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公开(公告)号：CN106099042A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610631472.6
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525 , Y10T29/43 , Y10T29/49115 , H01M4/133 , H01M4/366 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/058
Abstract: 本发明提供蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式提供一种起因于伴随充放电的硅的体积变化的电池特性的劣化得到抑制的锂离子二次电池。负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp2键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
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公开(公告)号：CN119421415A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411539728.1
申请日：2019-04-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一层以及第一层上的第二层，第一层及第二层各自包括晶体管，第一层中的晶体管及第二层中的晶体管各自包括第一氧化物、第一氧化物上的第一导电体及第二导电体、以覆盖第一导电体、第二导电体及第一氧化物的方式配置的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第一氧化物上的在第一导电体与第二导电体之间配置的第二氧化物、第二氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及与第二绝缘体的顶面、第二氧化物的顶面、第三绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触的第四绝缘体，第一绝缘体及第四绝缘体与第二绝缘体相比不容易使氧透过。
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公开(公告)号：CN106099042B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201610631472.6
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525 , Y10T29/43 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式提供一种起因于伴随充放电的硅的体积变化的电池特性的劣化得到抑制的锂离子二次电池。负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp2键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
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公开(公告)号：CN103178240B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201210553567.2
申请日：2012-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/70
CPC classification number: H01M4/70 , B82Y40/00 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/661
Abstract: 本发明涉及非水二次电池用负极、非水二次电池及其制造方法。本发明的一个方式提供一种非水二次电池，在该非水二次电池中，充放电容量大，能够进行急速充放电，且充放电所导致的电池特性的劣化少。一种负极，该负极包括集电体及活性物质层，其中，集电体具有在实质上垂直的方向延伸的多个突起部及与多个突起部连接的基础部，突起部及基础部包括含有钛的共同材料，突起部的顶面、侧面及基础部的顶面被活性物质层覆盖，并且，活性物质层具有多个晶须。另外，活性物质也可以被石墨烯覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102810672B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210179710.6
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/62 , H01M4/134 , H01M10/0525 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525 , Y10T29/43 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式提供一种起因于伴随充放电的硅的体积变化的电池特性的劣化得到抑制的锂离子二次电池。负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp2键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
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公开(公告)号：CN110678989B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201880016444.0
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H10B12/00
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：第一导电体；第一导电体上的第二导电体；覆盖第二导电体的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；以及第一氧化物上的第二氧化物，其中，在第一氧化物及第一绝缘体中设置有至少与第一导电体的一部分重叠的开口，并且，第二氧化物通过开口与第(56)对比文件张新安;张景文;张伟风;侯洵.氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展.现代显示.2009,(第04期),全文及附图.
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公开(公告)号：CN112005350A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980027125.4
申请日：2019-04-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L23/532 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一层以及第一层上的第二层，第一层及第二层各自包括晶体管，第一层中的晶体管及第二层中的晶体管各自包括第一氧化物、第一氧化物上的第一导电体及第二导电体、以覆盖第一导电体、第二导电体及第一氧化物的方式配置的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第一氧化物上的在第一导电体与第二导电体之间配置的第二氧化物、第二氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及与第二绝缘体的顶面、第二氧化物的顶面、第三绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触的第四绝缘体，第一绝缘体及第四绝缘体与第二绝缘体相比不容易使氧透过。
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公开(公告)号：CN111448669A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079057.1
申请日：2018-11-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。半导体装置包括导电体、与导电体的侧面接触的第一绝缘体、与导电体的顶面及第一绝缘体的顶面接触的第二绝缘体以及第二绝缘体上的氧化物，氧化物具有隔着第二绝缘体与导电体重叠的区域，导电体的顶面的粗糙度曲线的最大高度(Rz)为6.0nm以下，区域包含结晶，结晶的c轴取向于导电体的顶面的法线方向。
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公开(公告)号：CN102969529B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201210312716.6
申请日：2012-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/134 , H01G9/042
CPC classification number: H01M4/134 , H01G11/06 , H01G11/30 , H01G11/50 , H01M10/0525 , H01M2220/20 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022 , Y10T428/23943
Abstract: 本发明提供一种在将硅用于负极活性物质时能够提高放电容量等蓄电装置的性能的蓄电装置及其制造方法。本发明提供一种蓄电装置，包括：集电体；以及集电体上的用作活性物质层的硅层，其中，硅层包括：与集电体接触的薄膜状部分；多个根块；以及从多个根块的每一个延伸出的多个须状突起物，并且，从多个根块中的一个根块延伸出的须状突起物的一部分与从多个根块中的其他根块延伸出的须状突起物的一部分结合。
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