-
公开(公告)号：CN110651468B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201880033542.5
申请日：2018-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/341 , H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置。将在摄像工作中取得的模拟数据(图像数据)保持在像素，在该像素中进行该模拟数据与任意权系数的积和运算，转换为2值数据。通过将该2值数据引入神经网络等，可以进行图像识别等处理。由于可以将庞大图像数据以模拟数据的状态保持在像素，所以可以高效地进行处理。
-
公开(公告)号：CN110651468A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880033542.5
申请日：2018-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/341 , H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置。将在摄像工作中取得的模拟数据(图像数据)保持在像素，在该像素中进行该模拟数据与任意权系数的积和运算，转换为2值数据。通过将该2值数据引入神经网络等，可以进行图像识别等处理。由于可以将庞大图像数据以模拟数据的状态保持在像素，所以可以高效地进行处理。
-
公开(公告)号：CN117993454A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410134170.2
申请日：2018-06-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种能够高效地进行利用神经网络的图像识别的半导体装置。半导体装置包括移位寄存器群、D/A转换器以及积和运算电路。积和运算电路包括模拟存储器，并储存滤波器的参数。移位寄存器群提取图像数据，在使图像数据移位的同时将图像数据的一部分输出到D/A转换器。D/A转换器将被输入的图像数据的一部分转换为模拟数据而输出到积和运算电路。
-
公开(公告)号：CN114628425A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210183435.9
申请日：2018-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H01L29/786 , H04N5/341 , H04N5/347 , H04N5/3745
Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置及电子设备。将在摄像工作中取得的模拟数据(图像数据)保持在像素，在该像素中进行该模拟数据与任意权系数的积和运算，转换为2值数据。通过将该2值数据引入神经网络等，可以进行图像识别等处理。由于可以将庞大图像数据以模拟数据的状态保持在像素，所以可以高效地进行处理。
-
公开(公告)号：CN112840568A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980068262.2
申请日：2019-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K21/00 , G11C19/28 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786
Abstract: 降低半导体装置的功耗。半导体装置包括由动态电路构成的锁存电路。锁存电路包括具有译码功能的第一电路、多个电容器、多个时钟输入端子、信号输入端子、第一输出端子及第二输出端子。在第一时钟信号为“H”信号的期间，第一电容器的电位根据第一电路的译码结果而被刷新。在第二时钟信号为“H”信号的期间，第二电容器的电位根据第一电容器的电位而被刷新，第一输出端子接收第二电容器的电位作为第一输出信号。在第三时钟信号为“H”信号的期间，第三电容器的电位根据第二电容器的电位而被刷新，第二输出端子接收第三电容器的电位作为第二输出信号。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110770737B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201880039973.2
申请日：2018-06-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/60 , G06N3/065 , H01L29/786
-
公开(公告)号：CN110770737A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880039973.2
申请日：2018-06-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/60 , G06N3/063 , H01L29/786
Abstract: 提供一种能够高效地进行利用神经网络的图像识别的半导体装置。半导体装置包括移位寄存器群、D/A转换器以及积和运算电路。积和运算电路包括模拟存储器，并储存滤波器的参数。移位寄存器群提取图像数据，在使图像数据移位的同时将图像数据的一部分输出到D/A转换器。D/A转换器将被输入的图像数据的一部分转换为模拟数据而输出到积和运算电路。
-
公开(公告)号：CN111373476B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN201880075638.8
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/408 , G11C7/04 , H10B12/00
Abstract: 提供一种同时实现高温下的保持工作和低温下的高速工作的存储装置。该存储装置包括驱动器电路以及多个存储单元，存储单元包括晶体管及电容器，晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。当晶体管包括第一栅极及第二栅极时，驱动器电路具有驱动第二栅极的功能，在存储单元保持数据的期间，驱动器电路将与存储装置的温度或存储装置被设置的环境的温度对应的电位输出到第二栅极。
-
公开(公告)号：CN113196666A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980082466.1
申请日：2019-12-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/00 , H03K19/0175 , H03K19/094
Abstract: 提供一种使用单极晶体管的半导体装置，其中稳态电流没有流过且可以利用高电源电位及低电源电位表示高电平或低电平。半导体装置包括第一至第四晶体管、第一及第二电容元件、第一及第二布线、第一及第二输入端子以及输出端子。第四晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接，第四晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个、第二电容元件的一个端子以及第三晶体管的栅极电连接。第四晶体管的栅极与第一输入端子、第一电容元件的一个端子以及第一晶体管的栅极电连接，第二晶体管的栅极与第二输入端子电连接。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第一电容元件的另一个端子、第二电容元件的另一个端子、第三晶体管的源极和漏极中的一个以及输出端子电连接。第二晶体管的源极和漏极中的另一个以及第三晶体管的源极和漏极中的另一个与第二布线电连接。
-
公开(公告)号：CN111373476A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201880075638.8
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/408 , G11C7/04 , H01L21/8242 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种同时实现高温下的保持工作和低温下的高速工作的存储装置。该存储装置包括驱动器电路以及多个存储单元，存储单元包括晶体管及电容器，晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。当晶体管包括第一栅极及第二栅极时，驱动器电路具有驱动第二栅极的功能，在存储单元保持数据的期间，驱动器电路将与存储装置的温度或存储装置被设置的环境的温度对应的电位输出到第二栅极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.024 seconds)
