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公开(公告)号：CN100412697C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610094258.8
申请日：2006-06-28
IPC: G03F7/20 , G11B5/84 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B08B7/0092 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 根据一个实施例，一种制造用于离散磁道记录介质的基底的方法，该方法包括以下步骤：在基底(11，31，41，51)上形成压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；在所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)上压印具有与记录磁道区和伺服区对应的凸起和凹陷的图形的压模(13，15)，以将所述凸起和凹陷的图形转移到所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；从所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)除去所述压模(13，53)；以及在压力设定为2至5atm的处理室中扩散液化的CO2，在压力设定为0.01至1atm的处理室中扩散液化的H2O，或在设定为任意压力的处理室中扩散选自液化CF4、CHF3、SF6和C2F6的反应气体，以将所述液化气体喷射到所述基底(11，31，41，51)的表面上。
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公开(公告)号：CN1819033A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610008960.8
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种图案化磁记录介质具有形成在基底(11)上的磁记录层(13)和保护层(14)，其中，该磁记录层(13)包括图案化为磁轨的磁性材料(15)和填充在数据区域(33)内的磁轨间的非磁材料(16)，并且具有在距离介质外侧端1mm内的区域(42)中形成并延伸到该介质端部的一凹进部分(32)。该凹进部分(32)被形成为比该数据区域(33)深1到50nm。
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公开(公告)号：CN1627372A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410103870.8
申请日：2004-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/74 , G11B5/743 , G11B5/855 , G11B2005/001 , Y10T428/256 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种磁记录介质及其制造方法，可以进行高密度记录且耐久性优异。该磁记录介质，其特征在于包括：在非磁性基片上形成的软磁性层上分离排列的多个铁磁性体点；以及形成在各个铁磁性体点上的碳层，该碳层在通过铁磁性体点中心的截面上的膜面形状是平滑的，且具有从所述铁磁性体点的中心向外缘逐渐减小的膜厚。
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公开(公告)号：CN101399050B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810215456.4
申请日：2008-08-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，其包括在基材(11)上形成至少包含PS和PEO的二嵌段共聚物组合物的层(12)，使所述层经受相分离以获得相分离的层(13)，由此形成由PS构成并且具有沿第一方向延展的圆柱体或层状构型的易蚀刻区域(14)，在所述相分离的层上形成压印抗蚀剂层(16)，对所述压印抗蚀剂层进行压印，以在所述压印抗蚀剂层上形成沿与所述第一方向交叉的第二方向延展的由凸起(19)和凹陷(18)构成的不规则图案，从所述压印抗蚀剂层选择性地除去所述凹陷，由此仅剩下所述凸起，并且同时选择性地从所述相分离的层除去PS以获得包含PEO的耐蚀刻的图案，以及不仅使用所述凸起而且使用所述耐蚀刻的图案作为掩模来蚀刻所述基材。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101542602A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000667.4
申请日：2008-06-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施例，一种磁记录介质包括形成在基底上的凸起的磁图形；以及填充在所述磁图形之间的凹陷处并由含有Ni或Cu以及含有从Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Cr、Mo和Ag中选出来的两种或两种以上金属的多元素非晶合金构成的非磁性材料。
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公开(公告)号：CN101308669A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810099507.1
申请日：2008-05-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种磁记录介质，其包括：基底；记录层，形成在所述基底上，具有沟槽图案；以及保护层，形成在所述记录层上，填充所述沟槽图案，其中规定所述记录层具有保留伺服数据的伺服部分和保留记录数据的记录轨道部分，并且其中，在所述伺服部分处的所述保护层的第一膜的厚度比在所述记录轨道部分处的所述保护层的第二膜的厚度大1nm到10nm的厚度范围。
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公开(公告)号：CN101202053A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710188779.4
申请日：2007-11-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/59688 , G11B5/743 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置，所述磁记录介质包括：基底(51)；和形成在基底(51)上具有对应伺服区和记录区的凸起和凹陷图形的磁记录层(53)，其中位于记录区每个凹陷中的磁记录层(53)的厚度(T2)小于对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)的三分之二，在记录区每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为1nm或更高，而磁记录介质表面上的高度差为7nm或更小。
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公开(公告)号：CN100375156C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200610008960.8
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种图案化磁记录介质具有形成在基底(11)上的磁记录层(13)和保护层(14)，其中，该磁记录层(13)包括图案化为磁轨的磁性材料(15)和填充在数据区域(33)内的磁轨间的非磁材料(16)，并且具有在距离介质外侧端1mm内的区域(42)中形成并延伸到该介质端部的一凹进部分(32)。该凹进部分(32)被形成为比该数据区域(33)深1到50nm。
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