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公开(公告)号：CN100479109C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510077566.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/32192
Abstract: 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置，由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性，防止异常放电。
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公开(公告)号：CN1210768C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN02800920.7
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/3244
Abstract: 一种具有放射线槽天线的微波等离子体处理装置，可抑制异常放电，提高微波等离子体的激发效率。在放射线槽天线与同轴波导管的连接部中，使同轴波导管中的供电线前端部离开构成辐射面的槽板。
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公开(公告)号：CN1592957A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN01821537.8
申请日：2001-12-27
Applicant: 大见忠弘
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/28202 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02307 , H01L21/02315 , H01L21/30604 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/31612 , H01L21/31662 , H01L21/3185 , H01L21/823462 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11568 , H01L27/12 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78645
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包含以硅为衬底的多个晶体管和电容，其中，氢至少存在于所述硅衬底表面的一部分上，通过将所述表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除所述氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而在硅衬底表面上形成一种硅化合物层，该硅化合物层至少包含构成所述气体分子的一部分的元素。
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公开(公告)号：CN1484852A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN01821536.X
申请日：2001-12-27
Applicant: 大见忠弘
IPC: H01L21/318 , H01L27/10 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28202 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02249 , H01L21/02252 , H01L21/02315 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28211 , H01L21/2822 , H01L21/30604 , H01L21/3144 , H01L21/31662 , H01L21/3185 , H01L21/823462 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11568 , H01L27/12 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78645
Abstract: 一种电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法，这是以硅为衬底并包含多个晶体管或电容器的半导体器件的成膜方法，其中，氢至少预先存在于所述硅表面的一部分上，将所述硅的表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而，在所述硅气体的表面上形成一种硅化合物层，所述硅化合物层包含构成所述气体分子的至少一部分的元素。
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公开(公告)号：CN100483620C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710003265.7
申请日：2002-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，从而，与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿着所述微波透过窗的径向向外呈多阶梯形地减小，由此来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1311531C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02807489.0
申请日：2002-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , B01J19/08 , C23C16/511 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/517 , H01J37/32009 , H01J37/32339
Abstract: 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。
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公开(公告)号：CN1298027C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN02800918.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
Abstract: 一种微波等离子体处理装置，为了使阻抗变化缓和，通过在微波供给波导管和微波天线之间设置锥面或具有中间介电常数的部件，可抑制微波供给波导管与微波天线的连接部中的反射波的形成，提高供电效率，抑制放电，在等离子体处理装置中稳定形成等离子体。
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公开(公告)号：CN1700427A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510077566.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/32192
Abstract: 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置，由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性，防止异常放电。
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公开(公告)号：CN1460289A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN02800922.3
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/511 , C30B25/105 , H01J37/32192
Abstract: 本发明涉及使用放射线槽天线的微波等离子体处理装置，使放射线槽天线辐射面与构成处理室外壁的一部分，贴紧在与浇淋板贴紧的盖板上，在放射线槽天线上还通过设置冷却器，以便吸收于厚度方向在处理室外壁中流过的热流，从而使浇淋板的冷却效率最佳化，同时使微波激励效率最佳化。
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公开(公告)号：CN1460288A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN02800921.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/32192
Abstract: 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置，由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性，防止异常放电。
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