公开(公告)号：CN105931967A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610352570.6

申请日：2012-04-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人 ,  佐藤裕平 ,  岡崎豊 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1274 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/383 ,  H01L21/44 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，而使该半导体装置高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中，形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜)，对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少一部分非晶化来形成包含过剩的氧的非晶氧化物半导体膜。在该非晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜之后，进行加热处理而使该非晶氧化物半导体膜的至少一部分结晶化，来形成包括具有大致垂直于其表面的结晶的氧化物半导体膜(也称为第二晶体氧化物半导体膜)。

公开(公告)号：CN101834201B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201010142748.7

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中村理 ,  山道亚希 ,  山出直人

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/77 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L27/1259 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3272 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/552

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件以及高成品率地制作该显示器件的制作方法。本发明的显示器件是一种包括显示区域的显示器件，该显示区域包括第一电极；覆盖该第一电极周围边缘的绝缘层；形成在所述第一电极上的包含有机化合物的层；以及第二电极，其中，给所述第一电极和所述绝缘层中掺杂赋予一个导电型的杂质元素。

公开(公告)号：CN110678989A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880016444.0

申请日：2018-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹内敏彦 ,  山出直人 ,  藤木宽士 ,  森若智昭 ,  木村俊介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：第一导电体；第一导电体上的第二导电体；覆盖第二导电体的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；以及第一氧化物上的第二氧化物，其中，在第一氧化物及第一绝缘体中设置有至少与第一导电体的一部分重叠的开口，并且，第二氧化物通过开口与第一导电体电连接。

公开(公告)号：CN110571278A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910878492.7

申请日：2014-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安藤善范 ,  宫人秀和 ,  山出直人 ,  比嘉麻子 ,  铃木视喜 ,  家田義纪 ,  铃木康太 ,  根井孝征 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/84 ,  H01L21/02 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/822 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。

公开(公告)号：CN105659369A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480057867.9

申请日：2014-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安藤善范 ,  宫人秀和 ,  山出直人 ,  比嘉麻子 ,  铃木视喜 ,  家田義纪 ,  铃木康太 ,  根井孝征 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。

公开(公告)号：CN1581429A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056427.X

申请日：2004-08-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/38 ,  H01L21/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L22/24 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  Y10S438/914

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够以最合适的载流子浓度执行掺杂，非破坏性且简便地获取所希望的电特性的掺杂装置、掺杂方法、以及使用该掺杂装置和掺杂方法的薄膜晶体管的制作方法。在本发明中，使用接触角正确且精密地监测半导体元件的电特性(薄膜晶体管中的阈值电压等)，通过控制掺杂方法从而控制特性。此外，根据本发明，借助用原地监测特性，可以随时获取信息，并在没有时间延迟的情况下执行反馈。

公开(公告)号：CN110462803B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201880020208.6

申请日：2018-03-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  山出直人 ,  藤木宽士 ,  村川努 ,  竹内敏彦

IPC: H01L21/336 ,  H10B12/00 ,  H01L29/786 ,  H03K19/17736

Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一区域、第二区域、与第一区域和第二区域相邻的第三区域、以及与第二区域相邻的第四区域的氧化物半导体；氧化物半导体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；氧化物半导体、第一绝缘体及第一导电体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体设置在第一绝缘体的侧面及第一导电体的侧面的第三绝缘体；第二绝缘体及第三绝缘体上的第四绝缘体；以及与氧化物半导体接触的第二导电体，第一区域与第一绝缘体接触并隔着第一绝缘体及导电体与第三绝缘体重叠，第二区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体与第三绝缘体重叠，第三区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体及第三绝缘体与第三绝缘体重叠，第四区域与第二导电体接触。

公开(公告)号：CN110462803A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880020208.6

申请日：2018-03-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  山出直人 ,  藤木宽士 ,  村川努 ,  竹内敏彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  H03K19/177

Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一区域、第二区域、与第一区域和第二区域相邻的第三区域、以及与第二区域相邻的第四区域的氧化物半导体；氧化物半导体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；氧化物半导体、第一绝缘体及第一导电体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体设置在第一绝缘体的侧面及第一导电体的侧面的第三绝缘体；第二绝缘体及第三绝缘体上的第四绝缘体；以及与氧化物半导体接触的第二导电体，第一区域与第一绝缘体接触并隔着第一绝缘体及导电体与第三绝缘体重叠，第二区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体与第三绝缘体重叠，第三区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体及第三绝缘体与第三绝缘体重叠，第四区域与第二导电体接触。

公开(公告)号：CN105659369B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201480057867.9

申请日：2014-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安藤善范 ,  宫人秀和 ,  山出直人 ,  比嘉麻子 ,  铃木视喜 ,  家田義纪 ,  铃木康太 ,  根井孝征 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。

公开(公告)号：CN105931967B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201610352570.6

申请日：2012-04-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人 ,  佐藤裕平 ,  岡崎豊 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，而使该半导体装置高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中，形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜)，对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少一部分非晶化来形成包含过剩的氧的非晶氧化物半导体膜。在该非晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜之后，进行加热处理而使该非晶氧化物半导体膜的至少一部分结晶化，来形成包括具有大致垂直于其表面的结晶的氧化物半导体膜(也称为第二晶体氧化物半导体膜)。