-
公开(公告)号：CN101928935B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201010213335.3
申请日：2010-06-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/336
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/3244 , H01J37/32541 , H01L29/66765
Abstract: 本发明的一个方式的目的在于提供一种可以形成均匀且优质的膜的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有如下结构：其上部电极具有设置有第一引入孔(第一气体管道)的凸部和设置有第二引入孔(第二气体管道)的凹部，所述上部电极的第一引入孔(第一气体管道)连接到填充有不容易离解的气体的第一汽缸且第二引入孔(第二气体管道)连接到填充有容易离解的气体的第二汽缸，从设置在所述上部电极的凸部的表面的第一引入孔(第一气体管道)的引入口将不容易离解的气体引入到反应室并从设置在凹部的表面的第二引入孔(第二气体管道)的引入口将容易离解的气体引入到反应室。
-
公开(公告)号：CN102262743B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110214661.0
申请日：2007-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G06K19/07749
Abstract: 若采用ASK方式作为半导体装置和读写器之间的通信方式，则在不将数据从读写器发送到半导体装置的情况下无线信号的振幅也因从半导体装置发送到读写器的数据而变化。因此，有时会有将半导体装置所发送的数据误认作从读写器发送到半导体装置的数据的情况。本发明的技术要点如下：半导体装置由天线电路、发送电路、接收电路、以及计算处理电路构成。在天线电路中发送及接收无线信号。另外，发送电路将表示天线电路是否正在发送无线信号的信号输出到接收电路。
-
公开(公告)号：CN101521233B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910126408.2
申请日：2009-02-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/40 , H01L29/36 , H01L27/12 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及显示装置。改善涉及薄膜晶体管的导通电流及截止电流的问题。该薄膜晶体管包括：添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层相离地设置；导电层，该导电层在上述栅极绝缘层上重叠于上述栅电极及上述添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层的一方；以及非晶半导体层，该非晶半导体层从上述导电层上延伸到上述栅极绝缘层上，与添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层双方接触，并且连续设置在该添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层之间。
-
公开(公告)号：CN102456533A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110354613.1
申请日：2011-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种使电场强度和气体分布均匀的等离子体处理装置，具有：上部电极与下部电极对置且由室壁罩住的处理室；以及由上部电极及绝缘体与处理室分隔且由室壁罩住的线室，其中处理室与设置在分散板与簇射板之间的第一气体扩散室连接，第一气体扩散室与设置在分散板与上部电极的电极面之间的第二气体扩散室连接，第二气体扩散室连接到上部电极内的第一气体管，上部电极内的第一气体管连接到第二气体管，第二气体管连接到处理用气体供应源，线室具有惰性气体导入口、共轴设置的上部电极及室壁，分散板与连接到上部电极的电极面的在上部电极内的第一气体管的气体导入口对置，并且，该分散板具有分散板中央部及分散板周边部，该分散板中央部未设置气体孔，该分散板周边部设置有多个气体孔。
-
公开(公告)号：CN102456533B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110354613.1
申请日：2011-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种使电场强度和气体分布均匀的等离子体处理装置，具有：上部电极与下部电极对置且由室壁罩住的处理室；以及由上部电极及绝缘体与处理室分隔且由室壁罩住的线室，其中处理室与设置在分散板与簇射板之间的第一气体扩散室连接，第一气体扩散室与设置在分散板与上部电极的电极面之间的第二气体扩散室连接，第二气体扩散室连接到上部电极内的第一气体管，上部电极内的第一气体管连接到第二气体管，第二气体管连接到处理用气体供应源，线室具有惰性气体导入口、共轴设置的上部电极及室壁，分散板与连接到上部电极的电极面的在上部电极内的第一气体管的气体导入口对置，并且，该分散板具有分散板中央部及分散板周边部，该分散板中央部未设置气体孔，该分散板周边部设置有多个气体孔。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859710B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201010161138.1
申请日：2010-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , H01L29/24 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 本发明的目的在于一种提供一种使用氧化物半导体的优选结构的n沟道型晶体管及p沟道型晶体管。本发明的半导体装置包括：与第一氧化物半导体层电连接并由包含第一材料的第一导电层和包含第二材料的第二导电层的叠层结构形成的第一源电极或漏电极；以及与第二氧化物半导体层电连接并由包含第一材料的第三导电层和包含第二材料的第四导电层的叠层结构形成的第二源电极或漏电极，其中，第一氧化物半导体层与第一源电极或漏电极的第一导电层接触，并且，第二氧化物半导体层与第二源电极或漏电极的第三导电层及第四导电层接触。
-
公开(公告)号：CN103155121A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180043987.X
申请日：2011-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L23/552 , H01L23/564 , H01L29/04 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一目的在于制造包括氧化物半导体膜的半导体装置，其具有稳定电气特性及高可靠性。以如下方法形成结晶氧化物半导体膜而不用进行多个步骤：通过利用包括在氧化物半导体靶材中的多种原子的原子量的差异，在氧化物绝缘膜上优先淀积具有低原子量的锌以形成包含锌的种晶；并且在进行晶体生长的同时淀积具有高原子量的锡、铟等。此外，通过使用包含锌的具有六角形晶体结构的种晶作为核来进行晶体生长以形成结晶氧化物半导体膜，从而形成单晶氧化物半导体膜或实质上单晶氧化物半导体膜。
-
公开(公告)号：CN101097613B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200710127902.1
申请日：2007-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K7/00
CPC classification number: G06K19/07749
Abstract: 若采用ASK方式作为半导体装置和读写器之间的通信方式，则在不将数据从读写器发送到半导体装置的情况下无线信号的振幅也因从半导体装置发送到读写器的数据而变化。因此，有时会有将半导体装置所发送的数据误认作从读写器发送到半导体装置的数据的情况。本发明的技术要点如下：半导体装置由天线电路、发送电路、接收电路、以及计算处理电路构成。在天线电路中发送及接收无线信号。另外，发送电路将表示天线电路是否正在发送无线信号的信号输出到接收电路。
-
公开(公告)号：CN101928935A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010213335.3
申请日：2010-06-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/336
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/3244 , H01J37/32541 , H01L29/66765
Abstract: 本发明的一个方式的目的在于提供一种可以形成均匀且优质的膜的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有如下结构：其上部电极具有设置有第一引入孔(第一气体管道)的凸部和设置有第二引入孔(第二气体管道)的凹部，所述上部电极的第一引入孔(第一气体管道)连接到填充有不容易离解的气体的第一汽缸且第二引入孔(第二气体管道)连接到填充有容易离解的气体的第二汽缸，从设置在所述上部电极的凸部的表面的第一引入孔(第一气体管道)的引入口将不容易离解的气体引入到反应室并从设置在凹部的表面的第二引入孔(第二气体管道)的引入口将容易离解的气体引入到反应室。
-
公开(公告)号：CN101097613A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710127902.1
申请日：2007-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K7/00
CPC classification number: G06K19/07749
Abstract: 若采用ASK方式作为半导体装置和读写器之间的通信方式，则在不将数据从读写器发送到半导体装置的情况下无线信号的振幅也因从半导体装置发送到读写器的数据而变化。因此，有时会有将半导体装置所发送的数据误认作从读写器发送到半导体装置的数据的情况。本发明的技术要点如下：半导体装置由天线电路、发送电路、接收电路、以及计算处理电路构成。在天线电路中发送及接收无线信号。另外，发送电路将表示天线电路是否正在发送无线信号的信号输出到接收电路。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.028 seconds)
