公开(公告)号：CN102681235B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210133219.X

申请日：2008-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥绘里香 ,  藤井严 ,  深井修次 ,  西毅

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/13394 ,  G02F1/13392 ,  G02F2202/28

Abstract: 更准确地控制液晶显示装置中的隔离件的定位，以便防止因显示区域中的不正确定位而引起的显示缺陷。提供具有更高图像质量和可靠性的液晶显示装置，以及提供用于以高产量制造液晶显示装置的方法。在液晶显示装置中，球形隔离件被排放到的区域经过拒液处理，以便降低相对于其中散布了球形隔离件的液体的可湿性。液体(微滴)没有遍布于拒液区域，并且在将球形隔离件朝液体的中心移动时被干燥。因此，可通过在干燥液体时移动球形隔离件，来校正液体中的失控所引起的排放之后不久的不正确定位。

公开(公告)号：CN100592477C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200610107560.2

申请日：2006-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0272 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76874 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244

Abstract: 半导体装置制造方法，包括步骤：在具有透光性能的衬底上形成栅电极层；在该栅电极层上形成栅绝缘层；在该栅绝缘层上形成光催化剂材料；将该光催化剂材料浸没在包含电镀催化剂材料的溶液中，以栅电极层为掩模在包含该电镀催化剂材料的溶液中将该光催化剂材料曝光于透射穿过衬底的光线，从而将该电镀催化剂材料吸附或沉积到被曝光的光催化剂材料上；将该电镀催化剂材料浸没在包含金属材料的电镀溶液中，从而在吸附或沉积该电镀催化剂材料的光催化剂材料表面上形成源电极层和漏电极层；以及在该源电极层和漏电极层上形成半导体层。

公开(公告)号：CN101424829A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810173990.3

申请日：2008-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥绘里香 ,  藤井严 ,  深井修次 ,  西毅

IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/13394 ,  G02F1/13392 ,  G02F2202/28

Abstract: 更准确地控制液晶显示装置中的隔离件的定位，以便防止因显示区域中的不正确定位而引起的显示缺陷。提供具有更高图像质量和可靠性的液晶显示装置，以及提供用于以高产量制造液晶显示装置的方法。在液晶显示装置中，球形隔离件被排放到的区域经过拒液处理，以便降低相对于其中散布了球形隔离件的液体的可湿性。液体(微滴)没有遍布于拒液区域，并且在将球形隔离件朝液体的中心移动时被干燥。因此，可通过在干燥液体时移动球形隔离件，来校正液体中的失控所引起的排放之后不久的不正确定位。

公开(公告)号：CN101125324A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710141674.3

申请日：2007-08-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严

IPC: B05D1/02 ,  B05B9/03 ,  B05B15/00 ,  B05B12/00

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B41J2/04508 ,  B41J2/04581 ,  B41J2/04588 ,  B41J2/175 ,  B41J2/17509 ,  B41J2/19 ,  B41J2202/07

Abstract: 本发明的目的在于提供一种成膜方法及液滴喷射方法，其中在液滴喷射装置中去除加压室内的气泡以防止喷射不良，而不废弃大量的材料。提供以下工序：在液滴喷射装置中，在喷射材料之前使连接于加压室的材料供应部内处于减压状态，去除存在于加压室内的气泡。密封连接到外部的流道如加压室的喷嘴表面的开口和材料供应部的材料注入口等，并且使用泵等减压装置从连接到材料供应部的进出口减压加压室及材料供应部。

公开(公告)号：CN101124677A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200680004452.0

申请日：2006-02-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/768 ,  H01L51/05 ,  H01L23/522 ,  H01L27/28

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L23/5254 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是以低成本提供制造较高可靠性的存储器装置和半导体装置的技术，该半导体装置装配有存储器装置。本发明的半导体装置具有第一导电层，与第一导电层的侧端部接触的第一绝缘层，在第一导电层和第一绝缘层上提供的第二绝缘层，以及在第二绝缘层上提供的第二导电层。第二绝缘层是由绝缘材料形成的，且在绝缘材料流体化时对流体化物质的可润湿性比第一导电层的高。

公开(公告)号：CN101038857A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710085416.8

申请日：2007-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  神保安弘 ,  藤井严 ,  木村肇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133711 ,  G02F1/133734 ,  G02F1/133784 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/167 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1896 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在具有透光性质的衬底上形成光催化层和与所述光催化层接触的有机化合物层；在具有透光性质的衬底上形成元件形成层，使光催化层和与所述光催化层接触的有机化合物层夹在所述衬底和元件形成层之间；在使用光通过具有透光性质的衬底照射光催化层之后，将所述元件形成层与具有透光性质的衬底分离。

公开(公告)号：CN1934687A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009603.7

申请日：2005-03-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  藤井严

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种通过使用微滴排放方法以自对准的方式制造薄膜晶体管的方法，其不必考虑微滴排放装置的排放位置精度。根据本发明，可以采用有机树脂膜或类似物，并通过内腐蚀、曝光、显影等处理成为预定的形状。通过利用具有预定形状的有机树脂膜作为掩模，可以刻蚀掉含有一种导电类型杂质的半导体层。通过利用具有预定形状的有机树脂膜，可以对区域进行不同的润湿。

公开(公告)号：CN102522504B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201110437252.7

申请日：2007-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严 ,  高桥绘里香

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  G02F1/167

CPC classification number: H01L51/0022 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明的一种半导体装置的制造方法包括如下步骤：在透光衬底上形成栅电极；在所述栅电极和所述衬底上形成包含无机材料的栅绝缘层；在所述绝缘层上形成包含光聚合反应基的有机层；将所述栅电极用作掩模，且通过将来自所述衬底的背面的光照射到所述有机层选择性地聚合所述有机层；通过去除所述有机层的聚合以外的剩余部分，形成有机聚合层；在形成了所述有机聚合层的区域以外的区域的所述栅绝缘层上形成具有水解基的有机硅烷膜；通过在所述有机聚合层上涂敷包含导电材料的组成物形成源电极及漏电极；以及在所述栅电极、所述源电极、以及漏电极上形成半导体层。

公开(公告)号：CN101681579B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN200880020348.X

申请日：2008-06-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井严 ,  高桥绘里香

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/133345

Abstract: 一种显示装置，其包括：包含导电聚合物的电极层(1701a)以及显示层(1703)，该显示层可以是液晶层。在电极层和显示层之间设置无机绝缘膜(1716)。该膜防止电极层中的离子性杂质移动到显示层中使液晶层中的意境材料等劣化。

公开(公告)号：CN101630639B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200910161174.5

申请日：2005-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  藤井严 ,  城口裕子 ,  森末将文

IPC: H01L21/02 ,  B05D1/12

CPC classification number: G02B5/201 ,  G03F7/0007 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3281 ,  H01L27/3295 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种通过简单的步骤制造具有包括绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的基板的方法，以及以高产量制造低成本的半导体器件的方法。根据本发明，在基板上形成具有低润湿性的第一保护膜之后，在第一掩模图案的外缘上施加或排放具有高润湿性的材料，从而可形成膜图案和具有膜图案的基板。