公开(公告)号：CN86107793A

公开(公告)日：1987-05-20

申请号：CN86107793

申请日：1986-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小沼利光 ,  浜谷敏次 ,  间濑晃 ,  山口利治 ,  坂间光范 ,  犬岛乔

IPC: G09F9/35

CPC classification number: G02F1/133345

Abstract: 本发明说明一种改进的，不受液晶污染影响的液晶装置。该液晶凭借其间的氮化物层来跟游离物质隔离，如：玻璃基质、透明电极等等。

公开(公告)号：CN1183599C

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN00133102.7

申请日：1992-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  根本英树

IPC: H01L27/092 ,  G02F1/13

Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。

公开(公告)号：CN1130766C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN99120390.9

申请日：1992-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  间濑晃 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/28

Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

公开(公告)号：CN1059518C

公开(公告)日：2000-12-13

申请号：CN95119391.0

申请日：1992-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  间濑晃 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768

Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

公开(公告)号：CN1135095A

公开(公告)日：1996-11-06

申请号：CN95119391.0

申请日：1992-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  间濑晃 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768

Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

公开(公告)号：CN1070052A

公开(公告)日：1993-03-17

申请号：CN92110004.3

申请日：1992-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  根本英树

IPC: G02F1/00

Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。

公开(公告)号：CN1005946B

公开(公告)日：1989-11-29

申请号：CN87106448

申请日：1987-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 间濑晃 ,  小沼利光 ,  坂间光范 ,  犬岛乔 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/86 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/12

Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面。然后，从衬底那一侧对有机树脂层曝光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。

公开(公告)号：CN85109696A

公开(公告)日：1986-07-16

申请号：CN85109696

申请日：1985-12-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 间濑晃 ,  小沼利光 ,  坂间光范 ,  犬岛乔 ,  山崎舜平

IPC: H01L23/52 ,  H01L29/86 ,  H01L21/64 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/12

Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面，然后，从衬底那一侧对有机树脂层曝光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。

公开(公告)号：CN100490159C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200610093456.2

申请日：1992-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  间濑晃 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

公开(公告)号：CN1266519C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN03133133.5

申请日：1992-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  根本英树

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/3205

Abstract: 一种用于如摄像机的电子器件的半导体显示器件，包括：一阻挡膜，在一个衬底上形成；一个薄膜晶体管，在所述阻挡膜上形成，所述薄膜晶体管包括：一个半导体层，具有源区和漏区，在该两区之间夹有沟道区，在所述沟道区和所述源区和漏区至少之一之间有至少一个轻掺杂区，一个栅极，毗邻所述沟道区，栅极与沟道区之间有一个栅绝缘膜；一个层间绝缘膜，在所述薄膜晶体管上形成；一个平面化膜，在所述层间绝缘膜上形成；和一个像素电极，在所述有机树脂膜上形成并电连接到所述薄膜晶体管。