空断路器用电极以及使用该电极的真空断路器。本发明特征在于使用在高导电性金属和低熔点金属的合金中耐火性金属粒子为分散的电触点，特别是在于使用在含有Sn、Te、Bi中至少一种及Cu的合金中Cr粒子为分散的电触点的真空断路器用电极，以及使用该电极的真空阀、或真空断路器。此外，本发明的特征还在于制造上述电触点的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.033 seconds)
