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公开(公告)号：CN102790075A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210298582.7
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/04 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。
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公开(公告)号：CN100565910C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610006916.3
申请日：2006-01-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/40 , H01L23/522 , H01L21/288 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L51/0022 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造技术。此外，另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。在喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有连续波状形状的侧端部分的导电层。
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公开(公告)号：CN101252134A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810080855.4
申请日：2008-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1233 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11534 , H01L27/11546 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/1237 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其技术要点如下：在具有绝缘表面的同一衬底上形成有半导体层的膜厚度不相同的多种薄膜晶体管。通过将被要求高速工作的薄膜晶体管的半导体层的沟道形成区薄膜化，使该半导体层的沟道形成区的膜厚度薄于被要求对电压的高耐压性的薄膜晶体管的半导体层的沟道形成区，使沟道形成区的膜厚度变薄。而且，被要求高速工作的薄膜晶体管的栅极绝缘层的膜厚度可以薄于被要求对电压的高耐压性的薄膜晶体管的栅极绝缘层。
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公开(公告)号：CN102422338B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080019425.7
申请日：2010-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H05K1/189 , G02F1/133305 , G02F1/13452 , G02F1/167 , G06F3/0412 , G06F2203/04102 , G09G3/2096 , G09G3/3208 , G09G3/36 , G09G3/3611 , G09G5/003 , G09G5/39 , G09G2300/0421 , G09G2300/0478 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H05K2201/10128
Abstract: 显示设备包括：柔性显示面板(4311)，其包括显示部分(4301)，其中扫描线和信号线彼此交叉；支撑部分(4308)，用于支撑柔性显示面板(4311)的端部；信号线驱动电路(4323)，用于向为支撑部分(4308)提供的信号线输出信号；和扫描线驱动电路(4321a，4321b)，用于向沿着垂直于或基本垂直于支撑部分(4308)的方向为显示面板(4311)的柔性表面提供的扫描线输出信号。
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公开(公告)号：CN101378082B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200810212476.6
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1368
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102214699A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110140080.7
申请日：2007-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L27/12 , H01L23/52 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L21/76801 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 显示装置的制造方法当形成导电层时，在要形成的图形的外侧(相当于图形的轮廓、端部)附着液态的包含导电性材料的组合物，以形成框状的第一导电层(或绝缘层)。附着液态的第二包含导电性材料的组合物，以填充框状的第一导电层的内侧空间，从而形成第二导电层。第一导电层及第二导电层接合而形成，并且形成第一导电层以包围第二导电层的周围，所以可以将第一导电层及第二导电层可以用作连续的一个导电层。
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公开(公告)号：CN100570834C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200510106745.7
申请日：2005-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1277 , H01L27/1292 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L51/0005 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5281 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , Y02P80/30
Abstract: 本发明提供了一种用于制造显示装置的方法，该显示装置具有高速工作的TFT，同时利用少量光掩模并提高了材料的应用效率，其中阈值很难发生改变。在本发明中，将催化成分用于非晶形半导体膜中，对该非晶形半导体膜进行加热而形成结晶半导体膜。从该结晶半导体膜中清除掉膜该催化成分之后，制成具有平面结构的顶栅型薄膜晶体管。此外，通过使用选择性地形成显示装置元件的微滴释放法，可简化该过程并降低材料的损耗。
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公开(公告)号：CN100533746C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510091032.8
申请日：2005-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供了一种显示器件的制造方法，所述显示器件具有能够在较小阈值电压改变的情况下高速操作的TFT，其中高效率使用所述材料并且需要少量光掩模。本发明的显示器件包括形成在绝缘表面上的栅电极层和像素电极层、形成在栅电极层上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的晶体半导体层、形成得与晶体半导体层相接触的具有一种导电类型的半导体层、形成得与具有一种导电类型的半导体层相接触的源电极层和漏电极层、稍后形成在源电极层、漏电极层和像素电极层上的绝缘层、形成在绝缘层中以到达源电极层或漏电极层的第一开口、形成在栅绝缘层和绝缘层中以到达像素电极层的第二开口、以及形成在第一开口和第二开口中以便于将源电极层或漏电极层与像素电极层电连接的配线层。
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公开(公告)号：CN101276736A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086790.4
申请日：2008-03-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66772
Abstract: 本发明的目的在于高生产率且高成品率地在大面积衬底上制造高性能的半导体元件、及集成电路。当从单晶半导体衬底(键合片)转置单晶半导体层时，通过对单晶半导体衬底选择性地进行蚀刻(也称为形成槽的加工)来形成分成为多个的单晶半导体层，然后将该多个单晶半导体层转置到异种衬底(支撑衬底)，该单晶半导体层的尺寸是所制造的半导体元件的尺寸。因此，可以在支撑衬底上形成多个岛状单晶半导体层(SOI层)。
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公开(公告)号：CN101101872A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127144.3
申请日：2007-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76801 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 当形成导电层时，在要形成的图形的外侧(相当于图形的轮廓、端部)附着液态的包含导电性材料的组合物，以形成框状的第一导电层(或绝缘层)。附着液态的第二包含导电性材料的组合物，以填充框状的第一导电层的内侧空间，从而形成第二导电层。第一导电层及第二导电层接合而形成，并且形成第一导电层以包围第二导电层的周围，所以可以将第一导电层及第二导电层可以用作连续的一个导电层。
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