公开(公告)号：CN102738002B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201210098750.8

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤裕平 ,  佐藤惠司 ,  佐佐木俊成 ,  丸山哲纪 ,  矶部敦生 ,  村川努 ,  手塚祐朗

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/477

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。

公开(公告)号：CN102077354B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN200980124788.4

申请日：2009-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  神保安弘 ,  手塚祐朗 ,  大力浩二 ,  宫入秀和 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管包括在栅极绝缘层和源区及漏区之间且至少在源区及漏区一侧的作为缓冲层的具有氮或NH基的非晶半导体层。与其沟道形成区域中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的导通电流可提高。此外，与其沟道形成区域具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的截止电流可降低。

公开(公告)号：CN102738002A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210098750.8

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤裕平 ,  佐藤惠司 ,  佐佐木俊成 ,  丸山哲纪 ,  矶部敦生 ,  村川努 ,  手塚祐朗

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/477

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。

公开(公告)号：CN102243992A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110126400.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 手塚祐朗 ,  神保安弘 ,  佐佐木俊成 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78648 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种高生产率地制造电特性优良的半导体装置的方法。在微粒密度低地提供高晶性的混合相微粒的第一条件下，在氧化绝缘膜上形成第一微晶半导体膜。然后，在使混合相微粒进行结晶生长来填充混合相微粒之间的空隙的第二条件下，在所述第一微晶半导体膜上层叠第二微晶半导体膜。

公开(公告)号：CN112823415A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201980066151.8

申请日：2019-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  石川纯 ,  手塚祐朗 ,  掛端哲弥

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括第一氧化物、第一氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体上的第一绝缘体、第二导电体上的第二绝缘体、第一绝缘体及第二绝缘体上的第三绝缘体、在第一氧化物上配置在第一导电体与第二导电体之间的第二氧化物、第二氧化物上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第三导电体、接触于第三绝缘体的顶面、第二氧化物的顶面、第四绝缘体的顶面及第三导电体的顶面的第五绝缘体、嵌入到形成在第一绝缘体、第三绝缘体及第五绝缘体中的开口中且与第一导电体接触的第四导电体、以及嵌入到形成在第二绝缘体、第三绝缘体及第五绝缘体的开口中且与第二导电体接触的第五导电体，其中，第三绝缘体在与第四导电体的界面附近及与第五导电体的界面附近具有其氮浓度高于第三绝缘体的其他区域的区域。

公开(公告)号：CN110506325A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201880024826.8

申请日：2018-04-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  驹形大树 ,  惠木勇司 ,  奥野直树

IPC: H01L21/336 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。在氧化物上形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成第二绝缘体，在第二绝缘体上形成导电体，以接触于氧化物的顶面、第一绝缘体的侧面、第二绝缘体的侧面及导电体的侧面的方式形成第三绝缘体，在减压气氛下连续形成第一绝缘体及第二绝缘体。

公开(公告)号：CN107424927A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710291791.1

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤裕平 ,  佐藤惠司 ,  佐佐木俊成 ,  丸山哲纪 ,  矶部敦生 ,  村川努 ,  手塚祐朗

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/477 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66409

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。

公开(公告)号：CN102243992B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201110126400.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 手塚祐朗 ,  神保安弘 ,  佐佐木俊成 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78648 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种高生产率地制造电特性优良的半导体装置的方法。在低微粒密度地提供高晶性的混合相微粒的第一条件下，在氧化绝缘膜上形成第一微晶半导体膜。然后，在使所述第一微晶半导体膜的混合相微粒进行结晶生长来填充混合相微粒之间的空隙的第二条件下，在所述第一微晶半导体膜上层叠第二微晶半导体膜。

公开(公告)号：CN102077331A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980124705.1

申请日：2009-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  神保安弘 ,  手塚祐朗 ,  大力浩二 ,  宫入秀和 ,  山崎舜平 ,  广桥拓也

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管，包括作为缓冲层的半导体层，该半导体层包含氮，且在栅极绝缘层和源区及漏区之间的至少源区及漏区一侧的非晶结构中包括晶体区域。与在沟道形成区中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，可以提高薄膜晶体管的导通电流。并且，与在沟道形成区中具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，可以降低薄膜晶体管的截止电流。