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    照明光学装置
    11.
    发明授权
    照明光学装置 失效

    公开(公告)号：CN101103442B

    公开(公告)日：2011-05-11

    申请号：CN200680002249.X

    申请日：2006-01-13

    Applicant: 株式会社尼康

    Inventor： 白石直正

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

    CPC classification number: G03F7/70408 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/7035

    Abstract: 本发明的目的是提供一种适合在构成电子元件的微细图案的形成中所使用的曝光方法，并为高解析度且廉价的曝光方法。该曝光方法包括：配置邻接于构成电子元件的晶圆等的绕射光栅，并对该绕射光栅照射具有设定的入射角度特性的照明光而进行对晶圆的曝光。依据需要，变更半导体晶圆和该绕射光栅的位置关系，以进行上述曝光。

    曝光方法及电子器件制造方法
    12.
    发明公开
    曝光方法及电子器件制造方法 无效

    公开(公告)号：CN101652719A

    公开(公告)日：2010-02-17

    申请号：CN200880011418.5

    申请日：2008-04-07

    Applicant: 株式会社尼康

    Inventor： 白石直正 ,  井上英也

    IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  H01L23/00

    Abstract: 一种使得能够快速且精确地测量在单位曝光场(10f)中发生的变形并且使得能够高准确度地在基板(W)上重叠多个图案的曝光方法。使用投影光学系统(PL)在基板(W)上曝光明暗图案的本实施例的曝光方法包括：位置检测处理(S13)，检测布置在基板(W)的单位曝光场(10f)的至少一个功能元件中的多个位置检测标记关于基板(W)的基板面内方向的位置；变形计算处理(S14)，基于在位置检测处理(S13)中获得的与位置检测标记的位置有关的信息，计算在单位曝光场(10f)中发生的变形的状态；以及形状修改处理(S15)，基于在变形计算处理(S14)中获得的变形状态，修改要在基板(W)上曝光的明暗图案的形状。

    曝光设备、曝光法及器件制造法
    14.
    发明公开
    曝光设备、曝光法及器件制造法 无效

    公开(公告)号：CN1476629A

    公开(公告)日：2004-02-18

    申请号：CN01819363.3

    申请日：2001-11-21

    Applicant: 株式会社尼康

    Inventor： 白石直正

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

    CPC classification number: G03F9/7026 ,  G03F7/70358 ,  G03F7/707 ,  G03F7/70708 ,  G03F7/70866 ,  G03F7/70983

    Abstract: 在曝光设备(100)中，主控制器(50)根据从辐射系统(20a)辐射的探测光束从保护性元件的前后表面反射的第一和第二反射光束、并由光电探测系统(20b)接收的探测信号计算保护掩模(R)的图案面的透光保护性元件的厚度。这样能够考虑进依据保护性元件计算出厚度的图像图案成象状态的变化进行曝光。因此，可以高精度地曝光，保护掩模图案面的保护性元件的厚度差不影响曝光。另外，当探测光束的入射角得到优化时，将不需要在光电探测系统中设置探测偏差或重置原点。

    曝光装置、曝光方法、以及器件制造方法
    15.
    发明公开
    曝光装置、曝光方法、以及器件制造方法 无效

    公开(公告)号：CN1459124A

    公开(公告)日：2003-11-26

    申请号：CN01815808.0

    申请日：2001-09-14

    Applicant: 株式会社尼康

    Inventor： 長坂博之 ,  白石直正

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

    CPC classification number: G03F7/70558 ,  G03F7/70575

    Abstract: F2激光光源射出作为使圆片表面的光刻胶感光的波长的真空紫外线的主光线(波长157nm)以及作为次后发生的红光的副光线(波长630至720nm)的光。这种光由光束分离器(26)分路，射入到对主光线和副光线具有感度的光传感器(41)中。将具有使主光线透过、使副光线不透过性质的滤光器(F1)设置在光束分离器(26)与光传感器(41)间。能正确地检测参与曝光的主光线的光量。

    曝光方法、电子元件制造方法、曝光装置及照明光学装置
    16.
    发明授权
    曝光方法、电子元件制造方法、曝光装置及照明光学装置 失效

    公开(公告)号：CN101566803B

    公开(公告)日：2013-01-02

    申请号：CN200910136484.1

    申请日：2006-01-13

    Applicant: 株式会社尼康

    Inventor： 白石直正

    IPC: G03F7/20

    CPC classification number: G03F7/70408 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/7035

    Abstract: 本发明的目的是提供一种适合在构成电子元件的微细图案的形成中所使用的曝光方法，并为高解析度且廉价的曝光方法。该曝光方法包括：配置邻接于构成电子元件的晶圆等的绕射光栅，并对该绕射光栅照射具有设定的入射角度特性的照明光而进行对晶圆的曝光。依据需要，变更半导体晶圆和该绕射光栅的位置关系，以进行上述曝光。

    投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
    18.
    发明公开
    投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 无效

    公开(公告)号：CN101526758A

    公开(公告)日：2009-09-09

    申请号：CN200910126047.1

    申请日：2004-10-26

    Applicant: 株式会社尼康

    Inventor： 白石直正

    IPC: G03F7/20

    CPC classification number: G03F7/70191 ,  G02B3/0006 ,  G02B5/3083 ,  G02B27/28 ,  G02B27/283 ,  G02B27/286 ,  G03F7/70108 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70566 ,  G03F7/70966

    Abstract: 本发明是有关一种投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法。其中照明光学装置及投影曝光装置，在以所定偏光(optical polarization)状态的照明光照明掩膜(mask)之际，可使光量损失减少。前述投影曝光装置包括将来自光源的照明光照射于第一物体的照明光学系统与将前述第一物体上的图案像投影于第二物体上的投影光学系统，其中前述光源生成以单一的直线偏光为主成分的状态的照明光。前述照明光学系统配置于前述照明光的光路，且包括圆锥棱镜与双折射构件。前述双折射构件使照射于前述第一物体的特定照明光成为以S偏光为主成分的偏光状态的光。

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