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公开(公告)号：CN101614966B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN200910160494.9
申请日：2004-05-26
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 蛭川茂
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/70258 , G03F7/70433 , G03F7/7085 , G03F7/70858 , G03F7/70875 , G03F7/70891
Abstract: 提供一种曝光方法、曝光装置以及器件制造方法。曝光方法为：在包含投影光学系统的投影区域的基板的至少一部分上形成浸渍区域，通过投影光学系统和基板间的液体将掩模的图案的像投影到基板上。计测掩模的图案分布(S1)，使基板曝光时，根据入射到投影光学系统与基板间的液体的曝光光的分布进行调整，使期望的图案的像投影到基板上(S4～S6)。不受掩模图案分布的影响，能够以高精确度使基板图案曝光。
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公开(公告)号：CN102597873B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201080049094.1
申请日：2010-11-04
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F1/44 , G01B11/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7026 , G03F1/44 , G03F7/70641
Abstract: 用以测量焦点资讯的焦点测试标线片具有外侧图案，外侧图案具有由延伸于Y方向的遮光膜构成的线图案，设于线图案的+X方向侧、线宽形成为较线图案狭窄的相位偏移部，设于线图案的-X方向侧、线宽形成为较线图案狭窄的透射部，设于相位偏移部的+X方向侧的透射部，设于透射部的-X方向侧的相位偏移部。能以高测量再现性且高测量效率测量投影光学系统的焦点资讯。
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公开(公告)号：CN101278375B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200680036332.9
申请日：2006-11-16
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 蛭川茂
IPC: H01L21/027 , G03F1/08 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/705 , G03F7/70525 , G03F7/70625
Abstract: 根据既定图案投影像的尖锐特性来预测元件线宽特性(步骤104～110)，再根据所预测的元件线宽特性来调整该图案的曝光条件(步骤112)。并以经调整的曝光条件进行曝光，即利用该图案的投影像进行基板上光刻胶的图案化(步骤114)。由此进行该图案化后基板的显影，于基板上形成满足所期望元件线宽特性的光刻胶图案。因此，以该光刻胶图案作为光掩膜进行基板的刻蚀，即可以所期望线宽形成刻蚀后的图案。
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公开(公告)号：CN101872135A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010214662.0
申请日：2003-12-08
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/709 , G03F7/70341 , G03F7/70716
Abstract: 本发明涉及曝光设备和器件制造法。具体地，本发明提供了一种曝光设备，它用能量束照射图案并且经投影光学系统把所述图案转印到基片上，所述曝光设备包括：一个基片台，基片台上安装着所述基片，所述基片台在保持所述基片的二维平面内移动；一个干涉仪，它测量所述基片台的位置；一个供应机构，它把液体供应到所述投影光学系统和所述基片台上的所述基片之间的空间；一个回收机构，它回收所述液体；和一个空气调节机构，它在所述投影光学系统和所述基片之间的所述液体的周围执行空气调节。
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公开(公告)号：CN100429748C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200380105422.5
申请日：2003-12-08
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 曝光装置(EX)在投影光学系统(PL)和衬底(P)之间充有液体(50)，投影光学系统(P)通过液体(50)将图形图像投影在衬底(P)上，对衬底(P)进行曝光。它包括：保持衬底的衬底台(PST)；向投影光学系统的像面侧供给液体的液体供给装置(1)；以及经过液体(50)检测衬底(P)表面的表面信息的聚焦/平整检测系统(14)。曝光装置(EX)根据聚焦/平整检测系统检测(14)的表面信息，一边调整衬底(P)表面与投影光学系统(PL)经过液体(50)形成的像面之间的位置关系一边进行衬底的浸液曝光。能够以良好图案转印精度进行浸液曝光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1625798A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN03802931.6
申请日：2003-01-29
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03B21/18 , G03B27/42 , G03F7/70258 , G03F7/705 , G03F7/70508 , G03F7/70525 , G03F7/706
Abstract: 第二通信服务器(930)通过第一通信服务器(920)获得曝光装置(9221～9223)中调节单元的调节信息以及涉及当作基准的曝光条件下投影光学系统成像质量(如，波前像差)的信息，并根据该信息计算目标曝光条件下调节单元的最佳调节量。此外，第二通信服务器通过第一通信服务器(920)获得调节的调节信息和投影光学系统成像质量的实际测量数据，并再根据该信息计算在目标曝光条件下调节单元的最佳调节量。第二通信服务器根据计算结果，通过第一通信服务器(920)控制曝光装置中的调节单元。
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公开(公告)号：CN101424883B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN200810175137.5
申请日：2003-12-08
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/709 , G03F7/70341 , G03F7/70716
Abstract: 本发明涉及曝光设备和器件制造法。利用供应机构(72)经透镜(42)一侧的供应喷嘴(36)把液体供应到透镜(42)和晶片(W)之间的空间，利用回收机构(74)经透镜(42)另一侧的回收管(52)回收液体。当同时执行液体的供应和回收时，预定量的液体就保持(随时处于交换状态)在透镜(42)和台上晶片(W)之间。因此，当在这种状态下执行曝光(图案转印到基片上)时，就应用了浸液方法，并且以很高的精度把图案转印到基片上。另外，如果液体从周壁(32g)下沿下面漏出，辅助回收机构(76)就经狭缝(32h3或32h4)回收不能回收的液体。并且通过这种操作，就不会有残留液体留在基片上。
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公开(公告)号：CN102597873A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049094.1
申请日：2010-11-04
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F1/44 , G01B11/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7026 , G03F1/44 , G03F7/70641
Abstract: 用以测量焦点资讯的焦点测试标线片具有外侧图案，外侧图案具有由延伸于Y方向的遮光膜构成的线图案，设于线图案的+X方向侧、线宽形成为较线图案狭窄的相位偏移部，设于线图案的-X方向侧、线宽形成为较线图案狭窄的透射部，设于相位偏移部的+X方向侧的透射部，设于透射部的-X方向侧的相位偏移部。能以高测量再现性且高测量效率测量投影光学系统的焦点资讯。
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公开(公告)号：CN101614966A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910160494.9
申请日：2004-05-26
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 蛭川茂
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/70258 , G03F7/70433 , G03F7/7085 , G03F7/70858 , G03F7/70875 , G03F7/70891
Abstract: 提供一种曝光方法、曝光装置以及器件制造方法。曝光方法为：在包含投影光学系统的投影区域的基板的至少一部分上形成浸渍区域，通过投影光学系统和基板间的液体将掩模的图案的像投影到基板上。计测掩模的图案分布(S1)，使基板曝光时，根据入射到投影光学系统与基板间的液体的曝光光的分布进行调整，使期望的图案的像投影到基板上(S4～S6)。不受掩模图案分布的影响，能够以高精确度使基板图案曝光。
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