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公开(公告)号：CN112189261A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201980035037.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 提供一种能够以短时间间隔取得与高分辨率的图像对应的摄像数据的摄像装置。摄像装置包括设置有光电转换元件和n个(n为2以上的整数)保持电路的像素。光电转换元件及n个保持电路互相层叠。光电转换元件的一个电极与第一至第n保持电路电连接。保持电路包括具有关态电流极低的特性的OS晶体管，可以长期间保持摄像数据。在第一至第n期间，摄像装置取得第一至第n摄像数据并将其保持在第一至第n保持电路中。然后，读出第一至第n保持电路所保持的第一至第n摄像数据。对被读出的摄像数据进行AD转换并将其输出到摄像装置的外部。
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公开(公告)号：CN112840201A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980066623.X
申请日：2019-10-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01N21/27 , A61B5/1455 , G01J1/02 , H01L27/146 , H01L27/15 , H01L29/786 , H01L31/12 , H01L51/50 , H04N5/369 , H05B33/02 , H05B33/14
Abstract: 提供一种包括发光元件和传感器元件并具有柔性的半导体装置。该半导体装置包括传感器装置、处理器及通信装置。传感器装置在具有柔性的衬底上形成有第一像素和第二像素。第一像素包括发光元件和第一晶体管，第二像素包括具有光电转换功能的传感器元件和第二晶体管，发光元件射出的光具有峰波长。传感器元件所检测的波长范围包括该峰波长。第一晶体管的半导体层和第二晶体管的半导体层包含相同的元素，发光元件的像素电极具有与第一晶体管电连接的功能并且能够遮蔽对传感器元件的扩散光。
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公开(公告)号：CN112189261B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201980035037.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10F39/18 , H04N25/771 , H04N25/79
Abstract: 提供一种能够以短时间间隔取得与高分辨率的图像对应的摄像数据的摄像装置。摄像装置包括设置有光电转换元件和n个(n为2以上的整数)保持电路的像素。光电转换元件及n个保持电路互相层叠。光电转换元件的一个电极与第一至第n保持电路电连接。保持电路包括具有关态电流极低的特性的OS晶体管，可以长期间保持摄像数据。在第一至第n期间，摄像装置取得第一至第n摄像数据并将其保持在第一至第n保持电路中。然后，读出第一至第n保持电路所保持的第一至第n摄像数据。对被读出的摄像数据进行AD转换并将其输出到摄像装置的外部。
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公开(公告)号：CN114902323A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080069181.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3233 , G09G3/20 , G09G3/30 , G09F9/30 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/32 , H01L29/786 , H05B33/02 , H01L51/50
Abstract: 提供一种高亮度的显示装置。像素包括发光器件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容器及第二电容器。发光器件的一个电极与第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接。第一晶体管的栅极与第一电容器的一个电极及第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接。第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二电容器的一个电极电连接。第二电容器的一个电极与具有供应第一电位的功能的第一布线电连接。第二电容器的另一个电极与第一电容器的另一个电极、第三晶体管的源极和漏极中的一个及第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接。
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公开(公告)号：CN110651468B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201880033542.5
申请日：2018-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/341 , H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置。将在摄像工作中取得的模拟数据(图像数据)保持在像素，在该像素中进行该模拟数据与任意权系数的积和运算，转换为2值数据。通过将该2值数据引入神经网络等，可以进行图像识别等处理。由于可以将庞大图像数据以模拟数据的状态保持在像素，所以可以高效地进行处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113412511A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080013244.7
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G5/00 , G09G3/20 , G09G3/3233 , G09G3/3291 , H01L27/32 , H04N5/64 , G02B27/01 , H01L51/50
Abstract: 目的是提供一种能够准确地识别使用者的脸的特征的电子设备。一种眼镜式电子设备包括第一光学部件、第二光学部件、镜架、摄像装置、特征抽取单元以及感情推断单元，镜架与第一光学部件的侧面及第二光学部件的侧面接触，摄像装置与镜架接触，摄像装置具有检测出使用者的脸的一部分的功能，特征抽取单元具有从所检测出的脸的一部分抽取出使用者的脸的特征的功能，并且感情推断单元具有从所抽取的特征推断出关于使用者的信息的功能。
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公开(公告)号：CN112236869A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201980036289.3
申请日：2019-05-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H03K3/356
Abstract: 提供一种校正阈值电压来提高运算精确度的半导体装置。该半导体装置包括第一电流源电路及第二电流源电路，第二电流源电路具有与第一电流源电路相同的结构。第一电流源电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器及第一至第三节点。第一晶体管的第一端子与第一节点电连接，第一晶体管的背栅极与第二晶体管的第一端子及第一电容器的第一端子电连接。第一晶体管的栅极与第二节点电连接，第一电容器的第二端子与第一晶体管的第二端子电连接。第一电流源电路的第一节点与第一及第二电流源电路的第二节点电连接。通过对第一晶体管的背栅极写入校正电压，改变第一晶体管的阈值电压。
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公开(公告)号：CN110651468A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880033542.5
申请日：2018-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/341 , H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置。将在摄像工作中取得的模拟数据(图像数据)保持在像素，在该像素中进行该模拟数据与任意权系数的积和运算，转换为2值数据。通过将该2值数据引入神经网络等，可以进行图像识别等处理。由于可以将庞大图像数据以模拟数据的状态保持在像素，所以可以高效地进行处理。
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公开(公告)号：CN112119446B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN201980031507.4
申请日：2019-05-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G02F1/1368 , G09F9/30 , G09G3/3233 , G09G3/3275 , G09G3/36 , H10K59/121 , H10K59/131 , H10K59/123 , H10K50/10 , H10D30/67 , H05B33/14
Abstract: 提供一种清晰度高的显示装置。提供一种小型显示装置。一种层叠有第一层以及第二层的显示装置。第一层包括栅极驱动电路以及源极驱动电路，第二层包括显示部。栅极驱动电路及源极驱动电路以具有与显示部重叠的区域的方式设置。另外，栅极驱动电路和源极驱动电路不被明确地分开且具有彼此重叠的区域。栅极驱动电路及源极驱动电路都可以设置五个以上。
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公开(公告)号：CN114628425A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210183435.9
申请日：2018-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H01L29/786 , H04N5/341 , H04N5/347 , H04N5/3745
Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置及电子设备。将在摄像工作中取得的模拟数据(图像数据)保持在像素，在该像素中进行该模拟数据与任意权系数的积和运算，转换为2值数据。通过将该2值数据引入神经网络等，可以进行图像识别等处理。由于可以将庞大图像数据以模拟数据的状态保持在像素，所以可以高效地进行处理。
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