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公开(公告)号：CN103548263B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201280023807.6
申请日：2012-05-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 米田诚一
IPC: H03K3/356 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/786 , H03K3/037
CPC classification number: H03K19/00315 , H03K19/0963
Abstract: 一种半导体装置，其中输入端子与第一传输门的第一端子电连接；所述第一传输门的第二端子与第一反相器的第一端子和功能电路的第二端子电连接；所述第一反相器的第二端子和所述功能电路的第一端子与第二传输门的第一端子电连接；所述第二传输门的第二端子与第二反相器的第一端子和钟控反相器的第二端子电连接；所述第二反相器的第二端子和所述钟控反相器的第一端子与输出端子电连接；且所述功能电路包括在具有小关态电流的晶体管和电容器之间的数据保持部分。
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公开(公告)号：CN102034122B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201010513767.6
申请日：2010-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K17/00
CPC classification number: G06K19/07 , G06K19/0701 , G11C5/142
Abstract: 半导体器件包括存储部分、逻辑部分和用于电连接该存储部分与该逻辑部分的多个信号线。在半导体器件和通信装置之间的传送率是α[bps]的情况下，在该逻辑部分中产生的第一时钟频率是Kα[Hz](K是1或更大的整数)，该多个信号线的读信号线的数量是n(n是2或更大的整数)，并且在该逻辑部分中产生的第二时钟频率是Lα/n[Hz](L是满足L/n＜K的任意整数)，存储在存储部分中的数据用该第二时钟频率Lα/n[Hz]通过该n个读信号线读取到逻辑部分。
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公开(公告)号：CN103563254A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280024149.2
申请日：2012-05-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/177
CPC classification number: H03K19/0013 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869 , H03K19/0008 , H03K19/17736 , H03K19/17744
Abstract: 一个目的是提供一种可编程逻辑装置，该可编程逻辑装置包括通过可编程开关彼此连接的逻辑块，其中所述可编程开关的特征在于包括氧化物半导体晶体管。由于氧化物半导体晶体管能够高能力地保持与该氧化物半导体晶体管连接的晶体管的栅电极电位，所以该具有极低的关态电流的氧化物半导体晶体管提供非易失性存储器的功能。通过氧化物半导体晶体管的作为非易失性存储器的功能，即使在没有电源电位的供给的情况下，也能够保持用来控制逻辑块的连接的配置数据。因此，可以省略装置启动时重新写入配置数据的步骤，由此可以降低装置的耗电量。
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公开(公告)号：CN103534950A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023593.2
申请日：2012-05-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/173
CPC classification number: H03K19/1776 , H01L27/0688 , H01L27/11803 , H01L27/1225 , H03K19/17736 , H03K19/17764 , H03K19/17772
Abstract: 本发明一个目的是提供一种即使在没有电源电位的供给的情况下也可以保持配置数据，并且电源提供后的逻辑块的启动时间短，并可以低耗电量驱动的可编程逻辑装置。可编程开关的存储部中的晶体管包括能够充分减小晶体管的关态电流的材料，如宽带隙半导体的氧化物半导体材料。当使用能够充分减小晶体管的关态电流的半导体材料，即使在没有电源电位的供给的情况下也可以保持配置数据。
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公开(公告)号：CN112189261B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201980035037.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10F39/18 , H04N25/771 , H04N25/79
Abstract: 提供一种能够以短时间间隔取得与高分辨率的图像对应的摄像数据的摄像装置。摄像装置包括设置有光电转换元件和n个(n为2以上的整数)保持电路的像素。光电转换元件及n个保持电路互相层叠。光电转换元件的一个电极与第一至第n保持电路电连接。保持电路包括具有关态电流极低的特性的OS晶体管，可以长期间保持摄像数据。在第一至第n期间，摄像装置取得第一至第n摄像数据并将其保持在第一至第n保持电路中。然后，读出第一至第n保持电路所保持的第一至第n摄像数据。对被读出的摄像数据进行AD转换并将其输出到摄像装置的外部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116057951A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180047723.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N25/70
Abstract: 提供一种高功能的摄像装置。提供一种小型摄像装置。提供一种能够进行高速工作的摄像装置等。提供一种可靠性高的摄像装置。该摄像装置包括像素阵列以及该像素阵列上的遮光层及透明导电层，遮光层具有与第一像素重叠的第一区域及与第二像素重叠的第二区域，透明导电层具有与第一区域重叠的区域及与第二区域重叠的区域，透明导电层具有透光性，透明导电层与第一区域及第二区域电连接，第一光入射到第一像素所包括的光电转换器件，第二光入射到第二像素所包括的光电转换器件，该摄像装置具有使用转换第一光而成的第一电信号和转换第二光而成的第二电信号进行成像的焦点位置的检测的功能。
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公开(公告)号：CN115885472A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180046435.8
申请日：2021-07-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K3/356
Abstract: 提供一种功耗得到降低的半导体装置。一种包括差动电路和锁存电路的半导体装置，其中差动电路包括在沟道形成区域含有氧化物半导体的晶体管，锁存电路包括在沟道形成区域含有单体半导体或化合物半导体的晶体管。差动电路与锁存电路具有彼此重叠的区域。
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公开(公告)号：CN113711339A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080029996.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/3205 , G11C11/54 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/146 , H01L21/336 , H01L29/786 , H04N5/347 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置。该摄像装置可以将在摄像工作中获取的模拟数据(图像数据)保持在像素中而从该像素取出该模拟数据乘以任意权系数的数据。通过将该数据引入神经网络等，可以进行图像识别等处理。由于可以将庞大的图像数据以模拟数据的状态保持在像素中，所以可以高效地进行处理。
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公开(公告)号：CN107316865B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201710418274.6
申请日：2012-05-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/118 , H03K19/1776 , H03K19/17764 , H03K19/17772
Abstract: 一个目的是提供一种即使在没有电源电位的供给的情况下也可以保持配置数据，并且电源提供后的逻辑块的启动时间短，并可以低耗电量驱动的可编程逻辑装置。可编程开关的存储部中的晶体管包括能够充分减小晶体管的关态电流的材料，如宽带隙半导体的氧化物半导体材料。当使用能够充分减小晶体管的关态电流的半导体材料，即使在没有电源电位的供给的情况下也可以保持配置数据。
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公开(公告)号：CN107316865A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710418274.6
申请日：2012-05-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/06 , H01L27/118 , H01L27/12 , H03K19/177
Abstract: 一个目的是提供一种即使在没有电源电位的供给的情况下也可以保持配置数据，并且电源提供后的逻辑块的启动时间短，并可以低耗电量驱动的可编程逻辑装置。可编程开关的存储部中的晶体管包括能够充分减小晶体管的关态电流的材料，如宽带隙半导体的氧化物半导体材料。当使用能够充分减小晶体管的关态电流的半导体材料，即使在没有电源电位的供给的情况下也可以保持配置数据。
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