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公开(公告)号：CN1842745A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200480024785.0
申请日：2004-08-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G03F7/16 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法以及一种采用此薄膜晶体管的显示器件的制造方法，借助于简化制造工艺，能够以更低的成本和更高的成品率来制造这种薄膜晶体管。根据本发明，利用滴珠喷射方法来形成用于图形化工艺的图形。借助于选择性地喷射包含有机树脂的组分来形成图形。利用此图形，导电材料、绝缘体、或构成半导体元件的半导体，被简单的工艺图形化成所需的形状。
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公开(公告)号：CN1734776A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091032.8
申请日：2005-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供了一种显示器件的制造方法，所述显示器件具有能够在较小阈值电压改变的情况下高速操作的TFT，其中高效率使用所述材料并且需要少量光掩模。本发明的显示器件包括形成在绝缘表面上的栅电极层和像素电极层、形成在栅电极层上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的晶体半导体层、形成得与晶体半导体层相接触的具有一种导电类型的半导体层、形成得与具有一种导电类型的半导体层相接触的源电极层和漏电极层、稍后形成在源电极层、漏电极层和像素电极层上的绝缘层、形成在绝缘层中以到达源电极层或漏电极层的第一开口、形成在栅绝缘层和绝缘层中以到达像素电极层的第二开口、以及形成在第一开口和第二开口中以便于将源电极层或漏电极层与像素电极层电连接的配线层。
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公开(公告)号：CN1734736A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091030.9
申请日：2005-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1277 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供不易发生阈值偏离、具有能够高速运转的逆交错型TFT的半导体器件的制作方法。另外，还提供以减少原料来削减成本、且成品率高的半导体器件的制作方法。本发明用耐热性高的材料形成栅电极后，形成非晶半导体膜，在该非晶半导体膜上掺杂催化剂元素并加热形成结晶性半导体膜，在该结晶性半导体膜上形成具有施主型元素或稀有气体元素的层，并加热，将催化剂元素从结晶性半导体膜中除去后，用该结晶性半导体膜的一部分形成半导体区域，形成与该半导体区域通电的源电极和漏极电极，且形成与栅电极连接的栅布线，形成逆交错型的TFT，从而制成半导体器件。
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公开(公告)号：CN1707749A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510071693.4
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 前川慎志
Abstract: 公开了一种半导体装置的制造方法，其通过少量工艺和通过具有高可用性材料的手段，以具有高清晰度和具有高阶梯覆盖特性的栅绝缘来实现。根据本发明，半导体装置的制造方法包括如下步骤：在基板之上形成多个第一导电层；形成第一绝缘层以填充多个第一导电层的间隙；在第一绝缘层和多个第一导电层之上形成第二绝缘层；以及在第二绝缘层之上形成半导体区和第二导电层。
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公开(公告)号：CN1661775A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510004768.7
申请日：2005-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02B5/201 , G03F7/0007 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3281 , H01L27/3295 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种通过简单的步骤制造具有包括绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的基板的方法，以及以高产量制造低成本的半导体器件的方法。根据本发明，在基板上形成具有低润湿性的第一保护膜之后，在第一掩模图案的外缘上施加或排放具有高润湿性的材料，从而可形成膜图案和具有膜图案的基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101630639B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910161174.5
申请日：2005-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02B5/201 , G03F7/0007 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3281 , H01L27/3295 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种通过简单的步骤制造具有包括绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的基板的方法，以及以高产量制造低成本的半导体器件的方法。根据本发明，在基板上形成具有低润湿性的第一保护膜之后，在第一掩模图案的外缘上施加或排放具有高润湿性的材料，从而可形成膜图案和具有膜图案的基板。
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公开(公告)号：CN1894803B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200480037686.6
申请日：2004-12-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G06K19/067
CPC classification number: G06K19/07749 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/13 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78603 , H01L29/78684
Abstract: IC卡比磁卡要贵得多，电子标签作为条形码的替代物也要贵得多。因此，本发明的目的是提供与传统硅晶片的芯片不同、能低成本大量生产的极薄集成电路以及该集成电路的制造方法。本发明的一个特征是通过能够选择性地形成图形的形成方法，在除大块基板之外的玻璃基板、石英基板、不锈钢基板、由例如丙烯的具有柔性的合成树脂所制成的基板等上面形成薄型集成电路。此外，本发明的一个特征是形成其中装配有根据本发明的薄膜集成电路和天线的ID芯片。
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公开(公告)号：CN1722366B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200510075912.6
申请日：2005-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 前川慎志
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , G03F1/00 , G03F7/20
CPC classification number: H01L27/1288 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/32139 , H01L27/1214
Abstract: 提供了一种采用纳米压印方法制造半导体器件的方法，该半导体器件的成本可以降低。在本发明中，在半导体薄膜上依次形成栅绝缘膜、导电膜、和抗蚀剂，并在将形成了图形的模子压到抗蚀剂上的同时硬化抗蚀剂。因此，图形转移到抗蚀剂上，灰化被转移图形的抗蚀剂的表面，直到暴露导电膜的一部分，使用具有灰化的表面的抗蚀剂为掩模，并刻蚀导电膜。
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公开(公告)号：CN100593244C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200580008835.0
申请日：2005-03-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , G02F1/13 , G02F1/1368 , G09F9/00
CPC classification number: H01L29/78678 , G03F7/70791 , H01L21/76838 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78666 , H01L29/78669 , H01L29/78675
Abstract: 根据本发明的一种形成图案的方法包括步骤：在具有透光性质的衬底上形成掩模；在衬底和掩模上形成具有包含光吸收材料的物质的第一区域；通过使用具有可由光吸收材料吸收的波长、通过衬底的光照射该物质以修改物质表面的一部分而形成第二区域；以及通过将包含图案形成材料的化合物排放到第二区域来形成图案。
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公开(公告)号：CN101477990A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810186809.2
申请日：2006-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/417 , H01L27/32 , H01L27/15 , H01L21/84 , H01L21/336 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78678 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。
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