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公开(公告)号：CN100570850C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200510128580.3
申请日：2005-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L27/124 , C23F1/20 , C23F1/26 , G02F1/136227 , G02F2001/13629 , H01L21/32134 , H01L21/32136 , H01L21/76838 , H01L21/76885
Abstract: 本发明的目标是提供包含具有优选形状的布线的半导体器件。在制造方法中，包含步骤：形成连接到元件的第一导电层并在该导电层上形成第二导电层；在该第二导电层上形成抗蚀剂掩模；使用该掩模进行干法蚀刻处理该第二导电层；并使用剩下的掩模进行湿法蚀刻来处理该第一导电层，其中在该干法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率高于第一导电层的蚀刻速率，且其中在该湿法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率等于或高于第一导电层的蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN101256956A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810081085.5
申请日：2008-02-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 藤井照幸
IPC: H01L21/31 , H01L21/312 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/3122 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31133 , H01L27/3295
Abstract: 本发明提供一种绝缘膜的制造方法，该绝缘膜可以使用非光感性的硅氧烷树脂且通过湿蚀刻法形成为所希望的形状。该制造方法包括：以在有机溶媒中包含硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的悬浊液形成薄膜；对该薄膜进行第一加热处理；在第一加热处理之后的薄膜上形成掩模；使用有机溶媒进行湿蚀刻来加工第一加热处理之后的薄膜的形状，并且对被加工了的薄膜进行第二加热处理。
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公开(公告)号：CN101819984B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201010004765.4
申请日：2004-01-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3251 , G06F1/1637 , G09G3/3225 , G09G2300/08 , G09G2320/0626 , G09G2380/14 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L27/3246 , H01L27/3267 , H01L31/0232 , H01L33/08 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/60 , H01L51/0011 , H01L51/5012 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5262 , H01L2251/558 , H01L2924/0002 , Y10T428/24942 , H01L2924/00
Abstract: 本申请提供一种电子书，设有第1～第4显示面，该电子书设有：具有所述第1显示面的第1单面发光显示面板；具有所述第2及第3显示面的两面发光面板；具有所述第4显示面的第2单面发光显示面板，所述两面发光面板插入所述第1单面发光显示面板和所述第2单面发光显示面板之间，用于所述两面发光面板的基板是膜基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101877366A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010171623.7
申请日：2010-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02008 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/068 , H01L31/075 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种有关半导体装置的电极或具有接合工序的半导体装置的制造方法，本发明要解决的问题是(1)由于使用Al电极而使半导体装置具有高电阻；(2)Al与Si会形成合金；(3)利用溅射法形成的膜具有高电阻；(4)在接合工序中，若接合面的凹凸较大则发生接合不良。本发明的一种方式是一种半导体装置，包括：金属衬底或形成有金属膜的衬底；利用热压合法与金属衬底或金属膜接合的金属衬底或金属膜上的铜(Cu)镀膜；Cu镀膜上的阻挡膜；阻挡膜上的单晶硅膜；单晶硅膜上的电极层。
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公开(公告)号：CN101819984A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010004765.4
申请日：2004-01-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3251 , G06F1/1637 , G09G3/3225 , G09G2300/08 , G09G2320/0626 , G09G2380/14 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L27/3246 , H01L27/3267 , H01L31/0232 , H01L33/08 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/60 , H01L51/0011 , H01L51/5012 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5262 , H01L2251/558 , H01L2924/0002 , Y10T428/24942 , H01L2924/00
Abstract: 本申请提供一种电子书，设有第1～第4显示面，该电子书设有：具有所述第1显示面的第1单面发光显示面板；具有所述第2及第3显示面的两面发光面板；具有所述第4显示面的第2单面发光显示面板，所述两面发光面板插入所述第1单面发光显示面板和所述第2单面发光显示面板之间，用于所述两面发光面板的基板是膜基板。
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公开(公告)号：CN100594748C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200480007898.X
申请日：2004-01-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3251 , G06F1/1637 , G09G3/3225 , G09G2300/08 , G09G2320/0626 , G09G2380/14 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L27/3246 , H01L27/3267 , H01L31/0232 , H01L33/08 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/60 , H01L51/0011 , H01L51/5012 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5262 , H01L2251/558 , H01L2924/0002 , Y10T428/24942 , H01L2924/00
Abstract: 将1个像素划分为具有第1发光元件的第1区域和具有第2发光元件的第2区域，将第1区域定为从一个方向射出的区域，将第2区域定为与第1区域的相反方向射出的区域。通过分别独立地驱动上述像素的第1发光元件和第2发光元件，可在表面上独立地显示图像。
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公开(公告)号：CN101455121A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019566.7
申请日：2007-05-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 藤井照幸
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/1248 , H01L27/3283 , H01L29/458 , H01L51/56
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在低成本下制造的具有优异可重复性的半导体器件。用于制造半导体器件的方法包括以下步骤，在衬底上方形成第一电极；在衬底和第一电极上方形成绝缘层；将模子压在绝缘层上以在绝缘层中形成开口；将模子从其中形成了开口的绝缘层上分开；将其中形成了开口的绝缘层硬化从而形成隔墙；在第一电极和隔墙上方形成发光层；以及在发光层上方形成第二电极。作为形成隔墙的方法，使用纳米压印。绝缘层含有聚硅烷。氧化硅膜形成的隔墙通过UV光照射和加热形成。
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公开(公告)号：CN1797739A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510128580.3
申请日：2005-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L27/124 , C23F1/20 , C23F1/26 , G02F1/136227 , G02F2001/13629 , H01L21/32134 , H01L21/32136 , H01L21/76838 , H01L21/76885
Abstract: 本发明的目标是提供包含具有优选形状的布线的半导体器件。在制造方法中，包含步骤：形成连接到元件的第一导电层并在该导电层上形成第二导电层；在该第二导电层上形成抗蚀剂掩模；使用该掩模进行干法蚀刻处理该第二导电层；并使用剩下的掩模进行湿法蚀刻来处理该第一导电层，其中在该干法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率高于第一导电层的蚀刻速率，且其中在该湿法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率等于或高于第一导电层的蚀刻速率。
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